半導體平帶電位怎麼算價帶

㈠ 化合物半導體怎麼知道它的導帶價帶位置及是n型還是p型

看產平是什麼元素,n型還是p型它們的元素不同,你可以查閱電子線路,電子技術方面的書籍,一般在書前面講半導體的地方會講,可惜我忘記了,否則就直接告訴你了
望採納!

㈡ 請問半導體材料裡面導帶和價帶的數值在什麼范圍內才是有物理意義的

(1)什麼叫半導體？導電性能介於導體與絕緣體之間的材料，叫做半導體．例如：鍺、硅、砷化回鎵等．半導體在科答學技術，工農業生產和生活中有著廣泛的應用．（例如：電視、半導體收音機、電子計算機等）這是什麼原因呢？下面介紹它所具有的特殊的電學性能．(2)半導體的一些電學特性①壓敏性：有的半導體在受到壓力後電阻發生較大的變化．用途：製成壓敏元件，接入電路，測出電流變化，以確定壓力的變化．②熱敏性：有的半導體在受熱後電阻隨溫度升高而迅速減小．用途：製成熱敏電阻，用來測量很小范圍內的溫度變化．

㈢ 怎麼看電子態密度的上價帶和下價帶

怎麼看電子來態密度的上自價帶和下價帶
導帶：由自由電子形成的能量空間.
在絕對零度溫度下,半導體的價帶(valence band)是滿帶(見能帶理論),受到光電注入或熱激發後,價帶中的部分電子會越過禁帶(forbidden band/band gap)進入能量較高的空帶,空帶中存在電子後成為導帶
價帶：半導體或絕緣體中,在0K時能被電子占滿的最高能帶.對半導體而言,此能帶中的能級基本上是連續的.全充滿的能帶中的電子不能在固體中自由運動.但若該電子受到光照,它可吸收足夠能量而跳入下一個容許的最高能區,從而使價帶變成部分充填,此時價帶中留下的電子可在固體中自由運動.價帶中電子的自由運動對於與晶體管有關的現象是很重要的.
被價電子占據的允帶（低溫下通常被價電子占滿）.

㈣ 如何測量半導體納米材料的價帶與導帶

測量禁帶寬度
方法 1：利用紫外可見漫反射測量中的吸光度與波長數據作圖，利用截線法做出吸收波長閾值 λg(nm)，利用公式 Eg=1240/λg (eV) 計算禁帶寬度。
方法 2：利用 (Ahν)2 對 hν 做圖，利用直線部分外推至橫坐標交點，即為禁帶寬度值。也可利用(Ahν)0.5對 hν 做圖，利用直線部分外推至橫坐標交點，即為禁帶寬度值。前者為間接半導體禁帶寬度值，後者為直接半導體禁帶寬度值。 A (Absorbance) 即為紫外可見漫反射中的吸光度。
方法 3：利用 (αhν)2 對 hν 做圖，利用直線部分外推至橫坐標交點，即為禁帶寬度值。也可利用(αhν)0.5對 hν 做圖，利用直線部分外推至橫坐標交點，即為禁帶寬度值。前者為間接半導體禁帶寬度值，後者為直接半導體禁帶寬度值。 α (Absorption Coefficient ) 即為紫外可見漫反射中的吸收系數。α 與 A 成正比。

一般有兩種方法：
1、紫外-可見光譜測量材料的吸收邊和帶隙；
網路資料有很多。
2、電化學方法（循環伏安法）測定帶隙、HOMO/LUMO能級；
Ref：Adv. Mater. 2011, 23, 2367–2371

http://www.big-bit.com/news/

㈤ 半導體中的價電子佔有的能帶是價帶還是導帶

又是你啊．
應該是價帶吧,由於原子在緊密結合的時候,分裂的能級由專於軌道重疊,形成能帶.而價屬電子是半導體原子與周圍原子形成公價鍵時出現的.一般說,半導體導帶是空的,不象金屬是半滿的.費米能級在禁帶中,導帶中電子出現的概率極低.
應該這樣吧.
你是學電子的嗎?

㈥ 導帶的導帶與價帶的關系

對於未摻雜的本徵半導體，導帶中的電子是由它下面的一個能帶（即價帶）中的電子（價內電子）躍遷上來容而形成的，這種產生電子（同時也產生空穴——半導體的另外一種載流子）的過程，稱為本徵激發。在本徵激發過程中，電子和空穴是成對產生的，則總是有「電子濃度=空穴濃度」。這實際上就是本徵半導體的特徵，因此可以說，凡是兩種載流子濃度相等的半導體，就是本徵半導體。這就意味著，不僅未摻雜的半導體是本徵半導體，就是摻雜的半導體，在一定條件下（例如高溫下）也可以轉變為本徵半導體。
價帶的能量低於導帶，它也是由許多准連續的能級組成的。但是價帶中的許多電子（價電子）並不能導電，而少量的價電子空位——空穴才能導電，故稱空穴是載流子。空穴的最低能量——勢能，也就是價帶頂，通常空穴就處於價帶頂附近。
價帶頂與導帶底之間的能量差，就是所謂半導體的禁帶寬度。這就是產生本徵激發所需要的最小平均能量。這是半導體最重要的一個特徵參量。
對於摻雜半導體，電子和空穴大多數是由雜質來提供的。能夠提供電子的雜質稱為施主；能夠提供空穴的雜質稱為受主。施主的能級處在靠近導帶底的禁帶中；受主的能級處在靠近價帶頂的禁帶中。

㈦ 急求一些化合物半導體的導帶和價帶能級，比如ZnSe，CdSe，ZnS之類的

有一半書名好像是「新型半導體材料數據手冊」，翻譯的書籍，可以去找一找看。

㈧ 平帶電壓的平帶電壓的測定

對於體相的半導體材料而言，我們可以通過Mott-Schottly公式推算，進行簡化戳通過作圖大體上計算出其版平帶權電位，但是對於納米級別的半導體材料則主要是通過儀器的直接測定。
電化學方法：在三電極體系下，使用入射光激發半導體電極，並改變電極上的電勢。當施加的電位比平帶電位偏負的時候，光生電子不能夠進入外電路，也就是說不會產生光電流。相反，當施加的電位比平帶電位偏正的時候，光生電子則能偶進入外電路，進而產生光電流。所以開始產生光電流的電勢即為該納米半導體的平帶電位。
光譜電化學方法：該方法同樣是在三電極體系下，對半導體納米晶施加不同的電位，測量其在固定波長下吸光度的變化。基本的原理與電化學方法大體相同。當電極電位比平帶電位正時，吸光度不發生變化；偏負時則急劇上升。因為，吸光度開始急劇上升的電位即為納米半導體的平帶電位。

㈨ 如何計算禁帶寬度，價帶和導帶

1.這個圖正確的應該是（ahv）^2~hv的曲線圖，其中a為吸收系數，a=-1/d*lnT,d為厚度（一般測禁帶寬度時，內使用的是容薄膜樣品，所以d即為膜厚）；2.圖中的直線並不是直接通過測試的數據得到的，而是先畫出（ahv）^2~hv的曲線圖後，採用外推法，在曲線的拐點處做切線，外推至x軸，即f（（ahv）^2）=0時，該直線與x軸交點處的值，即為該樣品的禁帶寬度。這就是你圖中所對應的3點幾eV;3.hv是光子能量，不是禁帶寬度，在這個圖中，只表示的是曲線部分的橫坐標，與直線無關O(∩_∩)O~。4.大概就這些

㈩ 求一些化合物半導體的能帶參數：CuS,CdS的價帶導帶具體多少電子伏特，可以發能帶圖。

這種半導體都是一種空間結果，化學式是最簡單的縮寫，不能反應該物質的本質的，所以談不上化學價！