半導體裝置有哪些工藝

⑴ 什麼是半導體工藝

這個課題太大!因為涉及半導體材料的泛范圍太廣了!簡單地說:以半導體材料及衍生材料為主體的各種工藝研發和製造都稱為半導體工藝!半導體:顧名思義!就是導電率介於導體和絕緣體之間的金屬及非金屬材料!常見的硅,鍺,都屬於此類!

⑵ 半導體的基礎：何謂前道、後道工序工藝

前道主要是光刻、刻蝕機、清洗機、離子注入、化學機械平坦等。後道主要有打內線、容Bonder、FCB、BGA植球、檢查、測試等。又分為濕製程和干製程。

濕製程主要是由液體參與的流程，如清洗、電鍍等。干製程則與之相反，是沒有液體的流程。其實半導體製程大部分是干製程。由於對Low-K材料的要求不斷提高，僅僅進行單工程開發評估是不夠的。為了達到總體最優化，還需要進行綜合評估，以解決多步驟的問題。

(2)半導體裝置有哪些工藝擴展閱讀：

這部分工藝流程是為了在 Si 襯底上實現N型和P型場效應晶體管，與之相對應的是後道(back end of line，BEOL)工藝，後道實際上就是建立若干層的導電金屬線，不同層金屬線之間由柱狀金屬相連。

新的集成技術在晶圓襯底上也添加了很多新型功能材料，例如：後道(BEOL)的低介電常數(εr < 2.4)絕緣材料，它是多孔的能有效降低後道金屬線之間的電容。

⑶ 半導體器件都包括哪些

半導體器件（semiconctor device）通復常制，這些半導體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振盪器、發光器、放大器、測光器等器材。

為了與集成電路相區別，有時也稱為分立器件。

絕大部分二端器件（即晶體二極體）的基本結構是一個PN結。利用不同的半導體材料、採用不同的工藝和幾何結構，已研製出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極，可用來產生、控制、接收、變換、放大信號和進行能量轉換。晶體二極體的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。

三端器件一 般是有源器件，典型代表是各種晶體管（又稱晶體三極體）。

順便說一下半導體行業的企業，如Macom科技公司。

MACOM是半導體行業的支柱型企業，有著60多年的發展歷程。是一家高性能模擬射頻、微波和光學半導體產品領域的領先供應商，在射頻、微波、光電領域均享有很高知名度。

⑷ 半導體器件製作通常有哪些主要工藝環節

Clean. Litho. Etch. CVD. CMP. Implant. Anneal. Oxidation. Silicide. PVD. Electroplating.

⑸ 有關半導體工藝的問題

首先說明一下，半導體中所謂的工藝指得是IC在由設計文件生產成為實體的過程步驟和技術（這是我自己組織的語言，明白是什麼意思就成了），比如你所說摻雜、注入、光刻、腐蝕都是現在比較流行也是傳統的半導體生產工藝。 而擴展到集成電路上，這個「工藝」一般又多了一層「特徵尺寸」的感念，比如人們常說「我這CPU是core2o，用得是45nm的工藝」。當然現在最先進的工藝已經達到了30nm左右，甚至在實驗室中有更低的數值得以實現.

至於你說的MOS，CMOS這些東西，我個人認為不能稱之為「工藝」，而是電路組成形式。以CMOS為例，它的意思是「互補對稱型MOS」，即電路中的基本單元是一個反向器（由一個NMOS和一個PMOS構成），--整個電路都是由這種單元組成，因此它是一種電路組成形式。

工藝和電路組成形式的對應關系是：CMOS為單極型工藝（口頭上即稱為COMS工藝，所以容易產生你的那種誤解），是數字電路的代表；TTL電路形式為雙極型工藝（口頭上就是雙極型），是模擬電路的代表。而前面所說的「摻雜、注入、光刻、腐蝕」多用於單極型工藝，雙級型也類似但具體還是有些不同的。

die bond,wire bond則是封裝工藝。

如果我去回答面試的那幾個問題時，我基本上就從「特徵尺寸」和工藝流程上說一下。中國大陸現在能做的最小工藝尺寸就是45nm（如INTEL的大連廠）了，要算上台灣的話，基本能做到世界最先進的水平（TCMC和中芯國際），不過知識產權是不是自己的就不好說了。第三個問題我會反問下考官是是指的電路形式還是工藝流程，因為現在有些企業負責的人自己業務都搞得不怎樣，問問題也比較奇怪

⑹ 半導體工藝的四個重要階段是什麼

以追溯各個時代發展半導體工藝的四個重要階段分別是，1. 毫米階段
2. 微米階段
3. 次微米階段
4.納米階段

⑺ 半導體晶元製造有哪些工藝流程，會用到那些設備，這些設備的生產商有哪些

主要是對硅晶片（抄Si
wafer）的一系列處理
1、清洗
->
2、在晶片上鋪一層所需要的半導體
->
3、加上掩膜
->
4、把不要的部分腐蝕掉
->
5、清洗
重復2到5就可以得到所需要的晶元了
Cleaning
->
Deposition
->
Mask
Deposition
->
Etching
->
Cleaning
1、中的清洗過程中會用到硝酸，氫氟酸等酸，用於清洗有機物和無機物的污染
其中Deposition過程可能會用到多種器材，比如HELIOS等~
Mask
Deposition過程中需要很多器材，包括Spinner，Hot
plate，EVG等等~
根據材料不同或者需要的工藝精度不同，Etching也分很多器材，可以使用專門的液體做Wet
etch，或者用離子做Plasma
Etching等
最後一部的Cleaning一般是用Develpoer洗掉之前覆蓋的掩模~
多數器材都是Oxford
Instruments出的
具體建議你去多看看相關的英文書，這里說不清楚。。

⑻ 半導體工業的基本工藝流程有哪些

硅是地殼中賦存最高的固態元素，其含量為地殼的四分之一，但在自然界不存在單體硅，多呈氧化物或硅酸鹽狀態。硅的原子價主要為4價，其次為2價；在常溫下它的化學性質穩定，不溶於單一的強酸，易溶於鹼；在高溫下化學性質活潑，能與許多元素化合。
硅材料資源豐富，又是無毒的單質半導體材料，較易製作大直徑無位錯低微缺陷單晶。晶體力學性能優越，易於實現產業化，仍將成為半導體的主體材料。
多晶硅材料是以工業硅為原料經一系列的物理化學反應提純後達到一定純度的電子材料，是硅產品產業鏈中的一個極為重要的中間產品，是製造硅拋光片、太陽能電池及高純硅製品的主要原料，是信息產業和新能源產業最基礎的原材料。

硅 硅guī（台灣、香港稱矽xī）是一種化學元素，它的化學符號是Si，舊稱矽。原子序數14，相對原子質量28.09，有無定形和晶體兩種同素異形體，同素異形體有無定形硅和結晶硅。屬於元素周期表上IVA族的類金屬元素。
晶體結構：晶胞為面心立方晶胞。硅(矽)
原子體積:(立方厘米/摩爾)
12.1
元素在太陽中的含量:(ppm)
900
元素在海水中的含量:(ppm)
太平洋表面 0.03
地殼中含量：（ppm）
277100
氧化態：
Main Si+2, Si+4
Other
化學鍵能： (kJ /mol)
Si-H 326
Si-C 301
Si-O 486
Si-F 582
Si-Cl 391
Si-Si 226
熱導率: W/(m·K)
149
晶胞參數：
a = 543.09 pm
b = 543.09 pm
c = 543.09 pm
α = 90°
β = 90°
γ = 90°
莫氏硬度：6.5
聲音在其中的傳播速率：（m/S）
8433
電離能 (kJ/ mol)
M - M+ 786.5
M+ - M2+ 1577.1
M2+ - M3+ 3231.4
M3+ - M4+ 4355.5
M4+ - M5+ 16091
M5+ - M6+ 19784
M6+ - M7+ 23786
M7+ - M8+ 29252
M8+ - M9+ 33876
M9+ - M10+ 38732
晶體硅為鋼灰色，無定形硅為黑色，密度2.4克／立方厘米，熔點1420℃，沸點2355℃，晶體硅屬於原子晶體，硬而有光澤，有半導體性質。硅的化學性質比較活潑，在高溫下能與氧氣等多種元素化合，不溶於水、硝酸和鹽酸，溶於氫氟酸和鹼液，用於造制合金如硅鐵、硅鋼等，單晶硅是一種重要的半導體材料，用於製造大功率晶體管、整流器、太陽能電池等。硅在自然界分布極廣，地殼中約含27.6％，
結晶型的硅是暗黑藍色的，很脆，是典型的半導體。化學性質非常穩定。在常溫下，除氟化氫以外，很難與其他物質發生反應。
硅的用途：
①高純的單晶硅是重要的半導體材料。在單晶硅中摻入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半導體；摻入微量的第VA族元素，形成n型和p型半導體結合在一起，就可做成太陽能電池，將輻射能轉變為電能。在開發能源方面是一種很有前途的材料。另外廣泛應用的二極體、三極體、晶閘管和各種集成電路（包括我們計算機內的晶元和CPU)都是用硅做的原材料。
②金屬陶瓷、宇宙航行的重要材料。將陶瓷和金屬混合燒結，製成金屬陶瓷復合材料，它耐高溫，富韌性，可以切割，既繼承了金屬和陶瓷的各自的優點，又彌補了兩者的先天缺陷。 可應用於軍事武器的製造第一架太空梭「哥倫比亞號」能抵擋住高速穿行稠密大氣時摩擦產生的高溫，全靠它那三萬一千塊硅瓦拼砌成的外殼。
③光導纖維通信，最新的現代通信手段。用純二氧化硅拉制出高透明度的玻璃纖維，激光在玻璃纖維的通路里，無數次的全反射向前傳輸，代替了笨重的電纜。光纖通信容量高，一根頭發絲那麼細的玻璃纖維，可以同時傳輸256路電話，它還不受電、磁干擾，不怕竊聽，具有高度的保密性。光纖通信將會使 21世紀人類的生活發生革命性巨變。
④性能優異的硅有機化合物。例如有機硅塑料是極好的防水塗布材料。在地下鐵道四壁噴塗有機硅，可以一勞永逸地解決滲水問題。在古文物、雕塑的外表，塗一層薄薄的有機硅塑料，可以防止青苔滋生，抵擋風吹雨淋和風化。天安門廣場上的人民英雄紀念碑，便是經過有機硅塑料處理表面的，因此永遠潔白、清新。
有機硅化合物，是指含有Si-O鍵、且至少有一個有機基是直接與硅原子相連的化合物，習慣上也常把那些通過氧、硫、氮等使有機基與硅原子相連接的化合物也當作有機硅化合物。其中，以硅氧鍵（-Si-0-Si-）為骨架組成的聚硅氧烷，是有機硅化合物中為數最多，研究最深、應用最廣的一類，約占總用量的90%以上。
有機硅材料具有獨特的結構：
（1） Si原子上充足的甲基將高能量的聚硅氧烷主鏈屏蔽起來；
（2） C-H無極性，使分子間相互作用力十分微弱；
（3） Si-O鍵長較長，Si-O-Si鍵鍵角大。
（4） Si-O鍵是具有50％離子鍵特徵的共價鍵（共價鍵具有方向性，離子鍵無方向性）。
由於有機硅獨特的結構，兼備了無機材料與有機材料的性能，具有表面張力低、粘溫系數小、壓縮性高、氣體滲透性高等基本性質，並具有耐高低溫、電氣絕緣、耐氧化穩定性、耐候性、難燃、憎水、耐腐蝕、無毒無味以及生理惰性等優異特性，廣泛應用於航空航天、電子電氣、建築、運輸、化工、紡織、食品、輕工、醫療等行業，其中有機硅主要應用於密封、粘合、潤滑、塗層、表面活性、脫模、消泡、抑泡、防水、防潮、惰性填充等。隨著有機硅數量和品種的持續增長，應用領域不斷拓寬，形成化工新材料界獨樹一幟的重要產品體系，許多品種是其他化學品無法替代而又必不可少的。
有機硅材料按其形態的不同，可分為：硅烷偶聯劑（有機硅化學試劑）、硅油（硅脂、硅乳液、硅表面活性劑）、高溫硫化硅橡膠、液體硅橡膠、硅樹脂、復合物等。
發現
1822年，瑞典化學家貝采里烏斯用金屬鉀還原四氟化硅，得到了單質硅。
名稱由來
源自英文silica，意為「硅石」。
分布
硅主要以化合物的形式,作為僅次於氧的最豐富的元素存在於地殼中，約佔地表岩石的四分之一，廣泛存在於硅酸鹽和硅石中。
制備
工業上，通常是在電爐中由碳還原二氧化硅而製得。
化學反應方程式：
SiO2 + 2C → Si + 2CO
這樣製得的硅純度為97~98%，叫做金屬硅。再將它融化後重結晶，用酸除去雜質，得到純度為99.7~99.8%的金屬硅。如要將它做成半導體用硅，還要將其轉化成易於提純的液體或氣體形式，再經蒸餾、分解過程得到多晶硅。如需得到高純度的硅，則需要進行進一步的提純處理。
同位素
已發現的硅的同位素共有12種，包括硅25至硅36，其中只有硅28，硅29，硅30是穩定的，其他同位素都帶有放射性。
用途
硅是一種半導體材料，可用於製作半導體器件和集成電路。還可以合金的形式使用(如硅鐵合金)，用於汽車和機械配件。也與陶瓷材料一起用於金屬陶瓷中。還可用於製造玻璃、混凝土、磚、耐火材料、硅氧烷、硅烷。
元素周期表
總體特性
名稱 符號 序號 系列 族 周期 元素分區 密度 硬度 顏色和外表 地殼含量
硅 Si 14 類金屬 14族(IVA) 3 p 2330千克/立方米 6.5 深灰色、帶藍色調 25.7%
原子屬性
原子量 原子半徑 共價半徑 范德華半徑 價電子排布 電子在每能級的排布 氧化價（氧化物） 晶體結構
28.0855u （計算值)110（111)pm 111pm 210pm [Ne]3s23p2 2，8，4 4（兩性的） 金剛石晶格
物理屬性
物質狀態 熔點 沸點 摩爾體積 汽化熱 熔化熱 蒸氣壓 聲速
固態 1687 K（1414 °C） 3173 K（2900 °C） 12.06×10-6m3/mol 384.22 kJ/mol 50.55 kJ/mol 4.77 帕（1683K） 無數據
其他性質
電負性 比熱 電導率 熱導率 第一電離能 第二電離能 第三電離能 第四電離能
1.90（鮑林標度） 700 J/(kg·K) 2.52×10-4 /(米歐姆) 148 W/(m·K) 786.5 kJ/mol 1577.1 kJ/mol 3231.6 kJ/mol 4355.5kJ/mol
第五電離能 第六電離能 第七電離能 第八電離能 第九電離能 第十電離能
16091 kJ/mol 19805 kJ/mol 23780 kJ/mol 29287 kJ/mol 33878 kJ/mol 38726 kJ/mol
最穩定的同位素
同位素 豐度 半衰期 衰變模式 衰變能量(MeV) 衰變產物
28Si 92.23% 穩定
29Si 4.67% 穩定
30Si 3.10% 穩定
32Si 人造 276年 β衰變 0.224 32P
29Si
核自旋 1/2
元素名稱：硅
元素原子量：28.09
元素類型：非金屬
發現人：貝采利烏斯 發現年代：1823年
發現過程：
1823年，瑞典的貝采利烏斯，用氟化硅或氟硅酸鉀與鉀共熱，得到粉狀硅。
元素描述：
由無定型和晶體兩種同素異形體。具有明顯的金屬光澤，呈灰色，密度2.32-2.34克/厘米3，熔點1410℃，沸點2355℃，具有金剛石的晶體結構，電離能8.151電子伏特。加熱下能同單質的鹵素、氮、碳等非金屬作用，也能同某些金屬如Mg、Ca、Fe、Pt等作用。生成硅化物。不溶於一般無機酸中，可溶於鹼溶液中，並有氫氣放出，形成相應的鹼金屬硅酸鹽溶液，於赤熱溫度下，與水蒸氣能發生作用。硅在自然界分布很廣，在地殼中的原子百分含量為16.7%。是組成岩石礦物的一個基本元素，以石英砂和硅酸鹽出現。
元素來源：
用鎂還原二氧化硅可得無定形硅。用碳在電爐中還原二氧化硅可得晶體硅。電子工業中用的高純硅則是用氫氣還原三氯氫硅或四氯化硅而製得。
元素用途：
用於製造高硅鑄鐵、硅鋼等合金，有機硅化合物和四氯化硅等，是一種重要的半導體材料，摻有微量雜質得硅單晶可用來製造大功率的晶體管，整流器和太陽能電池等。
元素輔助資料：
硅在地殼中的含量是除氧外最多的元素。如果說碳是組成一切有機生命的基礎，那麼硅對於地殼來說，佔有同樣的位置，因為地殼的主要部分都是由含硅的岩石層構成的。這些岩石幾乎全部是由硅石和各種硅酸鹽組成。
長石、雲母、黏土、橄欖石、角閃石等等都是硅酸鹽類；水晶、瑪瑙、碧石、蛋白石、石英、砂子以及燧石等等都是硅石。但是，硅與氧、碳不同，在自然界中沒有單質狀態存在。這就註定它的發現比碳和氧晚。
拉瓦錫曾把硅土當成不可分割的物質——元素。
1823年，貝齊里烏斯將氟硅酸鉀（K2SiF6）與過量金屬鉀共熱製得無定形硅。盡管之前也有不少科學家也製得過無定形硅，但直到貝齊里烏斯將製得的硅在氧氣中燃燒，生成二氧化硅——硅土，硅才被確定為一種元素。硅被命名為silicium，元素符號是Si。
硅是一種半導體材料，可用於製作半導體器件和集成電路。還可以合金的形式使用(如硅鐵合金)，用於汽車和機械配件。也與陶瓷材料一起用於金屬陶瓷中。還可用於製造玻璃、混凝土、磚、耐火材料、硅氧烷、硅烷。
造房子用的磚、瓦、砂石、水泥、玻璃，吃飯，喝水用的瓷碗、水杯，洗臉間的潔具，它們看上去截然不同，其實主要成分都是硅的化合物。雖然人們早在遠古時代便使用硅的化合物粘土製造陶器。但直到1823年，瑞典化學家貝采利烏斯才首次分離出硅元素，並將硅在氧氣中燃燒生成二氧化硅，確定硅為一種元素。中國曾稱它為矽，因矽和錫同音，難於分辨，故於1953年將矽改稱為硅。硅是一種非金屬元素，化學符號是Si。它是構成礦物與岩石的主要元素。在自然界硅無游離狀態，都存在於化合物中。硅的化合物主要是二氧化硅（硅石）和硅酸鹽。例如，花崗岩是由石英、長石、雲母混合組成的，石英即是二氧化硅的一種形式，長石和雲母是硅酸鹽。砂子和砂岩是不純硅石的變體，是天然硅酸鹽岩石風化後的產物。硅約佔地殼總重量的27.72％，其豐度僅次於氧。
硅是非金屬元素，有無定形和晶體兩種同素異形體，晶體硅具有金屬光澤和某些金屬特性，因此常被稱為准金屬元素。硅是一種重要的半導體材料，摻微量雜質的硅單晶可用來製造大功率晶體管、整流器和太陽能電池等。二氧化硅（硅石）是最普遍的化合物，在自然界中分布極廣，構成各種礦物和岩石。最重要的晶體硅石是石英。大而透明的石英晶體叫水晶，黑色幾乎不透明的石英晶體叫墨晶。石英的硬度為7。石英玻璃能透過紫外線，可以用來製造汞蒸氣紫外光燈和光學儀器。自然界中還有無定形的硅，叫做硅藻土，常用作甘油炸葯（硝化甘油）的吸附體，也可作絕熱、隔音材料。普通的砂子是製造玻璃、陶瓷、水泥和耐火材料等的原料。硅酸乾燥脫水後的產物為硅膠，它有很強的吸附能力，能吸收各種氣體，因此常用來作吸附劑、乾燥劑和部分催化劑的載體
這就是硅。
[編輯本段]缺乏症
飼料中缺少硅可使動物生長遲緩。動物試驗結果顯示，喂飼致動脈硬化飲料的同時補充硅，有利於保護動物的主動脈的結構。另外，已確定血管壁中硅含量與人和動物粥樣硬化程度呈反比。在心血管疾病長期發病率相差兩部的人群中，其飲用水中硅的含量也相差約兩倍，飲用水硅含量高的人群患病較少。並且他已知的危險因素都不能充分解釋這種不同
常用方程式
Si + 2OH- + H2O == SiO32- + 2H2↑
SiO2 + 2OH- == SiO32- + H2O
SiO32- + 2NH4+ + H2O == H4SiO4↓ + 2NH3↑
SiO32- + CO2 + 2H2O == H4SiO4↓+ CO32-
SiO32- + 2H+ + H2O == H4SiO4↓
3SiO32- + 2Fe3+ == Fe2(SiO3)3↓
3SiO32- + 2Al3+ == Al2(SiO3)3↓

單晶硅 中文別名：硅單晶
英文名： Monocrystalline silicon
分子式： Si
分子量：28.086
CAS 號：7440-21-3
硅是地球上儲藏最豐富的材料之一，從19世紀科學家們發現了晶體硅的半導體特性後，它幾乎改變了一切，甚至人類的思維。直到上世紀60年代開始，硅材料就取代了原有鍺材料。硅材料――因其具有耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜製作大功率器件的特性而成為應用最多的一種半導體材料，目前的集成電路半導體器件大多數是用硅材料製造的。
硅的單晶體。具有基本完整的點陣結構的晶體。不同的方向具有不同的性質，是一種良好的半導材料。純度要求達到99.9999％，甚至達到99.9999999％以上。用於製造半導體器件、太陽能電池等。用高純度的多晶硅在單晶爐內拉制而成。
單晶硅熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。單晶硅具有準金屬的物理性質，有較弱的導電性，其電導率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導電性。超純的單晶硅是本徵半導體。在超純單晶硅中摻入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其導電的程度，而形成p型硅半導體；如摻入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高導電程度，形成n型硅半導體。單晶硅的製法通常是先製得多晶硅或無定形硅，然後用直拉法或懸浮區熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。
單晶硅主要用於製作半導體元件。
用途： 是製造半導體硅器件的原料，用於制大功率整流器、大功率晶體管、二極體、開關器件等

多晶硅 多晶硅;polycrystalline silicon
性質：灰色金屬光澤。密度2.32~2.34。熔點1410℃。沸點2355℃。溶於氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶於水、硝酸和鹽酸。硬度介於鍺和石英之間，室溫下質脆，切割時易碎裂。加熱至800℃以上即有延性，1300℃時顯出明顯變形。常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應。高溫熔融狀態下，具有較大的化學活潑性，能與幾乎任何材料作用。具有半導體性質，是極為重要的優良半導體材料，但微量的雜質即可大大影響其導電性。電子工業中廣泛用於製造半導體收音機、錄音機、電冰箱、彩電、錄像機、電子計算機等的基礎材料。由乾燥硅粉與乾燥氯化氫氣體在一定條件下氯化，再經冷凝、精餾、還原而得。
多晶硅是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結合起來，就結晶成多晶硅。多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現在物理性質方面。例如，在力學性質、光學性質和熱學性質的各向異性方面，遠不如單晶硅明顯；在電學性質方面，多晶硅晶體的導電性也遠不如單晶硅顯著，甚至於幾乎沒有導電性。在化學活性方面，兩者的差異極小。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區別，但真正的鑒別須通過分析測定晶體的晶面方向、導電類型和電阻率等。

參考這里：
http://ke..com/view/4748.htm?func=retitle
http://ke..com/view/174762.htm
http://ke..com/view/381366.htm?func=retitle

⑼ 半導體集成電路的制備工藝包括哪些步驟

IC的制備工藝相對復雜一點，但跟基本的晶體管、MOS工藝等差不多的。NPN管為例硅外延平面內管的結構主要工藝流程:(1) 切,磨容,拋襯底(2)外延(3)一次氧化(4)基區光刻(5)硼擴散/硼注入,退火(6)發射區光刻(7)磷擴散(磷再擴)(8)低氧(9)刻引線孔 (10)蒸鋁(11)鋁反刻(12)合金化 (13)CVD(14)壓點光刻(15)烘焙(16)機減(17)拋光(18)蒸金(19)金合金(20)中測.