非本徵半導體怎麼理解

『壹』 為什麼本徵半導體的電導率低於非本徵半導體

我以來N型半導體給你舉一個例子源：
單位體積的硅原子數為10^22cm^-3,若雜質含量為10^-4（萬分之一），則雜質原子濃度為10^18cm^-3。在常溫下，雜質能級上的電子即使只有十分之一被激發到導帶中，其濃度也為10^17cm^-3。而常溫下硅的本徵載流子濃度只有10^10cm^-3的量級。可見N型半導體中多數載流子是電子，而少數載流子是本徵載流子（電子空穴對）。
可見，在室溫附近，許多元素半導體本徵載流子為數極少，所以本徵半導體電阻仍很高。而在同一溫度下，摻雜半導體的導電能力為本徵半導體的數百倍及其以上。

『貳』 關於本徵半導體

問題一

樓主的問題在於對半導體載流子濃度的數量級沒有認識，打個比方：以版硅材料為列，硅常溫下本證載流權子濃度在10個零左右，如果製作BJT基區，參雜一般在17到19個零之間，就已參雜18個零為列，這時候電子濃度為18個零，當溫度升高後，加入本證激發提高到了一萬倍，這時候空穴濃度就是14個零，比原來增加了一萬倍，而電子的濃度變成了18個零加上14個零，變成了原來的1.0001倍。
可見，常溫完全電離情況下，多子濃度幾乎與溫度無關，而少子濃度則對溫度很敏感。
問題二
對於第二個問題是因為樓主對NP=ni*ni沒有理解，建議樓主親自推到一下這個公式的來歷加深一下理解。
首先這個公式只有對平衡狀態下的半導體才會成立，也就是電子和空穴有同一的費米能級，處於電場中的半導體處於非平衡態，沒有統一的費米能級，而是引入了准費米能級的概念。
希望對樓主有用，望採納！

『叄』 p 型半導體的空穴是什麼怎麼理解

p 型半導體的空穴是電子讓出的位子，理解成電路們「玩大風吹」是成型的關鍵。

『肆』 什麼是本徵半導體什麼是雜質半導體（N型、P型）

本徵半導體是非常純凈不含雜質的半導體晶體，而在單晶半導體內，原子按晶體結構排列得非常整齊。
雜質半導體就是摻入微量元素的本徵半導體，例：N型摻入五價元素磷，P型摻入三價元素硼。

『伍』 解釋一下金屬和本徵半導體作為溫度功能元件時的熱導率的差異.

金屬的來熱導率大於半導體的熱導源率。
假如：這個溫度功能元件是熱電偶。
當用金屬做熱電偶時，由於金屬的熱導率較好，所以它的溫差不太大，導致載流子的濃度差不大，所以熱電偶的熱電動勢較小；
當用半導體做熱電偶時，由於半導體的熱導率較小，所以它的溫差較大，導致載流子的濃度差較大，所以熱電偶的熱電動勢較大。
所以，半導體材料（一般都用非本徵半導體的P、N型配對）做的熱電偶較一般金屬做的熱電偶，效果更為明顯。
（供參考）

『陸』 非本徵半導體的介紹

當向半導體中添加受主或施主物質(稱為摻雜物)，通過施主型雜質解離向導帶注入電子或受主型雜質俘獲價帶電子產生了自由載流子，使本徵半導體產生額外的電導，成為非本徵半導體。

『柒』 為什麼雜志半導體只有2種，為什麼那個本徵半導體不能摻入二價元素啊求高手解答。

半導體導電有兩種，一種是多電子下的電子導電，另一種是少電子下的空穴導電。

『捌』 為什麼在非本徵半導體中空穴和載流子乘積恆定

不管n型還是p型半導體，本質都是電子在移動實現導電。空穴導電只是形回象的說明這一現象答罷了。
本徵態的半導體中空穴和電子數相等，而p型半導體空穴多餘電子，因為一些電子跑到雜質能級或導帶上去了，從而價帶中的電子可以在一個空穴跑到另一個空穴，實現導電。而在原來的地方留下一個空穴，因此就好像空穴運動一樣，故稱為空穴導電。
電子導電和空穴導電的區別在於：
電子導電是導帶中的電子導電，空穴導電是價帶中電子導電
僅做參考

『玖』 什麼是本徵半導體

本徵半導體（intrinsic semiconctor)）

完全不含雜質且無晶格缺陷的純凈半導體稱為本徵半導體。實版際半導體不能絕對地純凈，權本徵半導體一般是指導電主要由材料的本徵激發決定的純凈半導體。更通俗地講，完全純凈的半導體稱為本徵半導體或I型半導體。硅和鍺都是四價元素，其原子核最外層有四個價電子。它們都是由同一種原子構成的「單晶體」，屬於本徵半導體。

『拾』 本徵半導體的脂性有那些並一半例說明

1、光電效應、康普頓散射證明電磁波除了具有波動性外...1、什麼是半導體材料?常見的半導體材料有哪些? 2、...並以非本徵半導體為例解釋半導體為什麼具有負溫度系數