apd在半導體是什麼

⑴ 什麼是半導體

鍺、硅、硒、砷化鎵及許多金屬氧化物和金屬硫化物等物體，它們的導電能力介於導體和絕版緣體之權間，叫做半導體。

半導體具有一些特殊性質。如利用半導體的電阻率與溫度的關系可製成自動控制用的熱敏元件（熱敏電阻）；利用它的光敏特性可製成自動控制用的光敏元件，像光電池、光電管和光敏電阻等。

半導體還有一個最重要的性質，如果在純凈的半導體物質中適當地摻入微量雜質測其導電能力將會成百萬倍地增加。利用這一特性可製造各種不同用途的半導體器件，如半導體二極體、三極體等。

把一塊半導體的一邊製成P型區，另一邊製成N型區，則在交界處附近形成一個具有特殊性能的薄層，一般稱此薄層為PN結。圖中上部分為P型半導體和N型半導體界面兩邊載流子的擴散作用（用黑色箭頭表示）。中間部分為PN結的形成過程，示意載流子的擴散作用大於漂移作用（用藍色箭頭表示，紅色箭頭表示內建電場的方向）。下邊部分為PN結的形成。表示擴散作用和漂移作用的動態平衡。

⑵ APD什麼意思啊

APD是指動作電位時來程自，是一個醫學概念，動作電位時程，英文縮寫：APD（action potential ration）。

APD的形成條件：

1、細胞膜兩側存在離子濃度差，細胞膜內K+濃度高於細胞膜外，而細胞外Na+、Ca2+、Cl-高於細胞內，這種濃度差的維持依靠離子泵的主動轉運。（主要是Na+-K+泵的轉運）。

2、細胞膜在不同狀態下對不同離子的通透性不同，例如，安靜時主要允許K+通透，而去極化到閾電位水平時又主要允許Na+通透。

3、可興奮組織或細胞受閾上刺激。

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APD的形成機制：

1、閾刺激或閾上刺激使膜對Na+的通透性增加，Na+順濃度梯度及電位差內流，使膜去極化，形成動作電位的上升支。

2、Na+通道失活，而 K+通道開放，K+外流，復極化形成動作電位的下降支。

3、鈉泵的作用，將進入膜內的Na+泵出膜外，同時將膜外多餘的 K+泵入膜內，恢復興奮前時離子分布的濃度。

⑶ 電氣中APD代表什麼

英文縮寫: APD (Avalanche Photo Diode)
中文譯名: 雪崩光電二極體
分類: 電信設備
解釋: 激光通信專中使用的光敏元件。屬在以硅或鍺為材料製成的光電二極體的P-N結上加上反向偏壓後，射入的光被P-N結吸收後會形成光電流。加大反向偏壓會產生「雪崩」（即光電流成倍地激增）的現象，因此這種二極體被稱為「雪崩光電二極體」。
資料拓展:APD的材料
理論上，在倍增區中可採用任何半導體材料：
硅材料適用於對可見光和近紅外線的檢測，且具有較低的倍增雜訊（超額雜訊）。
鍺(Ge)材料可檢測波長不超過1.7?m的紅外線，但倍增雜訊較大。
InGaAs材料可檢測波長超過1.6?m的紅外線，且倍增雜訊低於鍺材料。它一般用作異構(heterostructure)二極體的倍增區。該材料適用於高速光纖通信，商用產品的速度已達到10Gbit/s或更高。
氮化鎵二極體可用於紫外線的檢測。
HgCdTe二極體可檢測紅外線，波長最高可達14?m，但需要冷卻以降低暗電流。使用該二極體可獲得非常低的超額雜訊。

⑷ APD是什麼意思

apd
abbr. action potential ration 可縮短心房肌來;心室肌動作電位源的時程;ai...
[例句]And not only the north east : ireland 's example shows that low corporation tax and cut-price apd can attract businesses from far afield.
並且不僅是東北部：愛爾蘭的事例說明，低企業稅和廉價的航空乘客稅可以將商機由遠方吸引過來。

⑸ 什麼是半導體

半導體（ semiconctor），指常溫下導電性能介於導體（conctor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。

如二極體就是採用半導體製作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。

今日大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。

分類：

半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。

鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。

除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。

半導體的分類，按照其製造技術可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。

此外還有以應用領域、設計方法等進行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。

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發展歷史：

半導體的發現實際上可以追溯到很久以前。

1833年，英國科學家電子學之父法拉第最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同於一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現象的首次發現。

不久，1839年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生一個電壓，這就是後來人們熟知的光生伏特效應，這是被發現的半導體的第二個特徵。

1873年，英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體又一個特有的性質。

半導體的這四個效應，(jianxia霍爾效應的余績──四個伴生效應的發現)雖在1880年以前就先後被發現了，但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結出半導體的這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。

在1874年，德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關，即它的導電有方向性，在它兩端加一個正向電壓，它是導通的；如果把電壓極性反過來，它就不導電，這就是半導體的整流效應，也是半導體所特有的第三種特性。同年，舒斯特又發現了銅與氧化銅的整流效應。

很多人會疑問，為什麼半導體被認可需要這么多年呢？主要原因是當時的材料不純。沒有好的材料，很多與材料相關的問題就難以說清楚。

參考資料：

網路-半導體

⑹ 半導體中BOAC是什麼

BOAC,是一種焊墊設於有源電路上方焊接的集成電路結構，也叫「有源電路上凸點」。

下面的英文段落供參考。
A BOAC/COA of a semiconctor device is manufactured by forming a conctive pad over a semiconctor device, forming a passivation oxide film over the semiconctor device including the conctive pad, forming an oxide film over the entire surface of the conctive pad and the passivation oxide film, forming an oxide film pattern defining a bond pad region on the conctive pad, sequentially forming a barrier film and a metal seed layer over the oxide film pattern, the passivation oxide film and the conctive pad, forming a metal layer over the metal seed layer, planarizing the metal layer exposing the oxide film pattern and portions of the barrier film and the metal seed layer, and removing the oxide film pattern by an etching process.