帶隙寬度多少為半導體

① 半導體的禁帶寬度大小對它的用途有何影響請舉例說明

禁帶寬度對於半導體器件性能的影響非常大，它直接決定著器件的耐壓和專最高工作溫度；比屬如氮化鎵禁帶寬度很大，即便高溫價帶電子也很難吸收大於Eg的熱輻射的能量跳變到導帶，這樣就能繼續發揮半導體作用，同理因為躍遷能量較大，所以GaN更難被擊穿，因此常用作高壓耐高溫器件，也有很高的抗輻射性能。

另一方面，通過摻雜調節禁帶寬度可以製作高電子遷移率晶體管（HEMT，High Electron Mobility Transistor）。這種器件及其集成電路都能夠工作於超高頻（毫米波）、超高速領域，原因就在於它採用了異質結及其中的具有很高遷移率的所謂二維電子氣來工作的；而高遷移率的原因部分在於禁帶寬度不同的半導體組成異質結。
相關的東西很多，我也在學習之中，互勉~

② 什麼是直接帶隙寬禁帶半導體

倒帶極小值，價帶極大值對應於相同的波矢，是直接帶隙半導體，那寬禁帶就是禁帶很寬的直接帶隙半導體

③ 什麼叫零帶隙半導體

這說的是石墨烯 半導體有導帶，禁帶，價帶。。。 所謂零帶隙就指的是禁帶寬度為零

④ 如何由禁帶寬度判斷是導體還是半導體

一般材料可分為絕緣體與導體，主要是因為物質內部電子分布在不同的能帶(energy band)；可讓專電子自屬由移動的能帶稱為電導帶(conction band)，除非電導帶內有電子活動，物質將無法經由電子來傳導電流，其它能帶的電子必須克服能量障礙躍升至電導帶，方可成為導電電子，非導體即因這能量障礙太大，電子無法跳躍至電導帶，以至成為絕緣體；至於半導體(semiconctor)，其能量障礙不是很大，介於絕緣體與導體之間，在高溫或適量地加入一些可減小能量障礙的元素，如硼或磷，便可減小電阻值，成為導電體。

⑤ 納米半導體ZnS的帶隙（能隙）是多少上下值各是多少

ZnS是一種直接抄帶隙的半襲導體材料，具有閃鋅礦和纖鋅礦兩種結構，禁帶寬度為3.6～3.8eV，它具有良好的光電性能，廣泛應用於各種光學和光電器件中，如薄膜電致發光顯示器件、發光二極體、紫外光探測器件、太陽能電池等。傳統的化合物薄膜太陽能電池，一般採用化學浴法制備的CdS薄膜作為緩沖層材料，並且已經獲得了較高的電池轉換效率。後來人們逐漸意識到CdS是一種對環境和人體有害的材料，要研究制備無污染的太陽能電池就該尋找新的材料作為替代。在以後的研究中人們慢慢發現ZnS是替代CdS的良好的材料。首先，ZnS不含任何有毒元素，滿足了人們環保的要求；其次，ZnS(3.6～3.8eV)的禁帶寬度比CdS(2.4eV)大得多，用它作緩沖層材料可以使更多的短波區的光照射到吸收層上，有利於獲得藍光區的光譜響應，提高太陽能電池的轉換效率。Cu(InGa)Se2／ZnS結構電池轉換效率已經達到18.6％，而CuInS2／ZnS結構電池轉換效率也已達到了10.7％。（CuInS2是I-III-vI）族化合物中最理想的吸收層材料，其理論光電轉換效率為27％--32％）希望你能滿意！

⑥ si，ge，gaas，gan，sic等半導體材料的禁帶寬度和電子遷移率各是多少

^禁帶寬度：1.12, 0.66, 1.42, 3.44 6H- SiC:3, 4H- SiC:3.25, 3C-SiC:2.3 (eV)
電子遷移率: 1350, 3800, 8000, 2000，3000左右版 (cm^權2/(V·s))

⑦ 半導體物理中，能帶寬度與禁帶寬度的區別是什麼

1、概念不同：

能帶寬度：為價帶和導帶的寬度，即電子能量分裂的一個個密集能級組成的寬度。禁帶寬度：為導帶和價帶的間距。能帶寬度就是通電的能力，禁帶寬度就是組電的能力。

2、所含電子不同：

能帶：是用量子力學的方法研究固體內部電子運動的理論。始於20世紀初期，在量子力學確立以後發展起來的一種近似理論。

它曾經定性地闡明了晶體中電子運動的普遍特點，並進而說明了導體與絕緣體、半導體的區別所在，解釋了晶體中電子的平均自由程問題。

禁帶寬度：是指一個能帶寬度，固體中電子的能量是不可以連續取值的，而是一些不連續的能帶，要導電就要有自由電子存在，自由電子存在的能帶稱為導帶（能導電），被束縛的電子要成為自由電子，就必須獲得足夠能量從而躍遷到導帶，這個能量的最小值就是禁帶寬度。

例如：鍺的禁帶寬度為0.66ev；硅的禁帶寬度為1.12ev；砷化鎵的禁帶寬度為1.46ev。『

(7)帶隙寬度多少為半導體擴展閱讀：

結構

固體材料的能帶結構由多條能帶組成，能帶分為傳導帶（簡稱導帶）、價電帶（簡稱價帶）和禁帶等，導帶和價帶間的空隙稱為能隙。

能帶結構可以解釋固體中導體、半導體、絕緣體三大類區別的由來。材料的導電性是由「傳導帶」中含有的電子數量決定。當電子從「價帶」獲得能量而跳躍至「傳導帶」時，電子就可以在帶間任意移動而導電。

⑧ 請問二氧化錳的禁帶寬度是多少

不同晶型的二氧化錳半導體性能有所不同，以α型活性最差，γ型專活性最好，β型次之。此屬外，能影響能級的因素也能影響禁帶寬度。比如軌道重疊，原子間距的變化，都能影響禁帶的寬度。
文獻顯示，β型為0.26eV、γ型為0.58~0.7eV。勸樓主多找專業人士或是專業書籍查詢這些問題，還有多查外文文獻。

⑨ 半導體作溝道,帶隙多少合適

1.2eV～3.9eV，是半導體的定義，但是現代發展已經不限於此，比如石墨烯的高速高頻低功耗半導體就只有0.3～0.7eV，而藍光led禁帶是4.1，軍用的抗干擾半導體是4.7～5eV。

⑩ 半導體能帶隙數值 能說明半導體導電能力強弱么

一般來說寬度的大小能夠決定本徵載流子的濃度，從而決定了電阻率，也就是導電能力強弱wuxm0618(站內聯系TA)只能說明本徵材料的導電能力很弱，在有雜質或者缺陷的情況下可能還是有好的導電性能。混沌學徒(站內聯系TA)帶隙越窄越接近金屬吧，越寬就越接近絕緣體回歸2011(站內聯系TA)紫外漫反射邊通過F(R)hv2對hv作圖，通過紫外可以測試半導體的帶隙，這種稱之為光學帶隙，一般論文里都是這樣做的。
而氧化銅確實是一種半導體薄膜。氧化亞銅也是。均可以作為薄膜太陽能電池材料，盡管效率比較低。