鐵酸鑭為什麼是p型半導體

① 什麼是P型半導體

P型半導體，也稱為空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。

1特點
半導體中有兩種載流子：導帶中的電子和價帶中的空穴。 如果某一類型半導體的導電性主要依靠價帶中的空穴，則該類型的半導體就稱為P型半導體。 「P」表示正電的意思，取自英文Positive的第一個字母。在這類半導體中，參與導電的 (即電荷載體) 主要是帶正電的空穴，這些空穴來自半導體中的受主。因此凡摻有受主雜質或受主

數量多於施主的半導體都是p型半導體。例如，含有適量三價元素硼、銦、鎵等的鍺或硅等半導體就是P型半導體。[
由於P型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故P型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。

2形成原理
要產生較多的空穴濃度就需依賴摻雜或缺陷。在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半導體。對於Ⅳ族元素，半導體(鍺、硅等)需進行Ⅲ族元素的摻雜;對於Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體(如砷化鎵)，常用摻雜Ⅱ族元素來提供所需的空穴濃度;在離子晶體型氧化物半導體中，化學配比的微量偏移可造成大量電載荷流子，氧量偏多時形成的缺陷可提供空穴，Cu2O、NiO、VO2等均是該類型的P型半導體，且當它們在氧壓中加熱後，空穴濃度將隨之增加.上述能給半導體提供空穴的摻雜原子或缺陷，均稱受主。

② p型半導體和n型半導體的區別 怎樣形成的

如果雜質是周期表中第Ⅲ族中的一種元素，例如硼或銦，它們的價電子帶都只有三專個電子屬，並且它們傳導帶的最小能級低於第Ⅳ族元素的傳導電子能級。因此電子能夠更容易地由鍺或硅的價電子帶躍遷到硼或銦的傳導帶。在這個過程中，由於失去了電子而產生了一個正離子，因為這對於其它電子而言是個「空位」，所以通常把它叫做「空穴」，而這種材料被稱為「P」型半導體。在這樣的材料中傳導主要是由帶正電的空穴引起的，因而在這種情況下電子是「少數載流子」。

如果摻入的雜質是周期表第V族中的某種元素，例如砷或銻，這些元素的價電子帶都有五個電子，然而，雜質元素價電子的最大能級大於鍺（或硅）的最大能級，因此電子很容易從這個能級進入第Ⅳ族元素的傳導帶。這些材料就變成了半導體。因為傳導性是由於有多餘的負離子引起的，所以稱為「N」型半導體。也有些材料的傳導性是由於材料中有多餘的正離子，但主要還是由於有大量的電子引起的，因而（在N型材料中）電子被稱為「多數載流子」。

③ 為什麼要叫N/P型半導體

半導體之所抄以被稱之為「半導體」，其原因很簡單，說通俗一點兒就是這種由P型材料與N型材料 組成的東東，其導電性能是介於 絕緣體和導體之間的一個值，因此得名為「半導體」。超導體自然其導電性能高於半導體。
其實不管一個什麼東東，其名字和人名一樣 都是代名詞。都是由發明創造它的人 為之命名。在這里，P型半導體 的P 是取英文單詞Positive（正極）的首字母；同理，N型半導體是取Negative（負極）的首字母。所以，有P型半導體、N型半導體這樣的叫法，就不奇怪了。
在模擬電子技術中，二極體就是由P型半導體和N型半導體構成，其內部（P與N的接觸面）有一個PN結， 估計你又要問為什麼 不是NP結呢？ 其實PN和NP都差不多，只是遵循我們的習慣罷了。 人們常常都說正負極，而很少有人說 負正極。一樣的道理！

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④ 關於P型半導體的問題

是你的假設問題，在同一個P型矽片中，3個空穴與5個空穴相比，空穴的濃度是不一樣的，所以導電性也不一樣。或者說，5個空穴允許電子流過的能力，要比3個空穴強一些。

⑤ p型半導體的問題

p型半導體多子時空來穴，正確，是受自主。
p型聚合物，是有機半導體的東西嗎？
如果是有機半導體，則不能說是施主，應該說是施體，有機半導體的概念與無機是不同的，有機中載流子的濃度很低，遷移率也很低，對於p型，就是說分子容易給出，或者丟掉一個電子，成為自由基陽離子，帶正電，沿用了半導體空穴的概念，電荷傳輸時，是臨近位電子過來把她復合掉，兒過來的電子的位置，也就是那個分子丟掉了電子，成為自由基陽離子，這樣相當於正離子的傳輸，也就是所謂空穴的傳輸。

⑥ 為什麼要叫N/P型半導體

半導體之所以被稱之為「半導體」，其原因很簡單，說通俗一點兒就是這種由回P型材料與N型材料 組成答的東東，其導電性能是介於 絕緣體和導體之間的一個值，因此得名為「半導體」。超導體自然其導電性能高於半導體。
其實不管一個什麼東東，其名字和人名一樣 都是代名詞。都是由發明創造它的人 為之命名。在這里，P型半導體 的P 是取英文單詞Positive（正極）的首字母；同理，N型半導體是取Negative（負極）的首字母。所以，有P型半導體、N型半導體這樣的叫法，就不奇怪了。
在模擬電子技術中，二極體就是由P型半導體和N型半導體構成，其內部（P與N的接觸面）有一個PN結， 估計你又要問為什麼 不是NP結呢？ 其實PN和NP都差不多，只是遵循我們的習慣罷了。 人們常常都說正負極，而很少有人說 負正極。一樣的道理！

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⑦ p-型半導體材料為什麼是電子給體

因為p型材料是在四價元素的基礎上摻入五價元素，而五價元素本身最外層就帶有5個電子，較四價元素多了一個自由電子，所以能夠提供電子。

⑧ 什麼是P型半導體和N型半導體都有哪些性質呢

P型半導體
多數載流子為空穴的半導體。
型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。由於P型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故P型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。
N型半導體
多數載流子為電子的半導體
也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。
在純凈的硅晶體中摻入Ⅴ族元素（如磷、砷、銻等），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。這類雜質提供了帶負電（Negative）的電子載流子，稱他們為施主雜質或n型雜質。在N型半導體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導電，由於N型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故N型半導體呈電中性。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

⑨ 為什麼P型半導體是電中性

是由於半導體和摻入的微量元素都是電中性的，而摻雜過程中既不喪失電荷又不從外界得到電荷，只是在半導體中出現了大量可運動的電子或空穴，並沒有破壞整個半導體內正負電荷的平衡狀態。

P型半導體，也稱為空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。

(9)鐵酸鑭為什麼是p型半導體擴展閱讀：

一、特點

半導體中有兩種載流子：導帶中的電子和價帶中的空穴。 如果某一類型半導體的導電性主要依靠價帶中的空穴，則該類型的半導體就稱為P型半導體。

「P」表示正電的意思，取自英文Positive的第一個字母。在這類半導體中，參與導電的 (即電荷載體) 主要是帶正電的空穴，這些空穴來自半導體中的受主。

因此凡摻有受主雜質或受主數量多於施主的半導體都是p型半導體。例如，含有適量三價元素硼、銦、鎵等的鍺或硅等半導體就是P型半導體。

二、形成原理

要產生較多的空穴濃度就需依賴摻雜或缺陷。在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半導體。

對於Ⅳ族元素，半導體(鍺、硅等)需進行Ⅲ族元素的摻雜;對於Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體(如砷化鎵)，常用摻雜Ⅱ族元素來提供所需的空穴濃度;在離子晶體型氧化物半導體中，化學配比的微量偏移可造成大量電載荷流子。

氧量偏多時形成的缺陷可提供空穴，Cu₂O、NiO、VO₂等均是該類型的P型半導體，且當它們在氧壓中加熱後，空穴濃度將隨之增加.上述能給半導體提供空穴的摻雜原子或缺陷，均稱受主。