半導體3dg6為什麼晶體管

① 3DG6三極體的發射極

將3DG6反過來,管腳朝向自己,從管殼上突出標志開始順時針方向依次是e、b、c，國版產老式小功率金屬殼三極體權，不管是PNP還是NPN，管腳排列是一樣的。
塑料殼封裝的三極體腳排列是：將三極體標注型號的一面朝向自己，管腳朝下，從左到右分別是：e、b、c，大部分這種封裝的三極體都是這種排列順序。

② 晶體管3DG6C

貼著呢

③ 三極體3DG6DJ參數

3DG6按型號後綴不同分為四個檔次，其參數如下：

耗散總功率Ptot=100mW(Tamb=25℃)

最大集電極電流ICM=20mA

最高結溫TJM=175℃

集電極-基極反向擊穿電壓BVCBO： (IC=100μA)3DG6A≥30V; 3DG6B≥45V; 3DG6C≥45V; 3DG6D≥45V

集電極-發射極反向擊穿電壓BVCEO： (IC=100μA)

3DG6A≥20V; 3DG6B≥30V; 3DG6C≥30V; 3DG6D≥40V

發射極-基極反向擊穿電壓BVEBO≥4V (IE=100μA)

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工作原理：理論原理。

晶體三極體（以下簡稱三極體）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極體，（其中，N是負極的意思（代表英文中Negative），N型半導體在高純度硅中加入磷取代一些硅原子。

在電壓刺激下產生自由電子導電，而P是正極的意思（Positive）是加入硼取代硅，產生大量空穴利於導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。

對於NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN結稱為發射結,而集電區與基區形成的PN結稱為集電結,三條引線分別稱為發射極e （Emitter）、基極b (Base)和集電極c (Collector)。

④ 3DG6晶體管的β是多少

通常管帽上有色點來代表直流貝塔值 讀數規則跟色環電阻差不多 只是數字後面加個0 比方色點是綠色 代表放大倍數為50左右 色點是灰色 倍數為80左右

⑤ 3DG6參數功能

3DG6十幾年前廣泛應用，有種歷史回味感。收音機，錄音機，電視機到處都用3DG6，成包的買。現在還真得沒有了。不過代用的管子很多，因為要求不是太嚴。普通高頻小功率NPN管基本都能代替。

⑥ 3DG6三極體是什麼型三極體

3DG6三極體是：NPN型硅高頻小功率三極體。

NPN型三極體，由三塊半導體構成，其中兩塊N型和一塊P型半導體組成，P型半導體在中間，兩塊N型半導體在兩側。三極體是電子電路中最重要的器件，它最主要的功能是電流 放大和開關作用。

半導體三極體也稱為晶體三極體，可以說它是電子電路中最重要的器件。它最主要的功能是電流放大和開關作用。 三極體顧名思義具有三個電極。

二極體是由一個PN結構成的，而三極體由兩個PN結構成，共用的一個電極成為三極體的基極（用字母B表示——B取自英文Base，基本(的）、基礎（的）），其他的兩個電極分別稱為集電極（用字母C表示——C取自英文Collector，收集）和發射極（用字母E表示—— E取自英文Emitter，發射）。

三極體最基本的作用是放大作用，它可以把微弱的電信號變成一定強度的信號，當然這種轉換仍然遵循能量守恆，它只是把電源的能量轉換成信號的能量。

三極體有一個重要參數就是電流放大系數β。當三極體的基極上加一個微小的電流時，在集電極上可以得到一個是注入電流β倍的電流，即集電極電流。集電極電流隨基極電流的變化而變化，並且基極電流很小的變化可以引起集電極電流很大的變化，這就是三極體的放大作用。

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三極體的判別：

三極體的基極是三極體中兩個PN結的公共極，因此，在判別三極體的基極時，只要找出兩個PN結的公共極，即為三極體的基極。具體方法是將多用電表調至電阻擋的R×1k擋，先用紅表筆放在三極體的一隻腳上，用黑表筆去碰三極體的另兩只腳，如果兩次全通，則紅表筆所放的腳就是三極體的基極。

如果一次沒找到，則紅表筆換到三極體的另一個腳，再測兩次；如還沒找到，則紅表筆再換一下，再測兩次。如果還沒找到，則改用黑表筆放在三極體的一個腳上，用紅表筆去測兩次看是否全通，若一次沒成功再換。這樣最多量12次，總可以找到基極。

三極體類型的判別： 三極體只有兩種類型，即PNP型和NPN型。判別時只要知道基極是P型材料還N型材料即可。

當用多用電表R×1k擋時，黑表筆代表電源正極，如果黑表筆接基極時導通，則說明三極體的基極為P型材料，三極體即為NPN型。如果紅表筆接基極導通，則說明三極體基極為N型材料，三極體即為PNP型。

⑦ 請問怎麼用3DG6C設計一個單極型晶體管放大器

看看這個，E=12V,RB1=470K,RB2=47K,RE=1K,CE=10MF,RC=4KCI=10MF,C0=10MF.

靜態工作點：ICQ=1-1.5毫安。調整RB1(用半可調電阻）。

RI=RB1//RB2//(1+β）RBE

其中RBE=300+(1+β）26/IC=300+60*13=1000歐姆

所以：輸版入電阻RI=470K//47K//60K=20K,遠遠大於權5K,符合要求。

放大倍數AV=-β*RL`/RBE=-60*2K/1K=-120倍，遠遠大於要求。

這個圖完全能滿足你的要求！！

⑧ 在圖所示的電路中，若選用3DG6D型號的晶體管，問：（1）電源電壓Ucc最大不得超過多少伏（2）根據Ic=<Icm

3DG6D 的最大復工作電壓大約制30V，Icm=20mA，β值在25~270 ，臨界飽和導通壓降Uces≤0.35V
則
1）Vcc≤30V；
2）Icm=20mA，則管子處於臨界飽和導通時Icm=(Vcc-Uces)/Rc，所以Rc==(Vcc-Uces)/Icm≈30/20=15kΩ。

⑨ 3DG6管參數

3DG6是國產的小功率硅NPN型三極體。型號中的D表示該管為NPN管，G表示該管為高頻小功率管。其Pcm=100mW、Icm=20mA，性能參數很一般。你可以用現在常用的9014三極體直接代換。

⑩ 3DG6晶體管的參數β,rb等主要參數

3DG6是高頻小功率硅管,老掉牙的國產貨，資料查不到，但9014可以完全代替它，看一下9014的資料心裡就大概有數啦！