雜質半導體中少子與什麼有關

① 雜質半導體中,多數載流子和少數載流子的濃度由什麼決定和溫度有什麼關系

多數載流子是少數載流子的雜質濃度是一個共同決定的本徵載流子濃度和雜質濃度

② 雜質半導體中的少數載流子濃度取決於什麼 求答案

在雜質半導體中，多數載流子的濃度主要取決於摻入的雜質濃度，而少數載流子的濃度主要取決於溫度。

③ 雜志半導體中，少子的來源是什麼嗎

少子即少數載流子，相對的是多數載流子，兩種載流子的濃度乘積是固定的。
摻雜半導體中的摻雜物在常溫下完全電離（電離出電子或空穴，依摻雜物種類而異），電離出的載流子遠遠多於半導體本徵電離，於是摻雜半導體便出現兩種載流子的嚴重濃度差異，低的是少數載流子，多的是多數載流子。

④ 摻雜半導體中少數載流子的濃度與什麼有很大關系

溫度。 導體在任復何制溫度下，都將遵從 熱平衡條件：np=ni2。因此多數載流子與少 數載流子是相互制約著的。多數載流子主要 來自於摻雜，而少數載流子都來自於本徵激 發（屬於本徵載流子）。當通過摻雜、增大 多數載流子濃度時，則多數載流子與少數載 流子相互復合的機會增加，將使得少數載流 子濃度減小；當升高溫度，少數載流子濃度 將指數式增大，並且它與多數載流子相互復 合的機會也增加，仍然維持著熱平衡關系。 在溫度不是很高時，增加的本徵載流子濃度 將遠小於摻雜所提供的多數載流子濃度，因 此對於多數載流子而言，可以認為其濃度基 本上就等於摻雜濃度，與溫度的關系不大。 當然，在溫度高到使得本徵載流子濃度增大 到等於或大於多數載流子濃度時，就變成以 本徵載流子導電為主的半導體了，即為本徵 半導體，這時摻雜的貢獻即可忽略了。

⑤ 工程實際中,影響半導體材料少子壽命的因素有哪些

1.少量深能級雜抄質能大大降低少子壽命。過渡金屬雜質往往是深能級雜質，如Fe、Cr、Mo等雜質。
2. 電阻率的影響
隨著電阻率的增大，少子壽命也不斷增大。
3. 溫度變化強烈影響少子壽命。但是影響規律十分復雜。一般為隨溫度上升少子壽命先降後升。

⑥ 摻雜雜質半導體中影響多數和少數載流子數量的最主要原因是什麼急！！！！

主要原因是雜質在禁帶里占的位置和雜質濃度。

⑦ 雜質半導體中少數載流子濃度與什麼有關

少數截流子即。自由電子。 於空穴有關

⑧ 在雜質半導體中多子與少子濃度不同為什麼半導體呈中性

雜質半導體中除了可以自由移動的載流子(多子\少子)之外, 還有不能自由移動的電荷內(電離的施主\受主), 總的容正電荷(空穴+電離施主所帶的正電荷)和總的負電荷(自由電子+電離受主所帶的負電荷)相等，因而呈電中性。

⑨ 問個半導體多子少子的問題

多子主要是靠半導體本身特性決定，即主要靠參雜濃度決定。溫度升高雖然會使多回子掙脫原子束縛，但多子數答量已經很多了，這一點脫離對多子數目影響不大
少子顧名思義，在半導體中不佔主導地位，那麼參雜濃度對其影響就不大了，而溫度的上升卻可以使更多的少子脫離原子的束縛，因而少子數量主要由溫度決定

⑩ 在雜質半導體中,多數截流子的濃度主要取決於 而少數截流子的濃度則與（ ）有很大關系

在雜質半導體中,多數截流子的濃度主要取決於摻入的施主濃度或者受主濃度；在全內電離時,多數截流子濃度≈容摻雜濃度,並且基本上與溫度無關.
而少數截流子的濃度則與（溫度）有很大關系（因為是本徵激發的關系）.