半導體電子遷移率一般是多少

① 本徵半導體與n型半導體的多子遷移率怎麼比較

要看不同的材料的，ge的還si的是不同的，而且要看摻雜濃度的。一般來講本徵硅電子遷移率在1350cm^2/v*s 本徵鍺電子遷移率在3800cm^2/v*s左右。

② 半導體的電子遷移率的作用是什麼

決定導電能力的強弱

③ 半導體的遷移率比金屬高，為什麼金屬導電性更好

半導體的遷移率比金屬高，但內部會感應出反向電荷，出現電位移，形成逆向場。而金屬導體內部場強處處相等，宏觀上電流比半導體強，所以金屬導電性更好。
遷移率代表電子定向運動的速度，而不是電流強度。

④ 分析本徵半導體電阻率與載流子濃度遷移率和溫度有什麼關系

決定 電阻率溫度關系的主要因素是載流子濃度和遷移率隨溫度的變化版關系。
在低溫下：權由於 載流子濃度指數式增大（施主或 受主雜質不斷電離），而遷移率也是增大的（電離雜質散射作用減弱之故），所以這時 電阻率隨著溫度的升高而下降。
在 室溫下：由於施主或 受主雜質已經完全電離，則 載流子濃度不變，但遷移率將隨著溫度的升高而降低（ 晶格振動加劇，導致 聲子散射增強所致），所以 電阻率將隨著溫度的升高而增大。
在 高溫下：這時 本徵激發開始起作用，載流子濃度將指數式地很快增大，雖然這時遷移率仍然隨著溫度的升高而降低（ 晶格振動散射散射越來越強），但是這種遷移率降低的作用不如載流子濃度增大的強，所以總的效果是 電阻率隨著溫度的升高而下降。

⑤ 摻雜的砷化鎵半導體中電子的遷移率在雜質濃度很小和很大是如何隨溫度變化

在摻在濃度較低時，電子遷移率隨溫度的升高迅速減小，此時晶格散回射其主要作用；當雜質濃答度增加，遷移率下降趨勢就不太顯著，說明雜質散射機構的影響在增加；當摻雜濃度很高時候，在低溫范圍，隨溫度的升高，電子遷移率反而緩慢上升，到一定溫度才下降，即溫度低時雜質散射其主要作用，溫度高時晶格振動散射為主。
參考 半導體物理學 劉恩科編寫

⑥ si，ge，gaas，gan，sic等半導體材料的禁帶寬度和電子遷移率各是多少

^禁帶寬度：1.12, 0.66, 1.42, 3.44 6H- SiC:3, 4H- SiC:3.25, 3C-SiC:2.3 (eV)
電子遷移率: 1350, 3800, 8000, 2000，3000左右版 (cm^權2/(V·s))

⑦ N型半導體 電子遷移率

要看不同的材料的，ge的還si的是不同的，而且要看摻雜濃度的。一般來講本徵硅電子遷移率在1350cm^2/v*s 本徵鍺電子遷移率在3800cm^2/v*s左右。

⑧ 在半導體物理中電子的遷移率與哪些因素有關

在半導體物理中電子的遷移率與哪些因素有關
遷移率和單位載流子的電荷量、載流子的平均自由時間和載流子有效質量有關.遷移率=電荷量乘自由時間除有效質量.平均自由時間是指載流子受晶格兩次散射中間的時間,即外電場下自由加速的時間

⑨ 為什麼半導體摻雜後載流子濃度和遷移率隨摻雜濃度同時升高或降低

溫度.導體在任何溫度下,都將遵從
熱平衡條件：np=ni2.因此多數載流子與少
數載流子是相互制約著回的.多數載流子主要答
來自於摻雜,而少數載流子都來自於本徵激
發（屬於本徵載流子）.當通過摻雜、增大
多數載流子濃度時,則多數載流子與少數載
流子相互復合的機會增加,將使得少數載流
子濃度減小；當升高溫度,少數載流子濃度
將指數式增大,並且它與多數載流子相互復
合的機會也增加,仍然維持著熱平衡關系.
在溫度不是很高時,增加的本徵載流子濃度
將遠小於摻雜所提供的多數載流子濃度,因
此對於多數載流子而言,可以認為其濃度基
本上就等於摻雜濃度,與溫度的關系不大.
當然,在溫度高到使得本徵載流子濃度增大
到等於或大於多數載流子濃度時,就變成以
本徵載流子導電為主的半導體了,即為本徵
半導體,這時摻雜的貢獻即可忽略了.

⑩ 半導體的遷移率

為了解決半導體中的導電的問題，必須知道電子的兩方面的知識。一個是電子的濃度分布，一個是電子運動的速度。而遷移率就是電子運動速度的標識。具體的就是書上的公式，在推到中定義的。