場效應管是一種什麼控制型半導體器件

Ⅰ 單極型半導體器件是場效應管嗎

單極型半導體器件是場效應管。

場效應晶體管主要有兩種類型：結型場效應管和金屬—氧化物半導體場效應管，由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。

N型半導體內的負電子被吸引而湧向加有正電壓的P型半導體端，而P型半導體端內的正電子則朝N型半導體端運動，從而形成導通電流。

同理，當二極體加上反向電壓時，這時在P型半導體端為負電壓，正電子被聚集在P型半導體端，負電子則聚集在N型半導體端，電子不移動，其PN結沒有電流通過，二極體截止。

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場效應管工作原理：

場效應管工作原理用一句話說，就是漏極-源極間流經溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID。

從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，並不是電流被切斷。

在過渡層由於沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。

但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由於漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。

因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。其次，VGS向負的方向變化，此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。

Ⅱ 場效應管的漏極電流是一種電壓控制器件

第一題：錯。
集電極電流是少子漂移運動形成的。參考童詩白的《模擬電子技術基礎版》第四版，大概是權第30頁吧；
第二題，錯。
第一半句是對的，後半句錯誤，應該是柵源電壓UGS控制漏極電流Id。這個問題隨便找一本模電書都可以找到。

Ⅲ 什麼是場效應管，作用是什麼

場效應管的作用 1、場效應管可應用於放大。由於場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電專容可以容量屬較小，不必使用電解電容器。 2、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用於多級放大器的輸入級作阻抗變換。 3、場效應管可以用作可變電阻。 4、場效應管可以方便地用作恆流源。 5、場效應管可以用作電子開關。

Ⅳ 場效應管的代換原則是什麼

根抄據場效應管相應的一些參數，首先是一些硬性指標，例如DS耐壓，和DS所能承受的最大電流，GS耐壓。其次考慮Rds，頻率，開通關斷時間等參數。

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconctor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、雜訊小、功耗低、動態范圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

Ⅳ 晶體管是一種什麼控制型器件；場效應管是一種什麼時控制型器（要求簡單回答，不要弄大堆說明）

場效應管是一種重要電子元件，現在被廣泛使用,他具有和以前的電子管一樣的特性版,是一種權電壓控制元件,依靠電壓信號進行放大,原理是依靠一個信號控制導電構寬度從而控制導電性.場效應管具有三個接腳.
二級管是一種半導體的普通器件,使得電子只能從一個方向流到另一個方向,他只有兩個腳,也被很廣泛使用.
晶體管,是一個總稱,他包括場效應管,可控硅等等器件,一般不能說他有多少個腳,比如mos管就三個腳,可晶閘管什麼的卻好幾個腳.

Ⅵ 場效應管 構成 類型

場效應晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型（專junctionFET—JFET)和金屬-氧化物半導屬體場效應管（metal-oxidesemiconctorFET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、雜訊小、功耗低、動態范圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

場效應管（FET）是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件，並以此命名。

Ⅶ 場效應管是一個電流型控制器件是指-------------- 半導體三極體是一個電流型控制器件是指---

場效應管是一個電壓型控制器件，半導體三極體才是一個電流型控制器件。
詳情參考中國電子DIY之家有關資料

Ⅷ 三極體、場效應管分別是什麼控制元件

三極體是電流控制型元件，場效應管是電壓控制型元件。相對而言，場效應管的輸入電流小得多，所以是低功耗元器件。

晶體三極體（以下簡稱三極體）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極體。

其中，N是負極的意思（代表英文中Negative），N型半導體在高純度硅中加入磷取代一些硅原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而P是正極的意思（Positive）是加入硼取代硅，產生大量空穴利於導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的。

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場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。

按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導電方式：耗盡型與增強型，結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。

場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管，而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。

在製造管子時，通過工藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的N區接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

場效應管的工作方式有兩種：當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型；當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之後才有漏極電流的稱為增強型。

Ⅸ 場效應管和晶體三極體分別屬於什麼控制型器件

場效應管屬於電壓控制電流器件，

晶體三極體屬於電流控制電流器件。

Ⅹ 場效應管是利用什麼 效應,來控制漏極電流大小的半導體器件

這道題考得還真夠細致的，不注意很容易忘了看。
正確答案是：
（輸入迴路的電場）效應。
童詩白，模擬電子技術基礎，第四版，P39