本徵半導體摻了什麼材料得到p

❶ P型半導體是在本徵半導體參入五價元素獲得的。

P型半導體不是復在本徵半導體制參入五價元素獲得的。
在本徵半導體中摻入5價的元素可以得到N型半導體。例如，現在用的最多的硅本徵半導體，摻入5價的元素磷或銻都可以，使其轉變為N型半導體。
在本徵半導體中摻入微量的3價元素等元素雜質時的半導體,稱為P型半導體。

❷ 在本徵半導體中摻入"什麼"價元素得N型半導體

本徵半導體材料就是沒有缺陷和雜質的半導體材料。你說的摻入什麼元素回可以得到N型半導體，取答決於你的半導體是什麼元素構成的，是元素半導體還是化合物半導體等等這些情況。另外，對於確定的半導體材料，一種確定的雜質摻入後材料顯示P型還是N型，和雜質進入半導體材料後在晶格中的位置有關系。常見的，有替位式的，也有間隙式的。

❸ 在本徵半導體中加入（ ）元素可形成P型半導體。

在本徵半導體硅（或鍺）中摻入微量的5價元素,例如磷,則磷原子就取代了硅晶回體中少量的答硅原子,占據晶格上的某些位置.磷原子最外層有5個價電子,其中4個價電子分別與鄰近4個硅原子形成共價鍵結構,多餘的1個價電子在共價鍵之外,只受到磷原子對它微弱的束縛,因此在室溫下,即可獲得掙脫束縛所需要的能量而成為自由電子,游離於晶格之間.失去電子的磷原子則成為不能移動的正離子.磷原子由於可以釋放1個電子而被稱為施主原子,又稱施主雜質.
在本徵半導體中每摻入1個磷原子就可產生1個自由電子,而本徵激發產生的空穴的數目不變.這樣,在摻入磷的半導體中,自由電子的數目就遠遠超過了空穴數目,成為多數載流子（簡稱多子）,空穴則為少數載流子（簡稱少子）.

❹ 本徵半導體摻入三價元素硼為什麼會形成P型半導體+3價為什麼還是負離子

你看圖，在圈裡的黑點都是電子，形成了固定的化學鍵，不能亂動，所以無法回作為載流子。
白點空穴，答就是那個白點沒電子，所以白點沒有形成固定的化學鍵，可以移動，作為載流子形成電流。
空穴是載流子的時候就是p型半導體，positive，因為空穴是帶正電的。
+3價是最外層電荷數，和陰離子沒關系，因為中性的硼最外層3個電子，現在有4個，比原來多1個，所以是陰離子。
比如食鹽NaCl，Cl-也是陰離子，最外層電荷+7，現在形成食鹽後，最外層有8個電子，比原來多一個，所以是陰離子。

❺ 本徵半導體摻入三價元素硼為什麼會形成P型半導體+3價為什麼還是負離子

你看圖，在圈裡的黑點都是電子，形成了固定的化學鍵，不能亂動，所以無法作為載流專子。
白點空穴，就屬是那個白點沒電子，所以白點沒有形成固定的化學鍵，可以移動，作為載流子形成電流。
空穴是載流子的時候就是p型半導體，positive，因為空穴是帶正電的。
+3價是最外層電荷數，和陰離子沒關系，因為中性的硼最外層3個電子，現在有4個，比原來多1個，所以是陰離子。
比如食鹽NaCl，Cl-也是陰離子，最外層電荷+7，現在形成食鹽後，最外層有8個電子，比原來多一個，所以是陰離子。

❻ 本徵半導體中摻入（）族元素，例如（），得到p型半導體，p型半導體的空穴濃度（）自由電子濃度，而自由

摻IIIA族元素得到P型半導體，如硼元素，摻VA族元素得到N型半導體，如磷元素。P型中空穴濃度高，N型中自由電子多。

❼ p型半導體是在本徵半導體中滲透了什麼物質形成的

答案：p型半導體是在本徵半導體中滲透了（三價元素（如硼））物質形成的
P型半導體回，也稱為答空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。是在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。

❽ 設計一個實驗,首先將一塊本徵半導體變為p型半導體，然後再設濃度使它變成n型半導體

硅(Si)材料中離子注入硼或者硼源高溫爐管參雜低濃度。比如1e14，這時候為版p型半導體，再對該權材料子注入磷或或者磷源(如PH3,POCl3)高溫爐管參雜高濃度，比如5e14，這時候該材料轉為N型半導體。

通過注入、氣態源、液態源、固態源擴散進行摻雜可獲得N型或P型半導體，例如，摻入硼可得到P型，摻入磷或砷可得到N型。

比如硅材料中參入3價元素雜質（如硼），雜質原子貢獻一個空穴，使得原本徵半導體成為P型半導體，參入5價元素（如砷）可使得雜質原子貢獻1個自由價電子，使得原本徵半導體成為N型半導體。

(8)本徵半導體摻了什麼材料得到p擴展閱讀：

在一定溫度下，電子－空穴對的產生和復合同時存在並達到動態平衡，此時本徵半導體具有一定的載流子濃度，從而具有一定的電導率。加熱或光照會使半導體發生熱激發或光激發，從而產生更多的電子－空穴對，這時載流子濃度增加，電導率增加。

半導體熱敏電阻和光敏電阻等半導體器件就是根據此原理製成的。常溫下本徵半導體的電導率較小，載流子濃度對溫度變化敏感，所以很難對半導體特性進行控制，因此實際應用不多。

❾ 本徵半導體摻雜成p型半導體中雜質的要求

1）首先要選擇什麼雜質
-
如果要摻雜成P型半導體可以選擇B和BF和In.
-B是最常用的
-In和BF的質量比較大，適合於淺摻雜
-BF中的F可能對HCI或者NBTI