半導體器件什麼樣

Ⅰ 什麼是半導體

半導體（ semiconctor），指常溫下導電性能介於導體（conctor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。

如二極體就是採用半導體製作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。

今日大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。

分類：

半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。

鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。

除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。

半導體的分類，按照其製造技術可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。

此外還有以應用領域、設計方法等進行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。

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發展歷史：

半導體的發現實際上可以追溯到很久以前。

1833年，英國科學家電子學之父法拉第最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同於一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現象的首次發現。

不久，1839年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生一個電壓，這就是後來人們熟知的光生伏特效應，這是被發現的半導體的第二個特徵。

1873年，英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體又一個特有的性質。

半導體的這四個效應，(jianxia霍爾效應的余績──四個伴生效應的發現)雖在1880年以前就先後被發現了，但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結出半導體的這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。

在1874年，德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關，即它的導電有方向性，在它兩端加一個正向電壓，它是導通的；如果把電壓極性反過來，它就不導電，這就是半導體的整流效應，也是半導體所特有的第三種特性。同年，舒斯特又發現了銅與氧化銅的整流效應。

很多人會疑問，為什麼半導體被認可需要這么多年呢？主要原因是當時的材料不純。沒有好的材料，很多與材料相關的問題就難以說清楚。

參考資料：

網路-半導體

Ⅱ 什麼是半導體功率器件

功率半導體器件，嘿嘿，本人的本行。功率半導體器件，以前也被稱為電力電子器件，簡單來說，就是進行功率處理的，具有處理高電壓，大電流能力的半導體器件。給個數量吧，電壓處理范圍從幾十V~幾千V，電流能力最高可達幾千A。典型的功率處理，包括變頻、變壓、變流、功率管理等等。
早期的功率半導體器件：大功率二極體、晶閘管等等，主要用於工業和電力系統（正因如此，早期才被稱為電力電子器件）
後來，隨著以功率MOSFET器件為代表的新型功率半導體器件的迅速發展，現在功率半導體器件已經非常廣泛啦， 在計算機、通行、消費電子、汽車電子 為代表的4C行業（computer、communication、consumer electronics、cartronics），功率半導體器件可以說是越來越火，現在不是要節能環保嗎，低碳生活，那就需要對能量的處理進行合理的管理，power是啥？通俗的理解不就是功率P=IV 嗎，所以就需要對電壓電流的運用進行有效的控制，這就與功率器件密不可分！ 功率管理集成電路（Power Management IC，也被稱為電源管理IC）已經成為功率半導體器件的熱點，發展非常迅速噢！

功率半導體器件，在大多數情況下，是被作為開關使用（switch），開關，簡單的說，就是用來控制電流的 通過 和 截斷。 那麼，一個理想的開關，應該具有兩個基本的特性：
1，電流通過的時候，這個理想開關兩端的電壓降是零
2，電流截斷的時候，這個理想開關兩端可以承受的電壓可以是任意大小，也就是0~無窮大
因此，功率半導體器件的研究和發展，就是圍繞著這個目標不斷前進的。現在的功率半導體器件，已經具有很好的性能了，在要求的電壓電流處理范圍內，可以接近一個比較理想的開關。

好了，扯了這么多，舉幾個功率半導體器件的例子吧，剛才已經說了，功率二極體，晶閘管，還有功率BJT（就是功率雙極型晶體管）這些都是第一代產品了，比較老的了，第二代是以功率MOSFET為代表的新型功率半導體器件，如VDMOS、LDMOS，以及IGBT。
VDMOS 即（vertical double-diffusion MOSFET）是縱向器件，多用於分立器件；LDMOS 即（Lateral double-diffusion MOSFET），是橫向器件，其三個電極均在矽片表面，易於集成，多用於功率集成電路領域。 IGBT 即 （Insulated Gate Bipolar Transistor 絕緣柵雙極型晶體管），可以看作是功率MOS和功率BJT的混合型新器件。 IGBT目前非常火啊，國內才剛剛起步，大量需要IGBT的高技術人才，這個有錢途的。
扯了好多啊，先就這么多吧，要細說的話，可以說一天。希望我的回答對你有幫助，一字一句都是原創，望採納

Ⅲ 半導體是一種什麼樣的才料作用是什麼有什麼優缺點

導電能力介於導體與絕緣體之間的物質稱為半導體。半導體材料是一類具有半導體性能、可用來製作半導體器件和集成電的電子材料，其電導率在10（U-3）～10（U-9）歐姆/厘米范圍內。半導體材料的電學性質對光、熱、電、磁等外界因素的變化十分敏感，在半導體材料中摻入少量雜質可以控制這類材料的電導率。正是利用半導體材料的這些性質，才製造出功能多樣的半導體器件。 半導體材料是半導體工業的基礎，它的發展對半導體技術的發展有極大的影響。半導體材料按化學成分和內部結構，大致可分為以下幾類。1.元素半導體有鍺、硅、硒、硼、碲、銻等。50年代，鍺在半導體中佔主導地位，但 鍺半導體器件的耐高溫和抗輻射性能較差，到60年代後期逐漸被硅材料取代。用硅製造的半導體器件，耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜製作大功率器件。因此，硅已成為應用最多的一種增導體材料，目前的集成電路大多數是用硅材料製造的。2.化合物半導體由兩種或兩種以上的元素化合而成的半導體材料。它的種類很多，重要的有砷化鎵、磷化錮、銻化錮、碳化硅、硫化鎘及鎵砷硅等。其中砷化鎵是製造微波器件和集成電的重要材料。碳化硅由於其抗輻射能力強、耐高溫和化學穩定性好，在航天技術領域有著廣泛的應用。3.無定形半導體材料 用作半導體的玻璃是一種非晶體無定形半導體材料，分為氧化物玻璃和非氧化物玻璃兩種。這類材料具有良好的開關和記憶特性和很強的抗輻射能力，主要用來製造閾值開關、記憶開關和固體顯示器件。4.有機增導體材料已知的有機半導體材料有幾十種，包括萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，目前尚未得到應用 。

Ⅳ 半導體器件是什麼器件

半導體器件是（有源）器件。半導體器件從電學特徵分為（雙極型器件）和（場效應器件），從器件形式分為（分立器件）和（集成器件——集成電路）。

該問題提得不很恰當，含義不太明確。僅供參考。

Ⅳ 半導體器件和半導體材料的區別請舉例

半導體器件是用半導體材料製成的。
如單晶硅屬於半導體材料
硅晶片屬於半導體器件。

Ⅵ 電力半導體器件與普通半導體器件有什麼不一樣

電力半導復體器件屬於電力電子器件，制它所承受的電壓電流都比一般的半導體器件大的多，電力電子器件說白了就是普通半導體器件的放大版本，不同之處在於電力電子器件是用於處理能量輸送能量的。而普通半導體器件用於處理弱電信號。

純手打，望採納

Ⅶ 半導體及電子元器件有什麼區別，怎麼區分

我們平復時說的半導制體，其實是指半導體元器件（或集成電路），也就是由半導體材料製造的電子元器件（或集成電路），目前，常用的半導體材料包括三種：硅、鍺、砷化鎵。

所以，你問「半導體及電子元器件有什麼區別」，是錯誤的說法，但是，我們可以說：半導體元器件或半導體集成電路是電子元器件的一個分類……

Ⅷ 什麼是半導體功率器件

電力電子器件又稱為功率半導體器件，主要用於電力設備的電能變換和控制電路方面大功率版的電權子器件。

功率半導體器件通常指電流為數十至數千安，電壓為數百伏以上。

功率器件幾乎用於所有的電子製造業,包括計算機領域的筆記本、PC、伺服器、顯示器以及各種外設;網路通信領域的手機、電話以及其它各種終端和局端設備。

(8)半導體器件什麼樣擴展閱讀

電力電子器件正沿著大功率化、高頻化、集成化的方向發展。

80年代初期出現的 MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。集成電路的技術促進了器件的小型化和功能化。這些新成就為發展高頻電力電子技術提供了條件，推動電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發展。

80年代發展起來的靜電感應晶閘管、隔離柵晶體管，以及各種組合器件，綜合了晶閘管、 MOS功率場效應晶體管和功率晶體管各自的優點，在性能上又有新的發展。