半導體k等於多少錢

⑴ 半導體物理裡面有效質量裡面波數k＝0位於能帶底還是能帶頂能隨便設嗎

E(0)是指波矢k=0狀態的能量。若E(0)是導帶底，則其它任何k態的能量E(k)，都必將大於E(0)，即有E(k)>E(0)；若E(0)是價版帶頂的能量，權則其它任何k態的能量E(k)，都必將小於E(0)，即有E(k)

⑵ k3569 是什麼

是開關電源場效應管。

場效應管的工作原理：

在二極體加上正向電壓（P端接正極，N端接負極）時，二極體導通，其PN結有電流通過。這是因為在P型半導體端為正電壓時，N型半導體內的負電子被吸引而湧向加有正電壓的P型半導體端。

而P型半導體端內的正電子則朝N型半導體端運動，從而形成導通電流。同理，當二極體加上反向電壓（P端接負極，N端接正極）時。

這時在P型半導體端為負電壓，正電子被聚集在P型半導體端，負電子則聚集在N型半導體端，電子不移動，其PN結沒有電流通過，二極體截止。

場效應管柵極上時，由於電場的作用，此時N型半導體的源極和漏極的負電子被吸引出來而湧向柵極，但由於氧化膜的阻擋，使得電子聚集在兩個N溝道之間的P型半導體中。

從而形成電流，使源極和漏極之間導通。也可以想像為兩個N型半導體之間為一條溝，柵極電壓的建立相當於為它們之間搭了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決定。

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場效應管組成的應用電路的工作過程：

電路將一個增強型P溝道MOS場效應管和一個增強型N溝道MOS場效應管組合在一起使用。當輸入端為低電平時，P溝道MOS場效應管導通，輸出端與電源正極接通。

當輸入端為高電平時，N溝道MOS場效應管導通，輸出端與電源地接通。在該電路中，P溝道MOS場效應管和N溝道MOS場效應管總是在相反的狀態下工作，其相位輸入端和輸出端相反。

通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時由於漏電流的影響，使得柵壓在還沒有到0V。

通常在柵極電壓小於1到2V時，MOS場效應管既被關斷。不同場效應管其關斷電壓略有不同。也正因為如此，使得該電路不會因為兩管同時導通而造成電源短路。

⑶ 題圖4-14所示半導體放大簡化電路。求AB左側的諾頓等效電路，並計算電壓增益K=Uo/Ui。

4-14這個電路有問題，電壓源被短路了，沒有電壓源，哪裡的電流I

⑷ 三極體K2370是什麼意思

三極體，全稱應為半導體三極體，也稱雙極型晶體管、晶體三極體，是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關。

三極體是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極體是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。

中文名
三極體
外文名
Bipolar Junction Transistor
別名
晶體三極體
發明時間
1947年
材料
半導體
快速
導航
發展歷史

工作原理

產品分類

產品參數

判斷類型

結構類型

產品作用

工作狀態

產品判別

放大電路

產品符號

產品命名

選型替換

測判口訣
基本釋義
三極體[1] （也稱晶體管）在中文含義裡面只是對三個引腳的放大器件的統稱，我們常說的三極體，可能是 如圖所示的幾種器件。
可以看到，雖然都叫三極體，其實在英文裡面的說法是千差萬別的，三極體這個詞彙其實也是中文特有的一個象形意義上的的詞彙。
「Triode」（電子三極體）這個是英漢詞典裡面 「三極體」 的唯一英文翻譯，與電子三極體初次出現有關，是真正意義上的三極體這個詞最初所指的物品。其餘的在中文裡稱作三極體的器件，實際翻譯時不可以翻譯成Triode。
電子三極體 Triode （俗稱電子管的一種）
雙極型晶體管 BJT （Bipolar Junction Transistor）
J型場效應管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）
金屬氧化物半導體場效應晶體管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conctor Field Effect Transistor)英文全稱
V型槽場效應管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconctor ）
註：這三者看上去都是場效應管，其實金屬氧化物半導體場效應晶體管 、V型槽溝道場效應管 是 單極（Unipolar）結構的，是和 雙極（Bipolar）是對應的，所以也可以統稱為單極晶體管（Unipolar Junction Transistor）。
其中J型場效應管是非絕緣型場效應管，MOS FET 和VMOS都是絕緣型的場效應管。
VMOS是在 MOS的基礎上改進的一種大電流，高放大倍數（跨道）新型功率晶體管，區別就是使用了V型槽，使MOS管的放大系數和工作電流大幅提升，但是同時也大幅增加了MOS的輸入電容，是MOS管的一種大功率改進型產品，但是結構上已經與傳統的MOS發生了巨大的差異。VMOS只有增強型的而沒有MOS所特有的耗盡型的MOS管。
發展歷史
1947年12月23日，美國新澤西州墨累山的貝爾實驗室里，3位科學家——巴丁博士、布萊頓博士和肖克萊博士在緊張而又有條不紊地做著實驗。他們在導體電路中正在進行用半導體晶體把聲音信號放大的實驗。3位科學家驚奇地發現，在他們發明的器件中通過的一部分微量電流，竟然可以控制另一部分流過的大得多的電流，因而產生了放大效應。這個器件，就是在科技史上具有劃時代意義的成果——晶體管。因它是在聖誕節前夕發明的，而且對人們未來的生活發生如此巨大的影響，所以被稱為「獻給世界的聖誕節禮物」。這3位科學家因此共同榮獲了1956年諾貝爾物理學獎。

[2] 新研究發現，在晶體管電子流出端的襯底外，沉積一層對應材料，能形成一個半導體致冷P-N結構，因為N材料的電子能級低，P材料的電子能級高，當電子流過時，需要從襯底吸入熱量，這就為晶體管核心散熱提供一個很好的途徑。因為帶走的熱量會與電流的大小成正比例，業內也稱形象地把這個稱為「電子血液」散熱技術。

⑸ 急求答案 ，用256K*8位的FLASH存儲晶元組成1M*16位的半導體只讀存儲器,

用256K＊8位的FLASH存儲晶元組成1M＊16位的半導體只讀存儲器，需要8片FLASH存儲芯回片。

1M＊16位的答半導體只讀存儲器＝1024K＊8位的半導體只讀存儲器。因此1024K＊8位／（256K＊8位）＝8片。

計算機存儲單位用位元組(Byte)、千位元組(KB)、兆位元組(MB)、吉位元組(GB)、太位元組(TB)、拍位元組(PB)、艾位元組(EB)、澤它位元組(ZB)、堯它位元組(YB)表示。換算關系是：1KB=1024B，1MB=1024KB，1GB=1024MB，1TB=1024GB，1PB=1024TB，1EB=1024PB，1ZB=1024EB，1YB=1024ZB。

(5)半導體k等於多少錢擴展閱讀：

半導體只讀存儲器所存數據,一般是在裝入整機前事先寫好的。整機工作過程中只能從只讀存儲器中讀出事先存儲的數據，而不象隨機存儲器那樣能快速地、方便地加以改寫。寫入速度比較慢，每位寫入速度約需幾十至幾百毫秒，寫完整片存儲器需要幾十到幾百秒。

由於 ROM所存數據比較穩定、不易改變、即使在斷電後所存數據也不會改變；其次，它的結構也比較簡單，讀出又比較方便，因而常用於存儲各種固定程序和數據。

⑹ 1MΩ等於多少KΩ

1MΩ=1000kΩ

KΩ表示的是：千歐，MΩ表示的是兆歐，他們之間的進率為1000，,換算關系是：1TΩ=1000GΩ；Ω=1000MΩ；1MΩ=1000KΩ；1KΩ=1000Ω

Ω是電阻的單位，叫做歐姆，簡稱歐，歐姆的定義是一段電路的兩端電壓為1V，通過的電流為1A時，這段電路的電阻為1Ω。1Ω=1V/A。比較大的單位有千歐（kΩ）、兆歐（MΩ）（兆=百萬，即100萬）。

(6)半導體k等於多少錢擴展閱讀：

電阻是描述導體導電性能的物理量，用R表示。電阻由導體兩端的電壓U與通過導體的電流I的比值來定義，即R=U/I。所以，當導體兩端的電壓一定時，電阻愈大，通過的電流就愈小; 反之，電阻愈小，通過的電流就愈大。

因此，電阻的大小可以用來衡量導體對電流阻礙作用的強弱，即導電性能的好壞。電阻的量值與導體的材料、形狀、體積以及周圍環境等因素有關。

歐姆是電阻的國際單位，它以等於109CGSM電阻的歐姆作為基礎，用恆定電流在融冰溫度時通過質量為14.4521克、長度為106.3厘米、橫截面恆定的水銀柱受到的電阻。

歐姆定律的簡述是：在同一電路中，通過某段導體的電流跟這段導體兩端的電壓成正比，跟這段導體的電阻成反比。

該定律是由德國物理學家喬治·西蒙·歐姆1826年4月發表的《金屬導電定律的測定》論文提出的。

網路-電阻

網路-歐姆

網路-歐姆定律

⑺ 下列元素都能做半導體材料的是A,si k B,c Al C,si Ge D,As S e 要思路

半導體材料主要就是指4族元素
也就是C碳
Si硅
Ge鍺
Sn錫
Pb鉛
然後你自己對照每個選項
就發內現只有c是符合的
根據這容個題你要記下半導體材料也就是4族材料的所有元素符號
可以的話把漢字也背下來
不要看二樓的答案
是應用領域
等將來學到大學了才會接觸到
希望對你有點幫助還

⑻ 1MΩ等於多少KΩ

1MΩ=1000kΩ

KΩ表復示的制是：千歐，MΩ表示的是兆歐，他們之間的進率為1000，,換算關系是：1TΩ=1000GΩ；1GΩ=1000MΩ；1MΩ=1000KΩ；1KΩ=1000Ω

Ω是電阻的單位，叫做歐姆，簡稱歐，歐姆的定義是一段電路的兩端電壓為1V，通過的電流為1A時，這段電路的電阻為1Ω。1Ω=1V/A。比較大的單位有千歐（kΩ）、兆歐（MΩ）（兆=百萬，即100萬）。

(8)半導體k等於多少錢擴展閱讀

電阻與歐姆的關系

1、容易導電的物體叫導體，如鉛筆芯、金屬、人體、大地等；不容易導電的物體叫絕緣體，如橡膠、塑料、陶瓷等。導電能力介於兩者之間的叫半導體，如硅金屬等。

2、導體對電流的阻礙作用叫電阻，用R表示，國際制單位的主單位是歐姆，簡稱歐，符號是Ω。常用單位有千歐（KΩ）和兆歐（MΩ），1MΩ=103KΩ=106Ω。

3、影響電阻大小的因素有：材料；長度；橫截面積；溫度。電阻是導體本身的一種特性，它不會隨著電壓、電流的變化而變化。

⑼ N,F,Na,Mg,Al,siCl,Ar,K,Br可作半導體材料的元素是

是Si，硅。
半導體的導抄電性能比導體差而比絕緣體強。實際上，半導體與導體、絕緣體的區別在不僅在於導電能力的不同，更重要的是半導體具有獨特的性能（特性）。
在純凈的半導體中適當地摻入一定種類的極微量的雜質，半導體的導電性能就會成百萬倍的增加—-這是半導體最顯著、最突出的特性。
硅原子的核外電子第一層有2個電子，第二層有8個電子，達到穩定態。最外層有4個電子即為價電子，它對硅原子的導電性等方面起著主導作用。硅晶體中沒有明顯的自由電子，能導電，但導電率不及金屬，且隨溫度升高而增加，具有半導體性質。
純硅的電阻率為214×1000歐姆/厘米，幾乎是不導電的。但若摻入百萬分之一的硼元素，電阻率就會減小到0.4歐姆/厘米。因此，人們可以給半導體摻入微量的某種特定的雜質元素，精確控制它的導電能力，用以製作各種各樣的半導體器件。
以上元素中，除了硅外都不具有這種性質，所以都不能作為半導體的材料。

⑽ 半導體物理77K 處於低溫弱點離區嗎

頭都看大了，半導體進行不同的摻雜會有不同特性，光電效應，磁電效應，壓電效應等等，硅，硒，鍺以及一些金屬氧化物都是半導體材料