為什麼半導體表面能帶會發生彎曲

① 能帶彎曲是由極化效應還是內建電場引起的

如果你說的是半導體與電解液接觸的話，那麼：能帶彎曲與半導體/電解液結有關回對於一個n型半導體當答其費米能級等於平帶電勢時，半導體與電解液之間沒有電荷流轉，在半導體與電解液接觸界面兩側沒有多餘電荷，因此在固液界面的半導體一側不會出現能帶彎曲。如果電子從電解液流向半導體（即半導體的費米能級低於電解液中氧化還原電對電勢），此時在固液界面的半導體一側得到的是累積層，半導體靠近界面處的能帶彎曲方向朝下。如果電子從半導體流入電解液（即半導體的費米能級高於電解液中氧化還原電對電勢），此時在固液界面的半導體一側得到的是耗盡層（由不能移動的帶正電的電子施主形成），半導體靠近界面處的能帶彎曲方向朝上。如果電子過多的從半導體流入電解液以至於固液界面處的電子濃度低於半導體的本徵電子濃度，此時在固液界面的半導體一側得到的是反型層，半導體靠近界面處的能帶彎曲朝上加劇，同時半導體表面呈現p型特徵（半導體體相依舊為n型）。p型半導體與電解液接觸形成半導體/電解液結的原理與n型半導體相同，只是在p型半導體中可移動的載流子為空穴。（來自馮建勇博士論文：(氧)氮化物的制備及其光電化學水分解性能的研究）

② 半導體表面區的能帶圖，並說明會出現何種現象，回答正偏強反型的條件是什麼

半導體表面能帶彎曲，出現反型層時，就認為是強反型，這時半導體的表面勢專=Fermi勢。參見「http://blog.163.com/xmx028@126/」中的有關說明屬。

③ TiO2勢壘高度受表面態控制嗎

表面態是由晶體表面的離子鍵不飽和或者表面落入灰塵離子等雜質造成的，因回為在表面的帶電答粒子都會有向內擴散的趨勢，必然會引起能帶彎曲。前者引起的能帶彎曲多數是向上的，因為表面態為游離電子，體內電子到達表面難度增加，勢壘向上彎曲。這種表面態的引入是可控的。後者引起的能帶彎曲是不可控的，而且是有害的，因為半導體向著未知的性能變化，如果引入了離子雜質如Na，更會向半導體內部擴展，變成廢品。不飽和離子鍵引起的能帶彎曲可以由公式得到 Vbi是禁帶寬度，Nd1是表面態濃度，Na2是體內摻雜濃度（or硅離子的有效濃度）。在後半導體中表面態不明顯，在薄半導體中表面態濃度不能被忽略，當表面態濃度狀態足夠大時會出現箝位現象，即勢壘高度完全有表面態濃度決定，無論形成肖特基二極體是何種金屬都不會改變勢壘高度。通過這種技術可以有效自由地控制肖特基二極體的勢壘高度，在微電子甚至納電子領域都有所影響。

④ 金半接觸時，半導體的真空能級會彎曲嗎

因為N型半導體抄的功函數小於金屬襲的功函數，所以當N型半導體與金屬接觸時，N型半導體中的電子將向金屬一邊轉移，結果就造成半導體表面空間電荷區中有正電荷，在金屬表面（界面）上有負電荷，從而產生一個由半導體指向金屬表面的電場。.....可參見「」網頁中的有關說明以及網路中的「pn結勢壘」詞條。

⑤ 半導體器件能帶圖

1.上升下降是相對的，當電勢在p和n兩邊都有降低時（一般都是這樣，單邊突變結某一邊將版的更多），那接觸權時就是p上升，n下降
2.真空能級未變
3.異質結看費米能級，保持接觸點能級位置升降到兩邊費米能級一致即可

⑥ 半導體物理中電場的存在對半導體能帶的具體影響

請再把你要問的問題說清楚."也一起隨著上升或下降了",這句話,不能理解.
你前面說的對呀,存在電場版就是有附加勢權能.重復一下你的反例?

電場能夠使空間電勢變化,沒有電場電勢不變化.電勢的絕對值是沒有意義的,所以半導體中無電場部分必然是"近鄰"半導體區域中電勢的延伸(就是和最近鄰等勢),所以由於結中電勢的變化,導致pn兩側產生電勢差.而"結"是維持兩側電勢差的原因.
所以你的理解,有電場電勢才變化,本身是對的,但你用錯了,因為這意味著無電場電勢不變化,變化指的是,都無電場的那部分區域的電勢比較,無變化.

⑦ 【固體物理學】為什麼金屬與半導體接觸，內建場會造成能帶彎曲

您好，小復子不才，願嘗試制為您解答。
（1）半導體禁帶寬度不變，導帶向上彎曲，價帶自然向上彎曲；既然是N型半導體，空穴就是少子，它的變化可以忽略。糾結它的能量變化沒什麼意義。
（2）穩定之後的系統，費米能級是水平的，不是彎曲的。空間電荷區外應該具體一點。如果是半導體內部，費米能級是水平的，Efs沒有彎曲，保持電中性。如果是金屬一側，Efm也是與Efs在一條水平線上，也沒有彎曲。費米能級對x的變化率與nu的積等於電流密度。

⑧ 半導體物理中的金屬半導體接觸，怎麼看看能帶向上彎曲還是向下

如果你抄說的是半導體襲與電解液接觸的話，那麼：能帶彎曲與 半導體/電解液結 有關
對於一個n型半導體當其費米能級等於平帶電勢時，半導體與電解液之間沒有電荷流轉，在半導體與電解液接觸界面兩側沒有多餘電荷，因此在固液界面的半導體一側不會出現能帶彎曲。如果電子從電解液流向半導體（即半導體的費米能級低於電解液中氧化還原電對電勢），此時在固液界面的半導體一側得到的是累積層，半導體靠近界面處的能帶彎曲方向朝下。如果電子從半導體流入電解液（即半導體的費米能級高於電解液中氧化還原電對電勢），此時在固液界面的半導體一側得到的是耗盡層（由不能移動的帶正電的電子施主形成），半導體靠近界面處的能帶彎曲方向朝上。如果電子過多的從半導體流入電解液以至於固液界面處的電子濃度低於半導體的本徵電子濃度，此時在固液界面的半導體一側得到的是反型層，半導體靠近界面處的能帶彎曲朝上加劇，同時半導體表面呈現p型特徵（半導體體相依舊為n型）。p型半導體與電解液接觸形成半導體/電解液結的原理與n型半導體相同，只是在p型半導體中可移動的載流子為空穴。（來自馮建勇博士論文：(氧)氮化物的制備及其光電化學水分解性能的研究）

⑨ MIS半導體表面能帶

取決於復M I S的三個的費米能級，制S的摻雜是P型還是N型，金屬的費米能級就是功函數，這個和二極體原理一樣的。 把三個費米能級計算出來，平移下就可以了，所有的Ef在你條直線上，把其它能級用曲線連接起來就好了。能級計算 Ei-Ef=kt/q*ln(Na/Ni)