半導體中多子的數量與什麼有關

❶ N型半導體和P型半導體中的多子和少子分別是什麼

在N型半導體中，自由電子多，空穴少，多子是自由電子，少子是空穴版。

在P型半導體中，空權穴多，自由電子少，多子是空穴，少子是自由電子。

不論是N型半導體中的自由電子，還是P型半導體中的空穴，它們都參與導電，統稱為「載流子」，「載流子」導電是半導體所特有的。

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載流子所處的能量狀態

從晶體能帶的角度來看，半導體的能量最高的幾個能帶分別是導帶和價帶，導帶與價帶之間隔著一個禁帶。禁帶中不具有公有化運動的狀態——能級，但可存在雜質、缺陷等束縛能級。

自由電子就處於導帶中，一般是在導帶底附近（導帶底就相當於電子的勢能）；自由空穴就處於價帶中，一般是在價帶頂附近（價帶頂就相當於空穴的勢能）。價帶中有大量的價電子，由於這些價電子是被價鍵束縛住的，不能自由運動，所以不把它們看成為載流子。

空穴就是由價帶中的價電子躍遷到了導帶之後所形成的（即留下的價鍵空位）；這種躍遷就稱為本徵激發，其特點是電子與空穴成對地產生。

❷ 在摻雜半導體中,多子的濃度主要取決於

D A

❸ N型半導體和P型半導體中的多子和少子分別是什麼 分別依靠哪種載流子導電

N型半導體的多子是電子,少子是空穴
P型半導體的多子是空穴,少子是電子

❹ 為什麼N型半導體中電子為多子

沒有正離子這個說法。。電子脫落出來那個位置叫空穴，，因為，，在n型半導體回中是由電子導電答的，，所以電子是多子。。。
自由電子的形成：在常溫下，少數的價電子由於熱運動獲得足夠的能量，掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子。
空穴：價電子掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子而留下一個空位置稱空穴。
這是物理，，不是化學反應，是材料本身的一種性質，，

❺ pn結中的多子還有少子分別指的是什麼

PN結的耗盡區中電子和空穴濃度梯度下降或上升，不存在嚴格意義上的多子和少子。一般多子和少子只定義在耗盡區之外的N區或P區中。

❻ 問個半導體多子少子的問題

多子主要是靠半導體本身特性決定，即主要靠參雜濃度決定。溫度升高雖然會使多回子掙脫原子束縛，但多子數答量已經很多了，這一點脫離對多子數目影響不大
少子顧名思義，在半導體中不佔主導地位，那麼參雜濃度對其影響就不大了，而溫度的上升卻可以使更多的少子脫離原子的束縛，因而少子數量主要由溫度決定

❼ 關於pn結中多子少子

多子和抄少子都是指載流子。襲在P型半導體材料中，空穴多，自由電子少，空穴是多子自由電子是少子；在N型半導體中正好相反，自由電子是多子，空穴是少子。

也有說成「多數子、少數子」的，還有叫做「多數載流子、少數載流子」的，含義一樣。

❽ 在雜質半導體中，多數截流子的濃度主要取決於

在雜質半導體中，多數截流子的濃度主要取決於摻入的施主濃度或者受主濃度內；在全電離時，多數截流子濃容度≈摻雜濃度，並且基本上與溫度無關。
而少數截流子的濃度則與（溫度）有很大關系（因為是本徵激發的關系）。

詳見「http://blog.163.com/xmx028@126/」中的有關說明。

❾ 在雜質半導體中,多數截流子的濃度主要取決於 而少數截流子的濃度則與（ ）有很大關系

在雜質半導體中,多數截流子的濃度主要取決於摻入的施主濃度或者受主濃度；在全內電離時,多數截流子濃度≈容摻雜濃度,並且基本上與溫度無關.
而少數截流子的濃度則與（溫度）有很大關系（因為是本徵激發的關系）.

❿ 簡述N型半導體與P型半導體的形成過程並指出多子與少子各是什麼

在半來導體材料硅或鍺晶體中摻入源三價元素雜質可構成缺殼粒的P型半導體，摻入五價元素雜質可構成多餘殼粒的N形半導體。 （ 兩種半導體接觸在一起的點或面構成PN結，在接觸點或面上N型半導體多餘殼粒趨向P型半導體，並形成阻擋層或接觸電位差。當P型接正極，N型接負極，N型半導體多餘殼粒和PN結上殼粒易往正移動，且阻擋層變薄接觸電位差變小，即電阻變小，可形成較大電流；反之當P型接負極，N型接正極，因為P半導體缺殼粒，熱運動也難分離出殼粒往正極運動，且阻擋層變厚接觸電位差變大，電阻變大，形成較小電流，即具有單向通過電流屬性。 ）

多子與少子是相對概念。
如：在N型半導體中自由電子是多數載流子，簡稱為「多子」；空穴為小數載流子，稱為「少子」。而在P型中則相反。
----考試的話，答概念就可以了，具體的作用過程你就不用記了。