半導體物理能帶怎麼形成的
⑴ 半導體物理中的能帶圖怎麼畫
能帶圖就是晶體電子能量與波矢的關系曲線。對於半導體,可簡單地畫出價帶和導回帶的能量高低,這時橫坐答標沒有特殊的意義。參見「http://blog.163.com/xmx028@126/」中的有關說明。
⑵ 半導體中的能帶圖是怎麼回事兒,最好是普通語言解釋,謝謝!
我們看到的能帶抄圖,有導帶底、價帶襲頂,雜質半導體中還有施主能級和受主能級。
所謂能帶圖就是用水平橫線表示各個能帶的能量極值及定義值,可以直觀的看到不同能級的能量的大小的一種表示方法。
如果你希望了解更深入的理論或者對一些定義不太了解,建議你看劉恩科版《半導體物理》。
⑶ 半導體物理中電場的存在對半導體能帶的具體影響
請再把你要問的問題說清楚."也一起隨著上升或下降了",這句話,不能理解.
你前面說的對呀,存在電場版就是有附加勢權能.重復一下你的反例?
電場能夠使空間電勢變化,沒有電場電勢不變化.電勢的絕對值是沒有意義的,所以半導體中無電場部分必然是"近鄰"半導體區域中電勢的延伸(就是和最近鄰等勢),所以由於結中電勢的變化,導致pn兩側產生電勢差.而"結"是維持兩側電勢差的原因.
所以你的理解,有電場電勢才變化,本身是對的,但你用錯了,因為這意味著無電場電勢不變化,變化指的是,都無電場的那部分區域的電勢比較,無變化.
⑷ 半導體物理中,能帶寬度與禁帶寬度的區別是什麼
1、概念不同:
能帶寬度:為價帶和導帶的寬度,即電子能量分裂的一個個密集能級組成的寬度。禁帶寬度:為導帶和價帶的間距。能帶寬度就是通電的能力,禁帶寬度就是組電的能力。
2、所含電子不同:
能帶:是用量子力學的方法研究固體內部電子運動的理論。始於20世紀初期,在量子力學確立以後發展起來的一種近似理論。
它曾經定性地闡明了晶體中電子運動的普遍特點,並進而說明了導體與絕緣體、半導體的區別所在,解釋了晶體中電子的平均自由程問題。
禁帶寬度:是指一個能帶寬度,固體中電子的能量是不可以連續取值的,而是一些不連續的能帶,要導電就要有自由電子存在,自由電子存在的能帶稱為導帶(能導電),被束縛的電子要成為自由電子,就必須獲得足夠能量從而躍遷到導帶,這個能量的最小值就是禁帶寬度。
例如:鍺的禁帶寬度為0.66ev;硅的禁帶寬度為1.12ev;砷化鎵的禁帶寬度為1.46ev。『
(4)半導體物理能帶怎麼形成的擴展閱讀:
結構
固體材料的能帶結構由多條能帶組成,能帶分為傳導帶(簡稱導帶)、價電帶(簡稱價帶)和禁帶等,導帶和價帶間的空隙稱為能隙。
能帶結構可以解釋固體中導體、半導體、絕緣體三大類區別的由來。材料的導電性是由「傳導帶」中含有的電子數量決定。當電子從「價帶」獲得能量而跳躍至「傳導帶」時,電子就可以在帶間任意移動而導電。
⑸ 半導體物理中的金屬半導體接觸,怎麼看看能帶向上彎曲還是向下
如果你抄說的是半導體襲與電解液接觸的話,那麼:能帶彎曲與 半導體/電解液結 有關
對於一個n型半導體當其費米能級等於平帶電勢時,半導體與電解液之間沒有電荷流轉,在半導體與電解液接觸界面兩側沒有多餘電荷,因此在固液界面的半導體一側不會出現能帶彎曲。如果電子從電解液流向半導體(即半導體的費米能級低於電解液中氧化還原電對電勢),此時在固液界面的半導體一側得到的是累積層,半導體靠近界面處的能帶彎曲方向朝下。如果電子從半導體流入電解液(即半導體的費米能級高於電解液中氧化還原電對電勢),此時在固液界面的半導體一側得到的是耗盡層(由不能移動的帶正電的電子施主形成),半導體靠近界面處的能帶彎曲方向朝上。如果電子過多的從半導體流入電解液以至於固液界面處的電子濃度低於半導體的本徵電子濃度,此時在固液界面的半導體一側得到的是反型層,半導體靠近界面處的能帶彎曲朝上加劇,同時半導體表面呈現p型特徵(半導體體相依舊為n型)。p型半導體與電解液接觸形成半導體/電解液結的原理與n型半導體相同,只是在p型半導體中可移動的載流子為空穴。(來自馮建勇博士論文:(氧)氮化物的制備及其光電化學水分解性能的研究)
⑹ 半導體物理的能帶是k空間定義的,但物理量卻都是由坐標空間給出的,那k空間和坐標空間的變換是怎樣的
k空間是一個虛空間,是不能和實空間進行轉換的。k空間中的能帶圖反應了實空間中載流子所處的能量狀態。拿pn結能帶圖來說,大致上可以相互對應上去,但這只能是為了方便理解,實際上是不可以的。
⑺ 請問半導體物理里的能帶的特點有哪些,謝謝
你前面說的對呀,但你用錯了.而",所以半導體中無電場部分必然是".電勢的絕對值是沒有意義的,本身是對的
⑻ 半導體物理中,能帶中的電子為什麼會存在-k狀態k狀態中的k的具體含義是k層的電子么
k是波矢量,能帶中存在電子和空穴的運動方向歸一化之後就有一個—k,所以能帶有兩只,但是因為空穴和電子的有效質量不一樣,實際上能帶圖不是對稱的。
⑼ 半導體物理中能帶論怎麼解釋請高手簡單點解釋一下。
晶體邊緣電壓差形成的勢壘
⑽ 半導體物理的能級數、能帶數的問題
N是晶體原胞的數目,每個原胞中有兩個原子,故總的原子數是2N,這正好是狀態數目。
詳見版「權http://blog.163.com/xmx028@126/」中的有關說明。