3709是什麼類型半導體器件

㈠ 半導體器件有哪些分類

現在被稱作半導體器件的種類如下所示。按照其製造技術可分為分立器件半導體、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、存儲器等大類，一般來說這些還會被再分成小類。此外，IC除了在製造技術上的分類以外，還有以應用領域、設計方法等進行分類，最近雖然不常用，但還有按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。
半導體器件的種類：
一、分立器件
1、 二極體
A、一般整流用
B、高速整流用：
①FRD（Aast Recovery Diode:高速恢復二極體）
②HED（Figh Efficiency Diode:高速高效整流二極體）
③SBD（Schottky Barrier Diode:肖特基勢壘二極體）
C、定壓二極體（齊納二極體）
D、高頻二極體
①變容二極體
②PIN二極體
③穿透二極體
④崩潰二極體/甘恩二極體/驟斷變容二極體
2、 晶體管
①雙極晶體管
②FET（Fidld Effect Transistor:場效應管）
Ⅰ、接合型FET
Ⅱ、MOSFET
③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絕緣柵雙極晶體管)
3、 晶閘管
①SCR(Sillicon Controllde Rectifier:硅控整流器)/三端雙向可控硅
②GTO（Gate Turn off Thyristor:柵極光閉晶閘管）
③LTT（Light Triggered Thyristor:光觸發晶閘管）

二、光電半導體
1、LED（Light Emitting Diode:發光二極體）
2、激光半導體
3、受光器件
①光電二極體（Photo Diode）/太陽能電池（Sola Cell）
②光電晶體管（Photo Transistor）
③CCD圖像感測器（Charge Coupled Device:電荷耦合器）
④CMOS圖像感測器（complementary Metal Oxide Semiconctor:互補型金屬氧化膜半導體）
4、光耦(photo Relay)
①光繼電器（photo Relay)
②光斷路器（photo Interrupter）
5、光通訊用器件

三、邏輯IC
1、通用邏輯IC
2、微處理器（Micro Processor）
①CISC(Complex Instruction Set Computer:復雜命令集計算機)
②RISC(Reced instruction SET Computer:縮小命令集計算機)
3、DSP(Digital Signal processor:數字信號處理器件)
4、AASIC（Application Specific integrated Circuit:特殊用途IC）
①柵陳列（Gate-Array Device）
②SC(Standard Cell:標准器件)
③FPLD(Field programmable Logic Device:現場可編程化邏輯裝置)
5、MPR（Microcomputer peripheral:微型計算機外圍LSI）
6、系統LSI（System LSI）

四、模擬IC（以及模擬數字混成IC）
1、電源用IC
2、運算放大器（OP具Amp）
3、AD、DA轉換器（AD DA Converter）
4、顯示器用驅動器IC(Display Driver IC)

五、存儲器
1、DRAM(Dynamic Random Access Memory:動態隨機存取存儲器)
2、SRAM(Static Random Access Memory:靜態隨機存取儲器)
3、快閃式存儲器(Flash Memory)
4、掩模ROM(mask Memory)
5、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory:強介電質存儲器)
6、MRAM(Magnetic Random Access Memory:磁性體存儲器)

㈡ 半導體元件有哪些類型及特點

半導體器件（semiconctor device）通常，這些半導體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振盪回器、發光器、放大器、測光答器等器材。
為了與集成電路相區別，有時也稱為分立器件。
絕大部分二端器件（即晶體二極體）的基本結構是一個PN結。利用不同的半導體材料、採用不同的工藝和幾何結構，已研製出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極，可用來產生、控制、接收、變換、放大信號和進行能量轉換。晶體二極體的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。
三端器件一 般是有源器件，典型代表是各種晶體管（又稱晶體三極體）。
順便說一下半導體行業的企業，如Macom科技公司。
MACOM是半導體行業的支柱型企業，有著60多年的發展歷程。是一家高性能模擬射頻、微波和光學半導體產品領域的領先供應商，在射頻、微波、光電領域均享有很高知名度。

㈢ 什麼是半導體元器件

半導體元器件（semiconctor device）通常，這些半導體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振盪器、發光器、放大器、測光器等器材。為了與集成電路相區別，有時也稱為分立器件。絕大部分二端器件（即晶體二極體）的基本結構是一個PN結。利用不同的半導體材料、採用不同的工藝和幾何結構，已研製出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極，可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。晶體二極體的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。三端器件一 般是有源器件，典型代表是各種晶體管（又稱晶體三極體）。晶體管又可以分為雙極型晶體管和場效應晶體管兩 類。根據用途的不同，晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低雜訊晶體管。除了作為放大、振盪、開關用的 一般晶體管外，還有一些特殊用途的晶體管，如光晶體管、磁敏晶體管，場效應感測器等。這些器件既能把一些 環境因素的信息轉換為電信號，又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號。此外，還有一些特殊器件，如單結晶體管可用於產生鋸齒波，可控硅可用於各種大電流的控制電路，電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存 儲器件等。在通信和雷達等軍事裝備中，主要靠高靈敏度、低雜訊的半導體接收器件接收微弱信號。隨著微波 通信技術的迅速發展，微波半導件低雜訊器件發展很快，工作頻率不斷提高，而雜訊系數不斷下降。微波半導體 器件由於性能優異、體積小、重量輕和功耗低等特性，在防空反導、電子戰、C（U3）I等系統中已得到廣泛的應用 。

㈣ 半導體器件具有

答：一、半導體器件有晶體二極體、雙極型晶體管和場效應晶體管。

1、晶體二極體回答

晶體二極體的基本結構是由一塊 P型半導體和一塊N型半導體結合在一起形成一個 PN結。

2、雙極型晶體管

它是由兩個PN結構成，其中一個PN結稱為發射結，另一個稱為集電結。

3、場效應晶體管

它依靠一塊薄層半導體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應），使具有放大信號的功能。

二、半導體器件用途

半導體器件可用作在整流器、振盪器、發光器、放大器上。

㈤ a1633c4278是什麼類型晶體管

a1633,c4278都是來功放對管。

晶體自管：
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基於輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關速度可以非常快，實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
嚴格意義上講，晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，包括各種半導體材料製成的二極體、三極體、場效應管、可控硅等。晶體管有時多指晶體三極體。
晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。
晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發射極（Emitter）、基極(Base) 和集電極（Collector）;場效應晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。
晶體管因為有三種極性，所以也有三種的使用方式，分別是發射極接地（又稱共射放大、CE組態）、基極接地（又稱共基放大、CB組態）和集電極接地（又稱共集放大、CC組態、發射極隨耦器）。

㈥ 單極型半導體器件是什麼管

單極型晶體管屬於電壓控制型半導體器件，即場效應晶體管。

特點:具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪回聲答小、功耗低、動態范圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點,現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者.

㈦ IRF3709是什麼類型半導體器件

這個型號的類型半導體器件有很多。

㈧ 半導體的類型

硅
結晶型的硅是暗黑藍色的，很脆，是典型的半導體。化學性質非常穩定。在常溫下，除氟化氫以外，很難與其他物質發生反應。

硅的用途：

①高純的單晶硅是重要的半導體材料。在單晶硅中摻入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半導體；摻入微量的第VA族元素，形成n型和p型半導體結合在一起，就可做成太陽能電池，將輻射能轉變為電能。在開發能源方面是一種很有前途的材料。

②金屬陶瓷、宇宙航行的重要材料。將陶瓷和金屬混合燒結，製成金屬陶瓷復合材料，它耐高溫，富韌性，可以切割，既繼承了金屬和陶瓷的各自的優點，又彌補了兩者的先天缺陷。 可應用於軍事武器的製造第一架太空梭「哥倫比亞號」能抵擋住高速穿行稠密大氣時磨擦產生的高溫，全靠它那三萬一千塊硅瓦拼砌成的外殼。

③光導纖維通信，最新的現代通信手段。用純二氧化硅拉制出高透明度的玻璃纖維，激光在玻璃纖維的通路里，無數次的全反射向前傳輸，代替了笨重的電纜。光纖通信容量高，一根頭發絲那麼細的玻璃纖維，可以同時傳輸256路電話，它還不受電、磁干擾，不怕竊聽，具有高度的保密性。光纖通信將會使 21世紀人類的生活發生革命性巨變。

④性能優異的硅有機化合物。例如有機硅塑料是極好的防水塗布材料。在地下鐵道四壁噴塗有機硅，可以一勞永逸地解決滲水問題。在古文物、雕塑的外表，塗一層薄薄的有機硅塑料，可以防止青苔滋生，抵擋風吹雨淋和風化。天安門廣場上的人民英雄紀念碑，便是經過有機硅塑料處理表面的，因此永遠潔白、清新。

發現

1822年，瑞典化學家白則里用金屬鉀還原四氟化硅，得到了單質硅。

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名稱由來

源自英文silica，意為「硅石」。

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分布

硅主要以化合物的形式,作為僅次於氧的最豐富的元素存在於地殼中，約佔地表岩石的四分之一，廣泛存在於硅酸鹽和硅石中。

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制備

工業上，通常是在電爐中由碳還原二氧化硅而製得。

化學反應方程式：

SiO2 + 2C → Si + 2CO

這樣製得的硅純度為97~98%，叫做金屬硅。再將它融化後重結晶，用酸除去雜質，得到純度為99.7~99.8%的金屬硅。如要將它做成半導體用硅，還要將其轉化成易於提純的液體或氣體形式，再經蒸餾、分解過程得到多晶硅。如需得到高純度的硅，則需要進行進一步的提純處理。

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同位素

已發現的硅的同位素共有12種，包括硅25至硅36，其中只有硅28，硅29，硅30是穩定的，其他同位素都帶有放射性。

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用途

硅是一種半導體材料，可用於製作半導體器件和集成電路。還可以合金的形式使用(如硅鐵合金)，用於汽車和機械配件。也與陶瓷材料一起用於金屬陶瓷中。還可用於製造玻璃、混凝土、磚、耐火材料、硅氧烷、硅烷。

硅的特性 鋁 - 硅 - 磷

碳

硅

鍺

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元素周期表

總體特性

名稱, 符號, 序號 硅、Si、14

系列 類金屬

族, 周期, 元素分區 14族(IVA), 3, p

密度、硬度 2330 kg/m3、6.5

顏色和外表 深灰色、帶藍色調

地殼含量 25.7%

原子屬性

原子量 28.0855 原子量單位

原子半徑（計算值） 110（111）pm

共價半徑 111 pm

范德華半徑 210 pm

價電子排布 [氖]3s23p2

電子在每能級的排布 2，8，4

氧化價（氧化物） 4（兩性的）

晶體結構 面心立方

物理屬性

物質狀態 固態

熔點 1687 K（1414 °C）

沸點 3173 K（2900 °C）

摩爾體積 12.06×10-6m3/mol

汽化熱 384.22 kJ/mol

熔化熱 50.55 kJ/mol

蒸氣壓 4.77 帕（1683K）

聲速 無數據

其他性質

電負性 1.90（鮑林標度）

比熱 700 J/(kg·K)

電導率 2.52×10-4 /(米歐姆)

熱導率 148 W/(m·K)

第一電離能 786.5 kJ/mol

第二電離能 1577.1 kJ/mol

第三電離能 3231.6 kJ/mol

第四電離能 4355.5 kJ/mol

第五電離能 16091 kJ/mol

第六電離能 19805 kJ/mol

第七電離能 23780 kJ/mol

第八電離能 29287 kJ/mol

第九電離能 33878 kJ/mol

第十電離能 38726 kJ/mol

最穩定的同位素

同位素 豐度 半衰期 衰變模式 衰變能量

MeV 衰變產物

28Si 92.23 % 穩定

29Si 4.67 % 穩定

30Si 3.1 % 穩定

32Si 人造 276年 β衰變 0.224 32P

核磁公振特性

29Si

核自旋 1/2

元素名稱：硅

元素原子量：28.09

元素類型：非金屬

發現人：貝采利烏斯 發現年代：1823年

發現過程：

1823年，瑞典的貝采利烏斯，用氟化硅或氟硅酸鉀與鉀共熱，得到粉狀硅。

元素描述：

由無定型和晶體兩種同素異形體。具有明顯的金屬光澤，呈灰色，密度2.32-2.34克/厘米3，熔點1410℃，沸點2355℃，具有金剛石的晶體結構，電離能8.151電子伏特。加熱下能同單質的鹵素、氮、碳等非金屬作用，也能同某些金屬如Mg、Ca、Fe、Pt等作用。生成硅化物。不溶於一般無機酸中，可溶於鹼溶液中，並有氫氣放出，形成相應的鹼金屬硅酸鹽溶液，於赤熱溫度下，與水蒸氣能發生作用。硅在自然界分布很廣，在地殼中的原子百分含量為16.7%。是組成岩石礦物的一個基本元素，以石英砂和硅酸鹽出現。

元素來源：

用鎂還原二氧化硅可得無定形硅。用碳在電爐中還原二氧化硅可得晶體硅。電子工業中用的高純硅則是用氫氣還原三氯氫硅或四氯化硅而製得。

元素用途：

用於製造高硅鑄鐵、硅鋼等合金，有機硅化合物和四氯化硅等，是一種重要的半導體材料，摻有微量雜質得硅單晶可用來製造大功率的晶體管，整流器和太陽能電池等。

元素輔助資料：

硅在地殼中的含量是除氧外最多的元素。如果說碳是組成一切有機生命的基礎，那麼硅對於地殼來說，佔有同樣的位置，因為地殼的主要部分都是由含硅的岩石層構成的。這些岩石幾乎全部是由硅石和各種硅酸鹽組成。

長石、雲母、黏土、橄欖石、角閃石等等都是硅酸鹽類；水晶、瑪瑙、碧石、蛋白石、石英、砂子以及燧石等等都是硅石。但是，硅與氧、碳不同，在自然界中沒有單質狀態存在。這就註定它的發現比碳和氧晚。

拉瓦錫曾把硅土當成不可分割的物質——元素。

1823年，貝齊里烏斯將氟硅酸鉀（K2SiF6）與過量金屬鉀共熱製得無定形硅。盡管之前也有不少科學家也製得過無定形硅，但直到貝齊里烏斯將製得的硅在氧氣中燃燒，生成二氧化硅——硅土，硅才被確定為一種元素。硅被命名為silicium，元素符號是Si。

【gui】

硅

silicon；

硅

guī

〈名〉

一種四價的非金屬元素,以化合物的形式,作為僅次於氧的最豐富的元素存在於地殼中,通常是在電爐中由碳還原二氧化硅而製得的,主要以合金的形式使用(如硅鐵合金),也與陶瓷材料一起用於金屬陶瓷中,或用作半導體材料(如在晶體管中)和光生電池的元件 [silicon]――元素符號Si

一種非金屬元素，是一種半導體材料，可用於製作半導體器件和集成電路。舊稱「矽」。

元素符號Si，舊稱矽，原子序數14，相對原子質量28.09，有無定形和晶體兩種同素異形體。
晶體硅為鋼灰色，無定形硅為黑色，密度2.4g／cm3，熔點1420℃，沸點2355℃，晶體硅屬於原子晶體，硬而有光澤，有半導體性質。硅的化學性質比較活潑，在高溫下能與氧氣等多種元素化合，不溶於水、硝酸和鹽酸，溶於氫氟酸和鹼液，用於造制合金如硅鐵、硅鋼等，單晶硅是一種重要的半導體材料，用於製造大功率晶體管、整流器、太陽能電池等。硅在自然界分布極廣，地殼中約含27.6％，主要以二氧化硅和硅酸鹽的形式存在。

硅，原子序數14，原子量28.0855，元素名來源於拉丁文，原意是「燧石」。1823年瑞典化學家貝采利烏斯首先分離和描述硅元素。硅約佔地殼總重量的27.72%，僅次於氧。自然界中的硅都以含氧化合物的形式存在。常見的有石英、水晶、沙子等。

硅有晶態和無定形兩種形式。晶態硅具有金剛石晶格，硬而脆，熔點1410°C，沸點2355°C，密度2.32～2.34克/厘米³,硬度為7。無定形硅是一種灰黑色粉末，實際是微晶體。晶態硅的電導率不及金屬，且隨溫度升高而增加，具有明顯的半導體性質。

硅在常溫下不活潑，與空氣、水和酸等沒有明顯作用；在加熱下，能與鹵素反應生成四鹵化硅；650°C，時硅開始與氧完全反應；硅單質在高溫下還能與碳、氮、硫等非金屬單質反應；硅可間接生成一系列硅的氫化物；硅還能與鈣、鎂、鐵等化合，生成金屬硅化物。

超純的單晶硅可作半導體材料。粗的單晶硅及其金屬互化物組成的合金，常被用來增強鋁、鎂、銅等金屬的強度。
參考資料：http://ke..com/view/4748.htm