怎麼判斷p型半導體摻雜效果好

⑴ 在P型半導體材料中,摻雜物被稱為什麼

摻入少量雜質硼元素（或銦元素）的硅晶體（或鍺晶體）中，由於半導體回原子（如硅原子）答被雜質原子取代，硼原子外層的三個外層電子與周圍的半導體原子形成共價鍵的時候，會產生一個「 空穴」，這個空穴可能吸引束縛電子來「填充」，使得硼原子成為帶負電的 離子。這樣，這類半導體由於含有較高濃度的「空穴」（「相當於」正電荷），成為能夠導電的物質。

⑵ 關於P型半導體的問題

是你的假設問題，在同一個P型矽片中，3個空穴與5個空穴相比，空穴的濃度是不一樣的，所以導電性也不一樣。或者說，5個空穴允許電子流過的能力，要比3個空穴強一些。

⑶ 用n型半導體摻雜後形成的p型半導體 與 用本徵半導體摻雜形成的p型半導體 有區別嗎

用n型半導體摻雜後形成的p型半導體 與 用本徵半導體摻雜形成的p型半導體 有區別嗎版
不是所有權的摻雜都是有效的,因為硅與磷硼的摻雜會有些失敗的部分,磷硼沒有締結成四價鍵,而是三價,這時候還是不會導電,也不會有pn節。

⑷ P型半導體有什麼特徵

在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼）

⑸ 本徵半導體摻雜成p型半導體中雜質的要求

1）首先要選擇什麼雜質
-
如果要摻雜成P型半導體可以選擇B和BF和In.
-B是最常用的
-In和BF的質量比較大，適合於淺摻雜
-BF中的F可能對HCI或者NBTI

⑹ P型半導體中是不是雜質獲取電子的能力強

理解的復有一定的深度，空穴是制不同原子間形成共價鍵。共價鍵使不同原子公用電子，達到最外層八個電子的穩定結構，如果還有原子剩餘電子，則該電子自由。於是材料靠電子導電，即為N型。否則電子不足，照樣共價後，便在共價的位置產生反電子，即為空穴。空穴不自由，但可以傳遞，從而材料導電類型變成P型。

⑺ 介紹下半導體的摻雜問題

雜質半導體： 通過擴散工藝，在本徵半導體中摻入少量合適的雜質元素，可得到雜質半導體。
P型半導體的導電特性：摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能也就越強。
結論：
多子的濃度決定於雜質濃度。
少子的濃度決定於溫度。
PN結的形成：將P型半導體與N型半導體製作在同一塊矽片上，在它們的交界面就形成PN結。
PN結的特點：具有單向導電性。
半導體雜質 半導體中的雜質對電阻率的影響非常大。半導體中摻入微量雜質時，雜質原子附近的周期勢場受到干擾並形成附加的束縛狀態，在禁帶中產加的雜質能級。例如四價元素鍺或硅晶體中摻入五價元素磷、砷、銻等雜質原子時，雜質原子作為晶格的一分子，其五個價電子中有四個與周圍的鍺（或硅）原子形成共價結合，多餘的一個電子被束縛於雜質原子附近，產生類氫能級。雜質能級位於禁帶上方靠近導帶底附近。雜質能級上的電子很易激發到導帶成為電子載流子。這種能提供電子載流子的雜質稱為施主，相應能級稱為施主能級。施主能級上的電子躍遷到導帶所需能量比從價帶激發到導帶所需能量小得多（圖2）。在鍺或硅晶體中摻入微量三價元素硼、鋁、鎵等雜質原子時，雜質原子與周圍四個鍺（或硅）原子形成共價結合時尚缺少一個電子，因而存在一個空位，與此空位相應的能量狀態就是雜質能級，通常位於禁帶下方靠近價帶處。價帶中的電子很易激發到雜質能級上填補這個空位，使雜質原子成為負離子。價帶中由於缺少一個電子而形成一個空穴載流子（圖3）。這種能提供空穴的雜質稱為受主雜質。存在受主雜質時，在價帶中形成一個空穴載流子所需能量比本徵半導體情形要小得多。半導體摻雜後其電阻率大大下降。加熱或光照產生的熱激發或光激發都會使自由載流子數增加而導致電阻率減小，半導體熱敏電阻和光敏電阻就是根據此原理製成的。對摻入施主雜質的半導體，導電載流子主要是導帶中的電子，屬電子型導電，稱N型半導體。摻入受主雜質的半導體屬空穴型導電，稱P型半導體。半導體在任何溫度下都能產生電子-空穴對，故N型半導體中可存在少量導電空穴，P型半導體中可存在少量導電電子，它們均稱為少數載流子。在半導體器件的各種效應中，少數載流子常扮演重要角色。
半導體摻雜
半導體之所以能廣泛應用在今日的數位世界中，憑借的就是其能藉由在其晶格中植入雜質改變其電性，這個過程稱之為摻雜（doping）。摻雜進入本質半導體（intrinsic semiconctor）的雜質濃度與極性皆會對半導體的導電特性產生很大的影響。而摻雜過的半導體則稱為外質半導體（extrinsic semiconctor）。
半導體摻雜物
哪種材料適合作為某種半導體材料的摻雜物（dopant）需視兩者的原子特性而定。一般而言，摻雜物依照其帶給被摻雜材料的電荷正負被區分為施體（donor）與受體（acceptor）。施體原子帶來的價電子（valence electrons）大多會與被摻雜的材料原子產生共價鍵，進而被束縛。而沒有和被摻雜材料原子產生共價鍵的電子則會被施體原子微弱地束縛住，這個電子又稱為施體電子。和本質半導體的價電子比起來，施體電子躍遷至傳導帶所需的能量較低，比較容易在半導體材料的晶格中移動，產生電流。雖然施體電子獲得能量會躍遷至傳導帶，但並不會和本質半導體一樣留下一個電洞，施體原子在失去了電子後只會固定在半導體材料的晶格中。因此這種因為摻雜而獲得多餘電子提供傳導的半導體稱為n型半導體（n-type semiconctor），n代表帶負電荷的電子。
和施體相對的，受體原子進入半導體晶格後，因為其價電子數目比半導體原子的價電子數量少，等效上會帶來一個的空位，這個多出的空位即可視為電洞。受體摻雜後的半導體稱為p型半導體（p-type semiconctor），p代表帶正電荷的電洞。
以一個硅的本質半導體來說明摻雜的影響。硅有四個價電子，常用於硅的摻雜物有三價與五價的元素。當只有三個價電子的三價元素如硼（boron）摻雜至硅半導體中時，硼扮演的即是受體的角色，摻雜了硼的硅半導體就是p型半導體。反過來說，如果五價元素如磷（phosphorus）摻雜至硅半導體時，磷扮演施體的角色，摻雜磷的硅半導體成為n型半導體。
一個半導體材料有可能先後摻雜施體與受體，而如何決定此外質半導體為n型或p型必須視摻雜後的半導體中，受體帶來的電洞濃度較高或是施體帶來的電子濃度較高，亦即何者為此外質半導體的「多數載子」（majority carrier）。和多數載子相對的是少數載子（minority carrier）。對於半導體元件的操作原理分析而言，少數載子在半導體中的行為有著非常重要的地位。

⑻ p型半導體摻雜與n型半導體摻雜一樣嗎，譬如在半導體氧化物中摻鋁，p型和n型一樣摻雜嗎

NP型是硅中摻不同的雜質得到的 N型是多電子，一般摻P（磷） N（氮）
而P型是多空穴 一般摻B （硼） Al(鋁)

⑼ 在P型半導體中一般摻哪種類型的雜質主要是什麼元素

也稱為空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。回
在答純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。

⑽ 半導體的類型-N型、P型是怎樣定義和區別的

下面，我們將採用對比分析的方法來認識P型半導體和N型半導體。

P型半導體也稱為空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。

N型半導體也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。在N型半導體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導電。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

(10)怎麼判斷p型半導體摻雜效果好擴展閱讀

半導體（ semiconctor），指常溫下導電性能介於導體（conctor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。

以GaN（氮化鎵）為代表的第三代半導體材料及器件的開發是新興半導體產業的核心和基礎，其研究開發呈現出日新月異的發展勢態。GaN基光電器件中，藍色發光二極體LED率先實現商品化生產 成功開發藍光LED和LD之後，科研方向轉移到GaN紫外光探測器上 GaN材料在微波功率方面也有相當大的應用市場。氮化鎵半導體開關被譽為半導體晶元設計上一個新的里程碑。美國佛羅里達大學的科學家已經開發出一種可用於製造新型電子開關的重要器件，這種電子開關可以提供平穩、無間斷電源。

參考資料

半導體-網路