在半導體中有哪些與光有關的躍遷

A. 由鍺和砷化鎵的吸收光譜判斷直接和間接躍遷型半導體

直接躍遷跟間接躍遷很明顯吸收光譜不同。直接躍遷應該是剛好等於能級差（或者說禁帶寬度），而間接躍遷小於能級差。

B. 間接帶系半導體材料的光學躍遷概率怎麼算

實驗測量或者從態密度~k的圖上面做積分，對於同一個k，利用直接躍遷來計算。 間接躍遷的時候考慮聲子參與，在價帶底到導帶頂考慮h(k1-k2)的碰撞概率。

C. 半導體中有哪幾種光躍遷過程，影響其躍遷速率有哪些因素

且相干，這部分放出的能量就表現為熒光。
波爾用氫原子軌道理論成功結版識了電子躍遷。該理論權假設氫原子電子在某些特定的軌道上運行，每個軌道對應著一個能級，且能級是分離的。在外界光子的激發下，電子可以從低能級躍遷到高能級，也叫做受激輻射，其中入射光子的能量必須要大於或者等於兩軌道能級絕對值之差。同時合適的光子入射下，原子電子也可以從高能級躍遷到低能級，同時放出一個光子，該光子能量與入射光子能量相同電子躍遷 電子躍遷就是指原子的外層電子從低能軌道轉移到高能軌道，或者從高能軌道轉移到低能軌道，在沒有外界激勵的情況下電子處在平衡狀態下，再有外界激勵下，電子平衡被打破，如果電子吸收光子能量則會跳躍到離原子核更遠的軌道上（光子能量大於或等於兩軌道能及之差），但這樣的電子不穩定，容易放出能量而返回原來的軌道。除此之外，原子內部電子也可以自發的從高能級躍遷到低能級。轉移過程中會吸收或者放出一個光子，該光子能量為兩個軌道能量之差的絕對值，或者從低能級躍遷到高能級，不過這種過程處於靜態平衡之中。電子躍遷分為自發躍遷和受激躍遷，這是激光產生的基本原理

D. 半導體的輻射躍遷有哪幾種各自的定義與特點是什麼

半導抄體的輻射躍遷有哪幾種各自的定義與特點是什麼
1,自發輻射躍遷,此躍遷隨機發生,隨遇而安,躍遷從高能級向低能級,躍遷到的最終能級不一定,發出光波長,波列長度不一,相乾性差,是常見最最普通的躍遷方式.
2,吸收躍遷,此躍遷從低能級到高能級,吸收其他諸如光電力熱的能量,使得電子像高能級躍遷,但是躍遷到的最終能級取決於吸收的能量的大小.
3,手機輻射躍遷,此躍遷也是在受到能量激勵後,並不吸收能量,電子從高能級向低能級躍遷,躍遷的最終能級,取決於受到激勵的能量,放出一個光子,與原光子同頻同振幅同相位,相乾性特別好,是激光的產生激勵!

E. 源於半導體中的直接躍遷和間接躍遷：在k空間中，能量是波矢k的函數，如何理解k空間

晶體電子不是真空中的自由電子，具有波動性，則其狀態不能簡單地內採用坐標和動量來表徵，而容可以採用所謂波矢——晶體動量k來表徵。由k的三個分量（kx、ky、kz）所構成的空間就是所謂k空間，該空間與正常空間的量綱是互逆的，故k空間是倒易空間，即正格子空間的倒空間；k空間中的一個代表點就對應電子的一個狀態。
晶體電子的狀態數目是有限的，其數目就等於k空間中一個原胞中代表點的數目；這個倒易空間的原胞就稱為Bullouin區。
由於晶體電子是處於能帶的狀態。對於一個能帶，每一個波矢k就代表該能帶中電子的一種狀態，對應有相應的一個能量本徵值（一條能級）。而晶體有很多高低不同的能帶，故一個k就對應於不同能帶中的不同能級，即具有多個能量本徵值。
所以，對於一個晶體電子所處的狀態，需要指明它是屬於哪一個能帶、哪一個波矢k，這才是一種完整的表述。

F. 什麼叫本徵激發溫度越高，本徵激發的載流子越多，為什麼

1、本徵激發是由於半導體材料內部運動，導致有部分電子脫離共價鍵的束縛，形成了「自由電子」，使半導體材料內載流子濃度變化的激發過程。

2、本徵激發中半導體材料內部運動和溫度、光照等外界因素有關，溫度（光照等）越高，分子運動越激烈，越有利於電子脫離共價鍵，因而被激發出來的「自由電子」越多，載流子濃度也越高。

3、一般來說，半導體中的價電子不完全像絕緣體中價電子所受束縛那樣強，如果能從外界獲得一定的能量(如光照、溫升、電磁場激發等)，一些價電子就可能掙脫共價鍵的束縛而成為近似自由的電子（同時產生出一個空穴）。

4、這是一種熱學本徵激發，所需要的平均能量就是禁帶寬度。本徵激發還有其它一些形式。如果是光照使得價電子獲得足夠的能量、掙脫共價鍵而成為自由電子，這是光學本徵激發（豎直躍遷）。

5、這種本徵激發所需要的平均能量要大於熱學本徵激發的能量——禁帶寬度。如果是電場加速作用使得價電子受到高能量電子的碰撞、發生電離而成為自由電子，這是碰撞電離本徵激發；這種本徵激發所需要的平均能量大約為禁帶寬度的1.5倍。

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分子電子躍遷：

1、分子電子躍遷表示分子中價電子從一個能級因為吸收能量時，躍遷到一個更高的能級；或者釋放能量，躍遷到更低的能級的過程。如果起始能級的能量比最終能級的能量高，原子便會釋放能量（通常以電磁波的形式發放）。

2、相反，如果起始能級的能量較低，原子便會吸收能量。釋放與吸收的能量等於這兩個能級的能量之差。在此過程中的能量變化提供了分子結構的信息，並決定了許多分子性質如顏色。有關電子躍遷的能量和輻射頻率的關系由普朗克定律決定。

3、一般，我們應用電子躍遷來說明單個原子。當討論多原子分子時，我們應用分子軌道理論。也可以視單個原子為單原子分子，將各種情況的電子躍遷統一到分子電子躍遷的框架下來。這里的能級是基於分子軌道理論提出的。

G. 半導體的光吸收躍遷

由於半導體吸收了光的能量使得本來處於價帶的電子獲得足夠的能量躍遷到導帶。從而使半導體的電阻急劇變小。

H. 在半導體中有哪幾種與光相關的躍遷

這個不是很清楚、

I. 半導體中有哪些基本的光吸收過程每一個過程中電子是怎樣躍遷的

這個和電子能帶之間的能量差異有關
假如某種原子兩個電子軌道的能量差剛好是E而這個光譜的能量hV正好和E相等那麼這個光譜就能被該原子吸收
電子吸收光譜hV的能量後就脫離原子核的束縛跑到其他的軌道上。

J. 半導體中有哪些基本的光吸收過程每一個過程中電子是怎樣躍遷的第一問可以不答，我有的是第二問。

光入射到半導體來後，光子源能和晶格作用，並將其能力轉換為焦耳熱；也能夠和雜質、施主或受主及半導體內部缺陷作用。可是光子最容易的還是和價電子作用。
光子能量E=hν，當光子能量小於半導體禁帶寬度的時候，光會穿透物質，此時半導體表現為透明狀。當光子能量大於半導體禁帶寬度時，光子能和價電子作用，把電子激發到導帶。在價帶留一個空穴，在導帶產生一個電子。光子大於半導體禁帶寬度的能量轉換為電子或空穴的動能，在半導體中將以焦耳熱的形式散失掉。