摻鎘的砷是什麼半導體

㈠ 銅、鉛、鋅、鎘、鉻（六價）、汞、硒、砷這些重金屬元素哪些具有順磁性

寫出每個價電子排列方式，看是否有未配對的電子，有就順磁

㈡ Cds是什麼 半導體中有鍺、硅、鉀、Cds、非晶體、砷等物質 其中Cds是什麼

硫化鎘 CdS

㈢ 導體和半導體區別

一、概念不同

1、導體

導體（conctor）是指電阻率很小且易於傳導電流的物質。導體中存在大量可自由移動的帶電粒子稱為載流子。在外電場作用下，載流子作定向運動，形成明顯的電流。

2、半導體

半導體（ semiconctor），指常溫下導電性能介於導體（conctor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。

二、分類不同

1、導體

1）第一類導體

金屬是最常見的一類導體。金屬中的原子核和內層電子構成原子實，規則地排列成點陣，而外層的價電子容易掙脫原子核的束縛而成為自由電子，它們構成導電的載流子。

2）第二類導體

電解質的溶液或稱為電解液的熔融電解質也是導體，其載流子是正負離子。實驗發現，大部分純液體雖然也能離解，但離解程度很小，因而不是導體。

3）其他導電介質

電的絕緣體又稱為電介質。它們的電阻率極高，比金屬的電阻率大1014倍以上。絕緣體在某些外界條件（如加熱、加高壓等）影響下，會被「擊穿」，而轉化為導體。絕緣體或電介質的主要電學性質反映在電導、極化、損耗和擊穿等過程中。

2、半導體

半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物）。

以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。

三、特性不同

1、導體

1）熱敏特性

半導體的電阻率隨溫度變化會發生明顯地改變。

2）光敏特性

半導體的電阻率對光的變化十分敏感。有光照時、電阻率很小；無光照時，電阻率很大。

3）摻雜特性

在純凈的半導體中，摻人極微量的雜質元素，就會使它的電阻率發生極大的變化。

2、半導體

半導體五大特性∶摻雜性，熱敏性，光敏性，負電阻率溫度特性，整流特性。

1）在形成晶體結構的半導體中，人為地摻入特定的雜質元素，導電性能具有可控性。

2）在光照和熱輻射條件下，其導電性有明顯的變化。

㈣ 半導體是什麼

半導體

semiconctor

電導率(conctivity)介於金屬和絕緣體(insulator)之間的固體材料。半導體於室溫時電導率約在10ˉ10～10000/Ω·cm之間，純凈的半導體溫度升高時電導率按指數上升。半導體材料有很多種，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態半導體外，還有非晶態的有機物半導體等。

本徵半導體(intrinsic semiconctor) 沒有摻雜且無晶格缺陷的純凈半導體稱為本徵半導體。在絕對零度溫度下，半導體的價帶(valence band)是滿帶(見能帶理論)，受到光電注入或熱激發後，價帶中的部分電子會越過禁帶(forbidden band/band gap)進入能量較高的空帶，空帶中存在電子後成為導帶(conction band)，價帶中缺少一個電子後形成一個帶正電的空位，稱為空穴(hole)，導帶中的電子和價帶中的空穴合稱為電子 - 空穴對。上述產生的電子和空穴均能自由移動，成為自由載流子(free carrier)，它們在外電場作用下產生定向運動而形成宏觀電流，分別稱為電子導電和空穴導電。這種由於電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本徵導電。導帶中的電子會落入空穴，使電子-空穴對消失，稱為復合(recombination)。復合時產生的能量以電磁輻射（發射光子photon）或晶格熱振動（發射聲子phonon）的形式釋放。在一定溫度下，電子 - 空穴對的產生和復合同時存在並達到動態平衡，此時本徵半導體具有一定的載流子濃度，從而具有一定的電導率。加熱或光照會使半導體發生熱激發或光激發，從而產生更多的電子 - 空穴對，這時載流子濃度增加，電導率增加。半導體熱敏電阻和光敏電阻等半導體器件就是根據此原理製成的。常溫下本徵半導體的電導率較小，載流子濃度對溫度變化敏感，所以很難對半導體特性進行控制，因此實際應用不多。

雜質半導體(extrinsic semiconctor) 半導體中的雜質對電導率的影響非常大，本徵半導體經過摻雜就形成雜質半導體，一般可分為n型半導體和p型半導體。半導體中摻入微量雜質時，雜質原子附近的周期勢場受到干擾並形成附加的束縛狀態，在禁帶中產生附加的雜質能級。能提供電子載流子的雜質稱為施主(donor)雜質，相應能級稱為施主能級,位於禁帶上方靠近導帶底附近。例如四價元素鍺或硅晶體中摻入五價元素磷、砷、銻等雜質原子時，雜質原子作為晶格的一分子，其五個價電子中有四個與周圍的鍺（或硅）原子形成共價鍵，多餘的一個電子被束縛於雜質原子附近，產生類氫淺能級-施主能級。施主能級上的電子躍遷到導帶所需能量比從價帶激發到導帶所需能量小得多，很易激發到導帶成為電子載流子，因此對於摻入施主雜質的半導體，導電載流子主要是被激發到導帶中的電子，屬電子導電型，稱為n型半導體。由於半導體中總是存在本徵激發的電子空穴對，所以在n型半導體中電子是多數載流子，空穴是少數載流子。相應地，能提供空穴載流子的雜質稱為受主(acceptor)雜質，相應能級稱為受主能級，位於禁帶下方靠近價帶頂附近。例如在鍺或硅晶體中摻入微量三價元素硼、鋁、鎵等雜質原子時，雜質原子與周圍四個鍺（或硅）原子形成共價結合時尚缺少一個電子，因而存在一個空位，與此空位相應的能量狀態就是受主能級。由於受主能級靠近價帶頂，價帶中的電子很容易激發到受主能級上填補這個空位，使受主雜質原子成為負電中心。同時價帶中由於電離出一個電子而留下一個空位，形成自由的空穴載流子，這一過程所需電離能比本徵半導體情形下產生電子空穴對要小得多。因此這時空穴是多數載流子，雜質半導體主要靠空穴導電，即空穴導電型，稱為p型半導體。在p型半導體中空穴是多數載流子，電子是少數載流子。在半導體器件的各種效應中，少數載流子常扮演重要角色。
參考資料：網路

㈤ 硼，硅，砷都屬於半導體嗎

硅是半導體材料，而硼和砷都是摻雜劑，也就是為了改變半導體材料的導電性能而加入的雜質，不屬於半導體材料。

㈥ 半導體砷化銻是什麼有什麼用處啊 謝謝了

砷化銻SbAs
可以用來製造晶體管、電子管、集成電路等等

㈦ 砷具有半導體特性么

硅是半導體材料。
而硼和砷都是摻雜劑，也就是為了改變半導體材料的導電性能而加入的雜質，
其本身不屬於半導體材料.

㈧ 半導體特性的化合物半導體材料製成的太陽能電池(硫化鎘、 砷化稼、碲化鎘、硒

（1）①同一周期元素，元素的第一電離能隨著原子序數的增大而呈增大趨勢，但第IIA族、第VA族元素第一電離能大於相鄰元素，As和Se屬於同一周期元素，且As屬於第VA族元素、Se屬於第VIA族元素，所以第一電離能As＞Se，故答案為：＞；②SeO2中Se原子價層電子對個數=2+1 2 ×（6-2×2）=3且含有一個孤電子對，所以其空間構型為V形，故答案為：V形；③砷化鋁晶體結構與硅相似，硅晶體中每個硅原子和四個硅原子形成四個共價鍵，所以在砷化鋁晶體中，每個Al原子與4個As原子相連，故答案為：4；（2）①鈣原子最外排入的電子是s電子，所以在周期表中Ca處於周期表s區，故答案為：s；??②Cu是29號元素，其原子核外有29個電子，根據構造原理知其原子核外電子排布式為：1s22s22p63s23p63d104s1，故答案為：1s22s22p63s23p63d104s1；③由晶胞結構可知，Ca原子處於頂點，晶胞中含有Ca原子數目為8×1 8 =1，Cu原子處於晶胞內部與面上、面心，晶胞中Cu數目為1+4×1 2 +4×1 2 =5，故該合金中Ca和Cu的原子個數比為1：5，鑭鎳合金、銅鈣合金及鈰鈷合金都具有相同類型的晶胞結構XYn，所以LaNin中，n=5，氫在合金中的密度=4.5×1 NA 9.0×10?23 g/cm3=0.083g/cm3，故答案為：5；0.083g/cm3；（3）A．元素的非金屬性越強，其電負性越大，鈣的金屬性小於鍶，則鈣的電負性大於鍶，故錯誤；B．C60中每個碳原子含有3個σ鍵，所以採用雜化方式為sp2，故錯誤；C．Ca32C60儲氫過程中沒有新物質生成，發生物理變化，故錯誤；????D．吸附相同數目氫分子時，儲氫質量分數M32C60的相對分子質量成反比，Ca32C60的相對分子質量小於Sr32C60高，則吸附相同數目氫分子時，儲氫質量分數Ca32C60比Sr32C60高，故正確；故選D．

㈨ 砷和鍺組成半導體叫什麼半導體

半導體採用的元素材料一般為外層電子數為4的元素（如硅和鍺），這些元素的原子的導電性不穩定，外層電子很容易離開原子核的引力范圍，成為自由電子，同時在原子內部留下呈現正電性的原子結構。
如果在硅基體中摻入少量的價電子數為3的元素（如硼），當硼和硅形成共價鍵的時候，因為硼的外層電子不足以完全填補硅原子的空軌道，必然要吸收一個多餘的自由電子來成鍵，於是在半導體內部形成一個「空殼」，這個空殼呈現出正電性。硅和硼的這種混合物被稱為P型半導體(Positive Semiconct)。

如果硅基體中摻入少量的價電子數為5的元素（如磷），當磷和硅形成共價鍵的時候，因為磷的外層電子在完全填補硅原子的空軌道還有富餘，必然會脫離原子核成為自由電子，於是在半導體內部呈現出負電性。硅和磷的這種混合物被稱為N型半導體(Negative Semiconct)。
P型和N型半導體是二極體和三極體製作的基礎。
砷作為外層電子數為5的元素，它和鍺的組合將會產生N型半導體。但是考慮到原料成本因素，通常半導體工業都會選擇磷而非砷作為N型半導體的製作原料。