pn型半導體用什麼材料

『壹』 什麼是n型半導體什麼是p型半導體它們是怎樣形成的幫我回答，謝謝。

一、N型半導體

N型半導體也稱為電子型半導體，即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。

形成原理

摻雜和缺陷均可造成導帶中電子濃度的增高. 對於鍺、硅類半導體材料，摻雜Ⅴ族元素，當雜質原子以替位方式取代晶格中的鍺、硅原子時，可提供除滿足共價鍵配位以外的一個多餘電子，這就形成了半導體中導帶電子濃度的增加，該類雜質原子稱為施主. Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的施主往往採用Ⅳ或Ⅵ族元素. 某些氧化物半導體，其化學配比往往呈現缺氧，這些氧空位能表現出施主的作用，因而該類氧化物通常呈電子導電性，即是N型半導體，真空加熱，能進一步加強缺氧的程度。

二、P型半導體

P型半導體一般指空穴型半導體，是以帶正電的空穴導電為主的半導體。

形成

在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。由於P型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故P型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。

(1)pn型半導體用什麼材料擴展閱讀

特點：

（一）、N型半導體

由於N型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故N型半導體呈電中性。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

（二）、P型半導體

摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。

『貳』 P型半體帶什麼電，N型半導體帶什麼電。

不論是p型還是n型，雖然它們都有一種載流子佔多數，但是整個晶體仍然是不帶電的。望採納，謝謝

『叄』 哪些是常見的N型、及P型半導體材料

象鍺,硅,砷化鎵都是半導體材料,
象硅在注入離子時,所注入的離子將決定了他的N型還是P型
以為所注入的離子決定了他是電子導電還是空穴導電

『肆』 N型.P型半導體中的載流子各是什麼

P型半導體：在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半導體。

多數載流子：P型半導體中，空穴的濃度大於自由電子的濃度，稱為多數載流子，簡稱多子。

少數載流子：P型半導體中，自由電子為少數載流子，簡稱少子。

N型半導體：在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置形成N型半導體。

多子：N型半導體中，多子為自由電子。

少子：N型半導體中，少子為空穴。

(4)pn型半導體用什麼材料擴展閱讀：

N型半導體的特點：

半導體中有兩種載流子，即價帶中的空穴和導帶中的電子，以電子導電為主的半導體稱之為N型半導體，與之相對的，以空穴導電為主的半導體稱為P型半導體。

「N」表示負電的意思，取自英文Negative的第一個字母。在這類半導體中，參與導電的 (即導電載體) 主要是帶負電的電子，這些電子來自半導體中的施主。凡摻有施主雜質或施主數量多於受主的半導體都是N型半導體。例如，含有適量五價元素砷、磷、銻等的鍺或硅等半導體。

由於N型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故N型半導體呈電中性。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

P型半導體的特點：

半導體中有兩種載流子：導帶中的電子和價帶中的空穴。 如果某一類型半導體的導電性主要依靠價帶中的空穴，則該類型的半導體就稱為P型半導體。

「P」表示正電的意思，取自英文Positive的第一個字母。在這類半導體中，參與導電的 (即電荷載體) 主要是帶正電的空穴，這些空穴來自半導體中的受主。因此凡摻有受主雜質或受主數量多於施主的半導體都是p型半導體。例如，含有適量三價元素硼、銦、鎵等的鍺或硅等半導體就是P型半導體。

由於P型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故P型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。

『伍』 為什麼霍爾元件多採用N型半導體材料製作

霍爾效應是一種磁敏效應，一般在半導體薄片的長度X方向上施加磁感專應強度為B的磁場，則在屬寬度Y方向上會產生電動勢UH，這種現象即稱為霍爾效應。UH稱為霍爾電勢，其大小可表示為：
UH=RH/d*IC*B
（1）
式中，RH稱為霍爾系數，由導體材料的性質決定；d為導體材料的厚度，IC為電流強度，B為磁感應強度。
設RH/d=K，則式（1）可寫為：
UH=K*IC*B
(2)
可見，霍爾電壓與控制電流及磁感應強度的乘積成正比，K稱霍爾系數。K值越大，靈敏度就越高；元件厚度越小，輸出電壓也越大。
霍爾系數:K=1/(n*q)式中，n為載流子密度，一般金屬中載流子密度很大，所以金屬材料的霍爾系數系數很小，霍爾效應不明顯；而半導體中的載流子的密度比金屬要小得多，所以半導體的霍爾系數系數比金屬大得多，能產生較大的霍爾效應，故霍爾元件不用金屬材料而是用半導體。而在半導體材料中，N型半導體材料的載流子遷移率比P型半導體材料大，所以霍爾元件多採用N型半導體材料製作。
希望對你有所幫助。

『陸』 P型半導體和N型半導體是怎麼得來的

先介紹本真半導體

本真半導體就是純凈的硅或者鍺形成的半導體，但是這類半導體沒多大用，因為其載流子濃度低，導電能力很差（其導電能力其實是由電子-空穴對表現出來的，電子離開原來的位置後，原來的位置就成為了空穴），於是人們就想出了參雜。

如果往硅裡面參雜3價元素硼，那麼可以得到P型半導體，這是為什麼呢？

記住參雜的是原子，整塊材料是電中性的。當參雜磷原子進去時，磷是元素周期表中15號元素，外圍5個電子，而硅外圍4個電子，但是磷只能和硅形成4個共價鍵。這就導致了還剩一個磷的電子落單，它很不穩定，動不動就離家出走，留下空穴。每參雜一個磷原子，便會有一個單身磷電子（對，就是這么可憐），所以整塊材料中電子成為多數，空穴成為少數（空穴只在電子離家出走的時候形成），電子為多數載流子就叫N（negetive)型半導體.

反之，你可以類比P（positive )型半導體.

『柒』 p型半導體和n型半導體的區別 怎樣形成的

如果雜質是周期表中第Ⅲ族中的一種元素，例如硼或銦，它們的專價電子帶都只有屬三個電子，並且它們傳導帶的最小能級低於第Ⅳ族元素的傳導電子能級。因此電子能夠更容易地由鍺或硅的價電子帶躍遷到硼或銦的傳導帶。在這個過程中，由於失去了電子而產生了一個正離子，因為這對於其它電子而言是個「空位」，所以通常把它叫做「空穴」，而這種材料被稱為「P」型半導體。在這樣的材料中傳導主要是由帶正電的空穴引起的，因而在這種情況下電子是「少數載流子」。
如果摻入的雜質是周期表第V族中的某種元素，例如砷或銻，這些元素的價電子帶都有五個電子，然而，雜質元素價電子的最大能級大於鍺（或硅）的最大能級，因此電子很容易從這個能級進入第Ⅳ族元素的傳導帶。這些材料就變成了半導體。因為傳導性是由於有多餘的負離子引起的，所以稱為「N」型半導體。也有些材料的傳導性是由於材料中有多餘的正離子，但主要還是由於有大量的電子引起的，因而（在N型材料中）電子被稱為「多數載流子」。