在n型半導體中加入什麼元素變成P型

① 在N型半導體中如如果參入足夠的三價元素,此時N型半導體會不會改型成P型半導體

會,注入法做的PN結就是在已經摻雜P（N）型的襯底上注入N(P)材料,注入的區域就會改型.

② 什麼是n型半導體什麼是p型半導體它們是怎樣形成的幫我回答，謝謝。

N型半導體：也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。

在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。在N型半導體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導電。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

P型半導體：也稱為空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。

在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。

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在純硅中摻入微量3價元素銦或鋁，由於銦或鋁原子周圍有3個價電子，與周圍4價硅原子組成共價結合時缺少一個電子，形成一個空穴。空穴相當於帶正電的粒子，在這類半導體的導電中起主要作用。

在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。由於P型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故P型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。

③ 在N型半導體中摻入足夠量的三價元素,可將其改型為P型半導體嗎

可以。
有一種高阻半導體採用三、五族元素補償摻雜得到，多摻一點兒三族即顯示P型半導體性質。
不過補償摻雜通常會產生大量缺陷，晶體質量不高。

④ 在N型半導體中如果加入足夠量的三價元素，可將其改型為P型半導體嗎

完全可以

⑤ 在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素，可將其改型為P型半導體。為什麼不對

N型半導體中，多出未形成的共價鍵的電子為自由電子，此時磷原子已取代硅原子的位置，各有四個共價鍵，然後摻雜硼 ，但晶格中硅原子的位置已被磷取代，故不能再被硼取代。所以不對。

⑥ 在本徵半導體中加入（ ）元素可形成P型半導體。

在本徵半導體硅（或鍺）中摻入微量的5價元素,例如磷,則磷原子就取代了硅晶回體中少量的答硅原子,占據晶格上的某些位置.磷原子最外層有5個價電子,其中4個價電子分別與鄰近4個硅原子形成共價鍵結構,多餘的1個價電子在共價鍵之外,只受到磷原子對它微弱的束縛,因此在室溫下,即可獲得掙脫束縛所需要的能量而成為自由電子,游離於晶格之間.失去電子的磷原子則成為不能移動的正離子.磷原子由於可以釋放1個電子而被稱為施主原子,又稱施主雜質.
在本徵半導體中每摻入1個磷原子就可產生1個自由電子,而本徵激發產生的空穴的數目不變.這樣,在摻入磷的半導體中,自由電子的數目就遠遠超過了空穴數目,成為多數載流子（簡稱多子）,空穴則為少數載流子（簡稱少子）.

⑦ 在p型半導體中如果加入足夠量的三價元素會變成n型半導體嗎

按照你的話應該是可以加入足夠量的三元素。

⑧ 在本徵半導體中加入什麼元素可形成N型半導體，加入幾價元素可形成P型半導體

加入五價元素可形成N型半導體，加入三價元素可形成P型半導體。

⑨ 在N型半導體中如如果參入足夠的三價元素，此時N型半導體會不會改型成P型半導體

會的，而且是簡單的加減關系，比如你摻雜100個5價變成N型，基本上你摻雜101個三價就變成P型。

⑩ 什麼是n型半導體什麼是p型半導體它們是怎樣形成的

P型半導體是在本徵半導體（純凈半導體）中摻入+3價元素，N型半導體是在本徵半導體（純凈半導體）中摻入+5價元素。