本徵半導體存在什麼現象

A. 什麼叫做本徵半導體

顧名思義：導電性能介於導體(conctor)與絕緣體(insulator)之間的材料，叫做半導體（semiconctor）． 物質存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導電性和導電導熱性差或不好的材料，如金剛石、人工晶體、琥珀、陶瓷等等，稱為絕緣體。而把導電、導熱都比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導體。可以簡單的把介於導體和絕緣體之間的材料稱為半導體。與導體和絕緣體相比，半導體材料的發現是最晚的，直到20世紀30年代，當材料的提純技術改進以後，半導體的存在才真正被學術界認可。 半導體的分類，按照其製造技術可以分為：分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。此外還有以應用領域、設計方法等進行分類，最近雖然不常用，單還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。 [編輯本段]半導體定義 電阻率介於金屬和絕緣體之間並有負的電阻溫度系數的物質。 半導體室溫時電阻率約在10E-5～10E7歐·米之間，溫度升高時電阻率指數則減小。 半導體材料很多，按化學成...

B. 本徵半導體怎麼回事

這種說法是有問題的，首先，電荷定向移動才可以形成電流，而本徵半導體這個名詞只代表一類物質，並不能說其中存在電流，正確的說法應該是：電子和空穴電荷量相等，凈電荷為0，表現為電中性。

C. 本徵半導體的特徵

本徵半導體(intrinsic semiconctor)是完全不含雜質且無晶格缺陷的純凈半導體。
特點：電子濃度＝空穴濃度，載流子少，導電性差，溫度穩定性差，所以，實際上少用，要摻雜後才實用。

D. 什麼是本徵半導體

本徵半導體是一種理想的狀態
定義為：完全沒有摻雜並且沒有缺陷的純凈的半導版體稱為本證半權導體
這種半導體在實際中是難以達到的，純凈度方面，雜質是很難避免的，無論再怎麼樣提純也都只能增加99.999%小數點後面的9，缺陷方面，在材料形成的過程中，無論是點缺陷，線缺陷，面缺陷還是體缺陷，都會或多或少存在於晶格結構之內。

E. 本徵半導體與參雜半導體有什麼不同

本徵半導體費米能級位於導帶底和價帶頂之間的中線上，導帶中的自由電子和價回帶中的空穴均很少，答因此常溫下導電能力低，但在光和熱的激勵下導電能力增強。

n型摻雜半導體的費米能級接近導帶底，導帶中的自由電子數高於本徵半導體，導電能力隨摻雜濃度提高而增強，屬於電子導電為主的半導體。

p型摻雜半導體的費米能級接近價帶頂，價帶中的空穴數高於本徵半導體，導電能力隨摻雜濃度提高而增強，屬於空穴導電為主的半導體。

F. 半導體有些什麼性質(效應)

沒有半導體你就提不了這個問了
在半導體中雜質 半導體中的雜質對電阻率的影響非常大。半導體中摻入微量雜質時，雜質原子附近的周期勢場受到干擾並形成附加的束縛狀態，在禁帶中產加的雜質能級。例如四價元素鍺或硅晶體中摻入五價元素磷、砷、銻等雜質原子時，雜質原子作為晶格的一分子，其五個價電子中有四個與周圍的鍺（或硅）原子形成共價結合，多餘的一個電子被束縛於雜質原子附近，產生類氫能級。雜質能級位於禁帶上方靠近導帶底附近。雜質能級上的電子很易激發到導帶成為電子載流子。這種能提供電子載流子的雜質稱為施主，相應能級稱為施主能級。施主能級上的電子躍遷到導帶所需能量比從價帶激發到導帶所需能量小得多（圖2）。在鍺或硅晶體中摻入微量三價元素硼、鋁、鎵等雜質原子時，雜質原子與周圍四個鍺（或硅）原子形成共價結合時尚缺少一個電子，因而存在一個空位，與此空位相應的能量狀態就是雜質能級，通常位於禁帶下方靠近價帶處。價帶中的電子很易激發到雜質能級上填補這個空位，使雜質原子成為負離子。價帶中由於缺少一個電子而形成一個空穴載流子（圖3）。這種能提供空穴的雜質稱為受主雜質。存在受主雜質時，在價帶中形成一個空穴載流子所需能量比本徵半導體情形要小得多。半導體摻雜後其電阻率大大下降。加熱或光照產生的熱激發或光激發都會使自由載流子數增加而導致電阻率減小，半導體熱敏電阻和光敏電阻就是根據此原理製成的。對摻入施主雜質的半導體，導電載流子主要是導帶中的電子，屬電子型導電，稱N型半導體。摻入受主雜質的半導體屬空穴型導電，稱P型半導體。半導體在任何溫度下都能產生電子-空穴對，故N型半導體中可存在少量導電空穴，P型半導體中可存在少量導電電子，它們均稱為少數載流子。在半導體器件的各種效應中，少數載流子常扮演重要角色
PN結 P型半導體與N型半導體相互接觸時，其交界區域稱為PN結。P區中的自由空穴和N區中的自由電子要向對方區域擴散，造成正負電荷在 PN 結兩側的積累，形成電偶極層(圖4 )。電偶極層中的電場方向正好阻止擴散的進行。當由於載流子數密度不等引起的擴散作用與電偶層中電場的作用達到平衡時，P區和N區之間形成一定的電勢差，稱為接觸電勢差。由於P 區中的空穴向N區擴散後與N區中的電子復合，而N區中的電子向P區擴散後與P 區中的空穴復合，這使電偶極層中自由載流子數減少而形成高阻層，故電偶極層也叫阻擋層，阻擋層的電阻值往往是組成PN結的半導體的原有阻值的幾十倍乃至幾百倍。
PN結具有單向導電性，半導體整流管就是利用PN結的這一特性製成的。PN結的另一重要性質是受到光照後能產生電動勢，稱光生伏打效應，可利用來製造光電池。半導體三極體、可控硅、PN結光敏器件和發光二極體等半導體器件均利用了PN結的特性。
基於PN結,就有了晶體管,才有了集成電路,電子產品中的各種晶元都是集成電路

G. 什麼本徵半導體什麼是雜質半導體它們各有什麼特徵

純凈晶體結構的半導體稱為本徵半導體，其自由電子濃度等於空穴濃度；摻入雜志的半導體稱為雜質半導體，其載流子明顯增多，導電性加強，其中N型半導體n>>p,P型半導體p>>n（n為自由電子濃度，p為空穴濃度）。

H. 什麼是本徵半導體

本徵半導體（intrinsic semiconctor)）

完全不含雜質且無晶格缺陷的純凈半導體稱為本徵半導體。實版際半導體不能絕對地純凈，權本徵半導體一般是指導電主要由材料的本徵激發決定的純凈半導體。更通俗地講，完全純凈的半導體稱為本徵半導體或I型半導體。硅和鍺都是四價元素，其原子核最外層有四個價電子。它們都是由同一種原子構成的「單晶體」，屬於本徵半導體。

I. 什麼是本徵半導體

完全純凈的､不含雜質的半導體稱為本徵半導體｡常見代表有硅､鍺這兩種元素的單晶體結構｡硅､鍺在元素周期表中屬於四族元素