半導體蒸鍍干什麼的

⑴ 蒸鍍生產光學鏡片時有什麼優缺點相比濺鍍又如何

蒸鍍 (Evoaporation)及濺鍍 (Sputtering)

所謂的物理氣相沉積 (Physical Vapor Deposition, PVD)，就是以物理現象的方式，來近進行薄膜沉積的一種技術。在半導體製程中主要的PVD技術，有蒸鍍 (Evoaporation)及濺鍍 (Sputtering) 等兩種。前者是藉著對被蒸鍍物體
加熱，利用被蒸鍍物在接近熔點時的高溫所具備的飽和蒸氣壓，來進行薄膜沉積；而後者，則是利用電漿所產生的離子，藉著離子對被濺鍍物電極(Electrode) 的轟擊(Bombardment)，使電漿的氣相 (Vapor phase) 內具有被鍍物的原子，然後產
生沉積鍍膜。本次微機電的實驗為使用濺鍍的方式來進行薄膜沉積。

http://www2.nkfust.e.tw/~jcyu/Course/MEMS Lab/q.pdf

蒸鍍
蒸鍍鍍膜就是在真空中通過電流加熱、電子束轟擊加熱和鐳射加熱等方法，使薄膜材料蒸鍍成為原子或分子，它們隨即以較大的自由程作直線運動，碰撞基片表面而凝結，形成一層薄膜．蒸鍍鍍膜要求鍍膜室內殘余氣體分子的平均自由程大於蒸鍍源到基片的距離，盡可能減少蒸鍍物的分子與氣體分子碰撞的機會，這樣才能保證薄膜純凈和牢固，蒸鍍物也不至於氧化
在蒸鍍鍍膜過程中，要想控制蒸鍍速率，必須精確控制蒸鍍源的溫度．蒸鍍鍍膜最常用的加熱方法是電阻大電流加熱．採用鎢、鉬、鉭、鉑等高熔點化學性能穩定的金屬，做成適當形狀的加熱源，其上裝入待蒸鍍材料，讓電流通過，對蒸鍍材料進行直接加熱蒸鍍，或者把待蒸鍍材料放入氧化鋁、氮化硼或石墨等坩堝中進行間接加熱蒸鍍．例如蒸鍍鋁膜，鋁的熔點為659 ℃，到1100 ℃時開始迅速蒸鍍，常選用鎢絲作為加熱源，鎢的熔化溫度為380 ℃．在真空鍍膜中，飛抵基片的氣化原子或分子，除一部分被反射外，其於的被吸附在基片的表面上．被吸附的原子或分子在基片表面上進行擴散運動，一部分在運動中因相互碰撞而結聚成團，另一部分經過一段時間的滯留後，被蒸鍍而離開基片表面．聚團可能會與表面擴散原子或分子發生碰撞時捕獲原子或分子而增大，也可能因單個原子或分子脫離而變小．當聚團增大到一定程度時，便會形成穩定的核，核再捕獲到飛抵的原子或分子，或在基片表面進行擴散運動的原子或分子就會生長．在生長過程中核與核合成而形成網路結構，網路被填實即生成連續的薄膜．顯然，基片的表面條件（例如清潔度和不完整性）、基片的溫度以及薄膜的沉積速率都將影響薄膜的品質．

http://www.phys.ncyu.e.tw/~science/Textbook/95-NCYU-DAP-2-Thin-Film.doc

濺鍍
一般濺鍍現象多在兩極間施加一直流電壓，因此又稱為直流濺鍍，通常是利用氣體的輝光放電效應，產生正離子束撞擊靶原子。直流濺鍍不能用來濺鍍絕緣體，因為在直流濺鍍時，撞擊陰極靶材的離子所帶的電荷不能被中和而停留在靶面上，使靶材變成帶正電而阻止正電荷離子靠近，但用射頻（RF）濺鍍則可避免這個問題。所謂的射頻濺鍍是在介電質靶材背面加一金屬電極且改用射頻交流電（13.56 MHz），因為電子比正離子跑得快，在射頻的正半周期已飛向靶面中和了負半周期所累積的正電荷，由於頻率相當快，正離子一直留在電漿區，對靶材（陰極）仍維持相當高的正電位，因此濺射得以繼續進行。所以射頻濺鍍法不僅可以濺鍍金屬，也可以濺鍍絕緣體材料，其鍍膜速率較直流濺鍍快、成膜均勻、緻密度高、成分與靶材差異小且與基板附著性佳。直流濺鍍及射頻濺鍍，帶電粒子的行進路線是沿著電場方向作直線運動，產生的電漿游離率並不高，大多數的氣體原子都是不帶電的，此種不帶電的原子無法被加速而產生濺鍍，導致濺鍍效率降低，為了提高氣體的游離率及濺鍍效率，一般會在靶材上加裝磁場，形成所謂的磁控濺鍍。

http://www.ntut.e.tw/~wwwemo/instrument_manual/sputter.htm

⑵ 蒸鍍機的工作原理是什麼

通過在真空蒸鍍機復上設置對於從蒸發制室（18）側朝玻璃基板（12）側流入的蒸鍍材料（15）的蒸氣量在玻璃基板（12）的板寬度方向L均勻地控制的閥部件（21）；以及在玻璃基板（12）的下面側以平行於玻璃基板（12）的被蒸鍍面的方式配置，且在蒸鍍室（25a）內對蒸鍍材料（15）的蒸氣進行面內分布和流動的調整的多孔擋板（23），從而謀求對於玻璃基板（12）的板寬度方向L的蒸鍍均勻化。由此，本發明能夠提供一種即使對大型基板也能形成蒸鍍材料的蒸氣的均勻流動同時，還能控制蒸氣分布，從而能夠對蒸鍍進行均勻化的真空蒸鍍機。

⑶ 真空鍍膜機是干什麼用的

真空鍍膜機 主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括版真空離子蒸發，權磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種

適用范圍：
1．建築五金：衛浴五金（如水龍頭）．門鎖．門拉手．衛浴、五金合葉、傢具等。
2．製表業：可用於表殼．表帶的鍍膜、水晶製品。
3．其它小五金：皮革五金．不銹鋼餐具．眼鏡框、刀具、模具等．
4．大型工件：汽車輪轂、不銹鋼板．招牌．雕塑等。
5、不銹鋼管和板（各種類型表面）
6、傢具、燈具、賓館用具。
7、鎖具、拉手、衛浴五金、高爾夫球頭、不銹鋼餐具、器血等五金製品鍍超硬裝飾膜。
8、手錶、表帶、眼鏡、首飾等裝飾品鍍超耐磨裝飾（金銀）納米膜和納米膜和納米疊層膜。

操作程序：
真空鍍膜機操作程序具體操作時請參照該設備說明書和設備上儀表盤指針顯示及各旋鈕下的標注說明。

⑷ 真空鍍膜是真空蒸鍍嗎兩者范圍大小我不太清楚 還事說真空鍍膜還包括了濺射鍍膜

【古德邦】在真空中制備膜層，包括鍍制晶態的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖然化學汽相沉積也採用減壓、低壓或等離子體等真空手段，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。
通過加熱蒸發某種物質使其沉積在固體表面，稱為蒸發鍍膜。這種方法最早由M.法拉第於1857年提出，現代已成為常用鍍膜技術之一。蒸發鍍膜與其他真空鍍膜方法相比，具有較高的沉積速率，可鍍制單質和不易熱分解的化合物膜。
濺射鍍膜是指用高能粒子轟擊固體表面時能使固體表面的粒子獲得能量並逸出表面，沉積在基片上。濺射現象於1870年開始用於鍍膜技術，1930年以後由於提高了沉積速率而逐漸用於工業生產。
蒸發物質的分子被電子碰撞電離後以離子沉積在固體表面，稱為離子鍍。這種技術是D.麥托克斯於1963年提出的。離子鍍是真空蒸發與陰極濺射技術的結合。離子鍍工藝綜合了蒸發（高沉積速率）與濺射（良好的膜層附著力）工藝的特點，並有很好的繞射性，可為形狀復雜的工件鍍膜。更多真空鍍膜技術請參看http://www.goodbong.cn

⑸ 二極體氣敏感測器的工作原理是什麼

有兩種原理不同的氣敏二極體。
其中的「金屬氧化物氣敏二極體」是在硅半導體材料表面（隔著一層氧化硅絕緣層）蒸鍍一層對各種氣體敏感的金屬氧化物，比如氧化鎘，氧化鈦，氧化鋅...等等。這些金屬氧化物遇到特定的敏感氣體分子時會改變介電常數，導致二極體的結電容發生變化。通過測量二極體的結電容可以測量敏感氣體的濃度。

⑹ 蒸鍍的蒸鍍優點

1.能在金屬、半導體、絕緣體甚至塑料、紙張、織物表面上沉積金屬、半導體版、權絕緣體、不同成分比的合金、化合物及部分有機聚合物等的薄膜，其適用范圍之廣是其它方法無法與之比擬的
2.可以不同的沉積速率、不同的基板溫度和不同的蒸氣分子入射角蒸鍍成膜，因而可得到不同顯微結構和3.結晶形態（單晶、多晶或非晶等）的薄膜;
4.薄膜的純度很高
5.易於在線檢測和控制薄膜的厚度與成分。厚度控制精度最高可達單分子層量級
6.排出污染物很少且基本上沒有，無「三廢」公害；

⑺ 半導體是什麼

半導體
鍺、硅、硒、砷化鎵及許多金屬氧化物和金屬硫化物等物體，它們的導電能力回介於導體和絕答緣體之間，叫做半導體。
半導體具有一些特殊性質。如利用半導體的電阻率與溫度的關系可製成自動控制用的熱敏元件（熱敏電阻）；利用它的光敏特性可製成自動控制用的光敏元件，像光電池、光電管和光敏電阻等。
半導體還有一個最重要的性質，如果在純凈的半導體物質中適當地摻入微量雜質測其導電能力將會成百萬倍地增加。利用這一特性可製造各種不同用途的半導體器件，如半導體二極體、三極體等。
把一塊半導體的一邊製成P型區，另一邊製成N型區，則在交界處附近形成一個具有特殊性能的薄層，一般稱此薄層為PN結。圖中上部分為P型半導體和N型半導體界面兩邊載流子的擴散作用（用黑色箭頭表示）。中間部分為PN結的形成過程，示意載流子的擴散作用大於漂移作用（用藍色箭頭表示，紅色箭頭表示內建電場的方向）。下邊部分為PN結的形成。表示擴散作用和漂移作用的動態平衡。

⑻ 為什麼金屬表面不能做真空蒸鍍加工

為什麼金屬表面不能做真空蒸鍍加工
金屬加熱至蒸發溫度。然後蒸汽從真空室轉移，內在低溫容零件上凝結。該工藝在真空中進行，金屬蒸汽到達表面不會氧化。
在對樹脂實施蒸鍍時，為了確保金屬冷卻時所散發出的熱量不使樹脂變形，有必須對蒸鍍時間進行調整。此外，熔點、沸點太高的金屬或合金不適合於蒸鍍。在真空中制備膜層，包括鍍制晶態的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖然化學汽相沉積也採用減壓、低壓或等離子體等真空手段，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

⑼ 蒸鍍的蒸鍍工藝

1、cvd用原料化合物及其製造方法及銥或銥化合物薄膜的化學氣相蒸鍍法
2、cvd用原料化合物及銥或銥化合物薄膜的化學氣相蒸鍍方法
3、cvd用原料化合物以及釕或釕化合物薄膜的化學氣相蒸鍍方法
4、彩色陰極射線管及其製造方法和蒸鍍用復合材料
5、層壓薄膜和使用它的蒸鍍薄膜
6、除塵裝置、蒸鍍機台及以其進行清潔遮罩的方法
7、帶有磁鐵的等離子體的連續蒸鍍裝置
8、等離子體蒸鍍設備防止凝縮裝置
9、電激發光顯示板的製造方法及蒸鍍遮罩
10、電激發光元件的製造方法及蒸鍍遮罩
11、改進型蒸鍍方法
12、高溫超導薄膜雙面蒸鍍技術及其裝置
13、金屬蒸鍍薄膜、其製造方法及使用它的電容器
14、利用等離子體的高分子膜連續蒸鍍裝備的電極固定裝置
15、利用等離子體的高分子膜連續蒸鍍裝置清洗方法
16、利用蒸鍍夾具的手機外殼emi層真空蒸鍍方法及夾具
17、連續式蒸鍍濺鍍機
18、免蒸鍍的硬式帶式自動焊接封裝方法
19、鋅蒸鍍薄膜及金屬化薄膜電容器
20、掩模蒸鍍方法及裝置、掩模及其製造方法、顯示板製造裝置
21、氧化鎂蒸鍍材料
22、一氧化硅蒸鍍材料及其製造方法、製造原料和製造裝置
23、一氧化硅蒸鍍材料及其製造方法
24、一種利用強電場的真空熱蒸鍍成膜方法
25、一種用於半導體激光器腔面蒸鍍的非接觸固定方式的夾具
26、陰極電弧蒸鍍方式淀積類金剛石碳膜的制備方法
27、用於鐳射壓印蒸鍍的雙向拉伸聚丙烯基膜
28、用於鐳射壓印蒸鍍的雙向拉伸聚丙烯基膜及其製造方法
29、用於生產高折射率光學塗層的蒸鍍用材料
30、用於製作有機電致發光顯示器的蒸鍍裝置
31、有機el元件製造用蒸鍍裝置的室內的清洗方法
32、有機場致發光膜蒸鍍用蒸鍍源
33、有機發光二極體蒸鍍機台
34、有機膜蒸鍍方法
35、在光學基片上蒸鍍鍍膜的方法
36、在光學基片上蒸鍍鍍膜的真空鍍膜設備
37、真空電弧蒸鍍方法及裝置
38、真空蒸鍍設備用的蒸鍍裝置
39、蒸鍍材料及其利用該材料製造光學薄膜
40、蒸鍍材料其制備方法和用該材料制備光學塗層方法
41、蒸鍍方法及顯示裝置的製造方法
42、蒸鍍方法及蒸鍍裝置
43、蒸鍍膜
44、蒸鍍掩模及製法、顯示裝置及製法以及具有其的電子機器
45、蒸鍍用坩鍋
46、蒸鍍用掩模及其製造方法
47、蒸鍍裝置
48、蒸鍍裝置
49、蒸鍍裝置
50、蒸鍍裝置
51、直接蒸鍍用樹脂組合物、使用該組合物的模塑製品以及表面金屬化處理的燈罩
52、製作電致發光顯示器的、使用電磁鐵的蒸鍍裝置及採用此裝置的蒸鍍方法