什麼半導體最好

⑴ 誰知道半導體什麼材料最好

當今半導體材料並沒有完美的，常見的硅是最成熟產量最大也是可以成規模生產的專，但材料本身決定了它的屬一些性能的極限。像碳化硅主要可以工作在惡劣條件下，砷化家氮化家可以做一些高頻，高亞大功率器件，磷化銦可以做超高頻的器件，最新的還有石墨烯等等。但後幾種大部分還在研發階段，即便一些已經得到應用也是范圍很小，像航空航天，還有手機基站用的是砷化嫁。所以沒有最好的，只有適合的

⑵ 半導體晶元選擇哪家公司比較好

半導體晶元並不是一般的貨品，必需經過嚴謹高科技設計和製程測試，還有緊密運用的監督品管，供應商和客戶基本要求全程參與，一旦整體合同簽訂，無法也不能以一般貨品那樣選擇哪家公司比較好。

⑶ 半導體技術哪個國家的最好

美國。有復的說是日本，的確，制日本很棒，但是美國的是領先的，美國在信息領域的優勢，就像二戰美國重工業對全球的優勢一樣，甚至還要大，半導體等等這些都是美國發明的，美國的貝爾實驗室可以隨時更新技術，那麼其他國家根本就追不上。

⑷ 哪個半導體封裝設備比較好

不太清楚你們需要什麼樣的，但是賽可（SEC）半導體封裝設備的實力和專業性一直較好的，可以到官網根據自己的實際情況選擇。

⑸ 中國的半導體企業有哪些比較好的呢

國內最好的話就屬深圳高科特

⑹ 蘇州排名最好的半導體公司

蘇州華潤上華不錯啊，至少工程師的待遇還可以。所以作業員應該也不專差。具體多少要你自己屬和人資的談啊，談得好就多一點哦，也許有兩千吧。
各個半導體公司對線上作業員的要求差別不大。既然你是領班，如果華潤需要招聘領班的話，你去應該沒有問題。
不過你要求不進FAB就不太可能了。
其實，以前我們整合部門招過專門幫工程師上夜班的高級技術員（非MFG部門的，是直接屬於INT部門的，相當於助工的職位）。她們加上夜班補足可以拿到1700-2000（在重慶）

PS:你可以直接去網上搜索無錫華潤上華的招聘信息

⑺ 做半導體好么

做半導體非常好，半導體屬於高精尖行業，科技含量高，應用范圍廣，行業前景好，待遇高，做半導體非常有前途。

⑻ 求目前中國最好的半導體生產企業

這個我知道

肯定是 "中華龍組"

一直被神秘 從未被爆料

⑼ 半導體有哪些好的特點

半導體五大特性∶電阻率特性，導電特性，光電特性，負的電阻率溫度特性，整流特性。 ★在形成晶體結構的半導體中，人為地摻入特定的雜質元素，導電性能具有可控性。 ★在光照和熱輻射條件下，其導電性有明顯的變化。 晶格：晶體中的原子在空間形成排列整齊的點陣，稱為晶格。 共價鍵結構：相鄰的兩個原子的一對最外層電子（即價電子）不但各自圍繞自身所屬的原子核運動，而且出現在相鄰原子所屬的軌道上，成為共用電子，構成共價鍵。 自由電子的形成：在常溫下，少數的價電子由於熱運動獲得足夠的能量，掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子。 空穴：價電子掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子而留下一個空位置稱空穴。 電子電流：在外加電場的作用下，自由電子產生定向移動，形成電子電流。 空穴電流：價電子按一定的方向依次填補空穴（即空穴也產生定向移動），形成空穴電流。 本徵半導體的電流：電子電流+空穴電流。自由電子和空穴所帶電荷極性不同，它們運動方向相反。 載流子：運載電荷的粒子稱為載流子。 導體電的特點：導體導電只有一種載流子，即自由電子導電。 本徵半導體電的特點：本徵半導體有兩種載流子，即自由電子和空穴均參與導電。 本徵激發：半導體在熱激發下產生自由電子和空穴的現象稱為本徵激發。 復合：自由電子在運動的過程中如果與空穴相遇就會填補空穴，使兩者同時消失，這種現象稱為復合。 動態平衡：在一定的溫度下，本徵激發所產生的自由電子與空穴對，與復合的自由電子與空穴對數目相等，達到動態平衡。 載流子的濃度與溫度的關系：溫度一定，本徵半導體中載流子的濃度是一定的，並且自由電子與空穴的濃度相等。當溫度升高時，熱運動加劇，掙脫共價鍵束縛的自由電子增多，空穴也隨之增多（即載流子的濃度升高），導電性能增強；當溫度降低，則載流子的濃度降低，導電性能變差。 結論：本徵半導體的導電性能與溫度有關。半導體材料性能對溫度的敏感性，可製作熱敏和光敏器件，又造成半導體器件溫度穩定性差的原因。 雜質半導體：通過擴散工藝，在本徵半導體中摻入少量合適的雜質元素，可得到雜質半導體。 N型半導體：在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。 多數載流子：N型半導體中，自由電子的濃度大於空穴的濃度，稱為多數載流子，簡稱多子。 少數載流子：N型半導體中，空穴為少數載流子，簡稱少子。 施子原子：雜質原子可以提供電子，稱施子原子。 N型半導體的導電特性：它是靠自由電子導電，摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能也就越強。 P型半導體：在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半導體。 多子：P型半導體中，多子為空穴。 少子：P型半導體中，少子為電子。 受主原子：雜質原子中的空位吸收電子，稱受主原子。 P型半導體的導電特性：摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能也就越強。 結論： 多子的濃度決定於雜質濃度。 少子的濃度決定於溫度。 PN結的形成：將P型半導體與N型半導體製作在同一塊矽片上，在它們的交界面就形成PN結。 PN結的特點：具有單向導電性。 擴散運動：物質總是從濃度高的地方向濃度低的地方運動，這種由於濃度差而產生的運動稱為擴散運動。 空間電荷區：擴散到P區的自由電子與空穴復合，而擴散到N區的空穴與自由電子復合，所以在交界面附近多子的濃度下降，P區出現負離子區，N區出現正離子區，它們是不能移動，稱為空間電荷區。 電場形成：空間電荷區形成內電場。 空間電荷加寬，內電場增強，其方向由N區指向P區，阻止擴散運動的進行。 漂移運動：在電場力作用下，載流子的運動稱漂移運動。 PN結的形成過程：如圖所示，將P型半導體與N型半導體製作在同一塊矽片上，在無外電場和其它激發作用下，參與擴散運動的多子數目等於參與漂移運動的少子數目，從而達到動態平衡，形成PN結。 PN結的形成過程電位差：空間電荷區具有一定的寬度，形成電位差Uho，電流為零。 耗盡層：絕大部分空間電荷區內自由電子和空穴的數目都非常少，在分析PN結時常忽略載流子的作用，而只考慮離子區的電荷，稱耗盡層。 PN結的單向導電性