有關半導體光刻膠的概念股有哪些

㈠ 光敏電阻是由半導體材料製成的，受到光照射時，其導電性能顯著增強；它的靈敏度高，製造工藝簡單，廣泛應

㈡ 關於材料的性質及其應用，下列說法錯誤的是（）A．有的半導體對光比較敏感，可以用來製造光敏電阻B．

A、光敏電阻器是利用半導體的光電效應製成的一種電阻值隨入射光的強弱而改變的電阻器，故回A正確；
B、銅絲的熔點答高，電路中溫度升高，不能及時熔斷，起不到保護作用，故不能用銅導線或鐵絲代替，故B錯；
C、鑽頭利用的是金剛石硬度大的特點，故C正確；
D、超導體的電阻為零，所以不具有熱效應，可以無損耗地輸送極大的電流，故D正確．
故選B．

㈢ pcb光刻膠和半導體光刻膠的區別

光刻膠是一種有機化合物，它受紫外光曝光後，在顯影液中的溶解度會發生變化。一般光刻膠以液態塗覆在矽片表面上，曝光後烘烤成固態。 1、光刻膠的作用： a、將掩膜板上的圖形轉移到矽片表面的氧化層中； b、在後續工序中，保護下面的材料（刻蝕或離子注入）。2、光刻膠的物理特性參數： a、解析度（resolution）。區別矽片表面相鄰圖形特徵的能力。一般用關鍵尺寸（CD，Critical Dimension）來衡量解析度。形成的關鍵尺寸越小，光刻膠的解析度越好。 b、對比度（Contrast）。指光刻膠從曝光區到非曝光區過渡的陡度。對比度越好，形成圖形的側壁越陡峭，解析度越好。 c、敏感度（Sensitivity）。光刻膠上產生一個良好的圖形所需一定波長光的最小能量值（或最小曝光量）。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對於波長更短的深紫外光（DUV）、極深紫外光（EUV）等尤為重要。 d、粘滯性/黏度（Viscosity）。衡量光刻膠流動特性的參數。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加；高的粘滯性會產生厚的光刻膠；越小的粘滯性，就有越均勻的光刻膠厚度。光刻膠的比重（SG，Specific Gravity）是衡量光刻膠的密度的指標。它與光刻膠中的固體含量有關。較大的比重意味著光刻膠中含有更多的固體，粘滯性更高、流動性更差。粘度的單位：泊（poise），光刻膠一般用厘泊（cps，厘泊為1%泊）來度量。百分泊即厘泊為絕對粘滯率；運動粘滯率定義為：運動粘滯率=絕對粘滯率/比重。單位：百分斯托克斯（cs）＝cps/SG。 e、粘附性（Adherence）。表徵光刻膠粘著於襯底的強度。光刻膠的粘附性不足會導致矽片表面的圖形變形。光刻膠的粘附性必須經受住後續工藝（刻蝕、離子注入等）。 f、抗蝕性（Anti-etching）。光刻膠必須保持它的粘附性，在後續的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。 g、表面張力（Surface Tension）。液體中將表面分子拉向液體主體內的分子間吸引力。光刻膠應該具有比較小的表面張力，使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋。 h、存儲和傳送（Storage and Transmission）。能量（光和熱）可以激活光刻膠。應該存儲在密閉、低溫、不透光的盒中。同時必須規定光刻膠的閑置期限和存貯溫度環境。一旦超過存儲時間或較高的溫度范圍，負膠會發生交聯，正膠會發生感光延遲。3、光刻膠的分類 a、根據光刻膠按照如何響應紫外光的特性可以分為兩類：負性光刻膠和正性光刻膠。 負性光刻膠（Negative Photo Resist）。最早使用，一直到20世紀70年代。曝光區域發生交聯，難溶於顯影液。特性：良好的粘附能力、良好的阻擋作用、感光速度快；顯影時發生變形和膨脹。所以只能用於2μm的解析度。 正性光刻膠（Positive Photo Resist）。20世紀70年代，有負性轉用正性。正性光刻膠的曝光區域更加容易溶解於顯影液。特性：解析度高、台階覆蓋好、對比度好；粘附性差、抗刻蝕能力差、高成本。 b、根據光刻膠能形成圖形的最小光刻尺寸來分：傳統光刻膠和化學放大光刻膠。 傳統光刻膠。適用於I線（365nm）、H線（405nm）和G線（436nm），關鍵尺寸在0.35μm及其以上。 化學放大光刻膠（CAR，Chemical Amplified Resist）。適用於深紫外線（DUV）波長的光刻膠。KrF（248nm）和ArF（193nm）。4、光刻膠的具體性質 a、傳統光刻膠：正膠和負膠。光刻膠的組成：樹脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機械與化學性質（如粘附性、膠膜厚度、熱穩定性等）；感光劑，感光劑對光能發生光化學反應；溶劑（Solvent），保持光刻膠的液體狀態，使之具有良好的流動性；添加劑（Additive），用以改變光刻膠的某些特性，如改善光刻膠發生反射而添加染色劑等。 負性光刻膠。樹脂是聚異戊二烯，一種天然的橡膠；溶劑是二甲苯；感光劑是一種經過曝光後釋放出氮氣的光敏劑，產生的自由基在橡膠分子間形成交聯。從而變得不溶於顯影液。負性光刻膠在曝光區由溶劑引起泡漲；曝光時光刻膠容易與氮氣反應而抑制交聯。 正性光刻膠。樹脂是一種叫做線性酚醛樹脂的酚醛甲醛，提供光刻膠的粘附性、化學抗蝕性，當沒有溶解抑制劑存在時，線性酚醛樹脂會溶解在顯影液中；感光劑是光敏化合物（PAC，Photo Active Compound），最常見的是重氮萘醌（DNQ），在曝光前，DNQ是一種強烈的溶解抑制劑，降低樹脂的溶解速度。在紫外曝光後，DNQ在光刻膠中化學分解，成為溶解度增強劑，大幅提高顯影液中的溶解度因子至100或者更高。這種曝光反應會在DNQ中產生羧酸，它在顯影液中溶解度很高。正性光刻膠具有很好的對比度，所以生成的圖形具有良好的解析度。 b、化學放大光刻膠（CAR，Chemical Amplified Resist）。樹脂是具有化學基團保護（t-BOC）的聚乙烯（PHS）。有保護團的樹脂不溶於水；感光劑是光酸產生劑（PAG，Photo Acid Generator），光刻膠曝光後，在曝光區的PAG發生光化學反應會產生一種酸。該酸在曝光後熱烘（PEB，Post Exposure Baking）時，作為化學催化劑將樹脂上的保護基團移走，從而使曝光區域的光刻膠由原來不溶於水轉變為高度溶於以水為主要成分的顯影液。化學放大光刻膠曝光速度非常

㈣ 請問在半導體工藝中，光刻後進行電鍍，電鍍後去除光刻膠後有一步lega treatment 什麼意思

在半導體工藝中，光課後進行電鍍電鍍後，去除光刻膠後有一步。

㈤ 半導體光刻技術，什麼是半導體光刻技術

光刻技術主要應用在微電子中。它一般是對半導體進行加工，需要一個有部分透光部版分不透光的掩模板權，通過曝光、顯影、刻蝕等技術獲得和掩模板一樣的圖形。先在處理過後的半導體上塗上光刻膠，然後蓋上掩模板進行曝光；其中透光部分光刻膠的化學成分在曝光過程中發生了變化；之後進行顯影，將發生化學變化的光刻膠腐蝕掉，裸露出半導體；之後對裸露出的半導體進行刻蝕，最後把光刻膠去掉就得到了想要的圖形。光刻技術在微電子中佔有很大的比重，比如微電子技術的進步是通過線寬來評價的，而線寬的獲得跟光刻技術有很大的關系。光刻技術就是在需要刻蝕的表面塗抹光刻膠，乾燥後把圖形底片覆蓋其上，有光源照射，受光部分即可用葯水洗掉膠膜，沒有膠膜的部分即可用濃酸濃鹼腐蝕表面。腐蝕好以後再洗掉其餘的光刻膠。現在為了得到細微的光刻線條使用紫外線甚至X射線作為光源。

㈥ pcb光刻膠和半導體光刻膠的區別

可能是勻膠後邊緣的光刻膠有堆膠現象，如果採用的是接觸式曝光，那麼掩模板和晶片之間就會有間隙，造成曝光出現虛影，因此要去除掉邊緣的光刻膠。

㈦ 在半導體晶元製造領域，光刻膠的性能指標中最重要的是什麼

半導體晶元使用的光刻膠
photoresist 有至少十二項基本性能，其中最重要的是光阻良率resistance ratio.

㈧ 半導體塗光刻膠的設備叫什麼名字

勻膠機，沒用過國內的。

㈨ 我在半導體生產，經常用到光刻膠，也經常使用氫氟酸，硝酸，磷酸，醋酸做腐蝕和去膠用的硫酸等等，

做好防護措施，工作之餘多鍛煉身體。

㈩ 半導體光刻膠報讀哪所大學

光刻膠屬於材料科學，與化學化工材料有關。在這個方向的材料科學領域，清華大學、天津大學、北京化工大學、大連理工大學、華東理工大學都是很不錯的大學，特別是前三所。