半導體二極體工作在什麼區時

A. 二極體特性曲線中，穩壓管工作在哪段區域（譬如單向導通，反向截止還是反向擊穿）

在二極體特性曲線中，穩壓管工作在擊穿區。
穩壓二極體的正向特性與普通二極專管相同，而屬反向特性卻比較特殊：當反向電壓加到 一定程度時，雖然管子呈現擊穿狀態，通過較大電流，卻不損毀，並且這種現象的重復性很好；反過來看，只要管子處在擊穿狀態，盡管流過管子的電在變化很大， 而管子兩端的電壓卻變化極小起到穩壓作用。
所以只有穩壓管工作在反向擊穿區，才能起到穩壓作用。

B. 半導體穩壓二極體工作在穩壓狀態的時候，它的PN結處於一個什麼樣的狀態呢

半導體穩壓二極體工作在穩壓狀態的時候，它的PN結當然是處於反向導通狀態啦！

C. 穩壓二極體一般工作在哪個區

穩壓二極體是利用PN結反向擊穿特性所表現出的穩壓性能製成的器件。穩壓二極體也稱齊納二極體或反向擊穿二極體，在電路中起穩定電壓作用。它是利用二極體被反向擊穿後，在一定反向電流范圍內反向電壓不隨反向電流變化這一特點進行穩壓的。穩壓二極體通常由硅半導體材料採用合金法或擴散法製成。它既具有普通二極體的單向導電特性，又可工作於反向擊穿狀態。在反向電壓較低時，穩壓二極體截止；當反向電壓達到一定數值時，反向電流突然增大，穩壓二極體進入擊穿區，此時即使反向電流在很大范圍內變化時，穩壓二極體兩端的反向電壓也能保持基本不變。但若反向電流增大到一定數值後，穩壓二極體則會被徹底擊穿而損壞。穩壓二極體根據其封裝形式、電流容量、內部結構的不同可以分為多種類型。穩壓二極體根據其封裝形式可分為金屬外殼封裝穩壓二極體、玻璃封裝（簡稱玻封）穩壓二極體和塑料封裝（簡稱塑封）穩壓二極體。塑封穩壓二極體又分為有引線型和表面封裝兩種類型。穩壓管的主要參數有：①穩壓值VZ。指當流過穩壓管的電流為某一規定值時，穩壓管兩端的壓降。②電壓溫度系數。穩壓管的穩壓值VZ的溫度系數在VZ低於4V時為負溫度系數值；當VZ的值大於7V時，其溫度系數為正值；而VZ的值在6V左右時，其溫度系數近似為零。目前低溫度系數的穩壓管是由兩只穩壓管反向串聯而成，利用兩只穩壓管處於正反向工作狀態時具有正、負不同的溫度系數，可得到很好的溫度補償。③動態電阻rZ。表示穩壓管穩壓性能的優劣，一般工作電流越大，rZ越小。④允許功耗PZ。由穩壓管允許達到的溫升決定，小功率穩壓管的PZ值為100～1000mW,大功率的可達50W。⑤穩定電流IZ。測試穩壓管參數時所加的電流。實際流過穩壓管的電流低於IZ時仍能穩壓，但rZ較大。穩壓管的最主要的用途是穩定電壓。在要求精度不高、電流變化范圍不大的情況下，可選與需要的穩壓值最為接近的穩壓管直接同負載並聯。在穩壓、穩流電源系統中一般作基準電源，也有在集成運放中作為直流電平平移。其存在的缺點是雜訊系數較高，穩定性較差。
2011/8/618:43:12

D. 二極體工作在反向擊穿區時

穩壓二極復管是一個特殊的制面接觸型的半導體硅二極體，其v-a特性曲線與普通二極體相似，但反向擊穿曲線比較陡~穩壓二極體工作於反向擊穿區，由於它在電路中與適當電陰配合後能起到穩定電壓的作用，故稱為穩壓管。穩壓管反向電壓在一定范圍內變化時，反向電流很小，當反向電壓增高到擊穿電壓時，反向電流突然猛增，穩壓管從而反向擊穿，此後，電流雖然在很大范圍內變化，但穩壓管兩端的電壓的變化卻相當小，利於這一特性，穩壓管訪問就在電路到起到穩壓的作用了。而且，穩壓管與其它普能二極體不同之反向擊穿是可逆性的，當去掉反向電壓穩壓管又恢復正常，但如果反向電流超過允許范圍，二極體將會發熱擊穿，所以，與其配合的電阻往往起到限流的作用。
參考資料：新浪

E. 穩壓二極體工作在什麼區為什麼能夠起到穩壓作用

穩壓二極體抄(英文名voltage stabilizing diode也叫雪崩二極襲管）此二極體是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導體器件.在這臨界擊穿點上,反向電阻降低到一個很小的數值,在這個低阻區中電流增加而電壓則保持恆定,穩壓二極體是根據擊穿電壓來分檔的,因為這種特性,穩壓管主要被作為穩壓器件或電壓基準元件使用.

F. 半導體二極體工作在擊穿區，是否一定被損壞為什麼

不一定，只要不發生熱擊穿，一般就不會損壞，二極體（PN結）的擊穿分為雪崩擊穿、隧道（齊納）擊穿、熱擊穿。例如隧道二極體的工作原理就是隧道擊穿，另外穩壓二極體也可在擊穿區反復工作

G. 半導體二極體的工作原理

半導體二極體又稱晶體二極體,簡稱二極體(diode)。它是一種能夠單向傳導電流的電子器件版。在半導體二極體內部有一權個PN結兩個引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的傳導性。
工作原理：
半導體二極體是一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成了空間電荷層，並且建有自建電場，當不存在外加電壓時，因為p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態。 當產生正向電壓偏置時，外界電場與自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流（也就是導電的原因）。 當產生反向電壓偏置時，外界電場與自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍中與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0（這也就是不導電的原因）。
當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極體的擊穿現象。

H. 穩壓二極體正常工作時應工作在什麼區

D反向擊穿區。

I. 半導體二極體的擴散區在哪

首先得先了解pn結的形成。在N型半導體和P型半導體的結合面上，因濃度差所以多子的擴回散運動；自由答電子與空穴復合，此時由雜質離子形成空間電荷區（p區是負電荷，n區是正電荷），便有n指向p的內電場，阻止多子擴散，最後，多子的擴散和少子的漂移達到動態平衡。在P型半導體和N型半導體的結合面處，留下離子薄層，這個離子薄層形成的空間電荷區（耗盡層）稱為PN結。當在pn結（二極體）兩端加正向電壓時，內電場減弱，多子擴散大於少子漂移，使得載流子越過耗盡層，進入對面，並與其相反電荷載流子復合，形成擴散區（p區、n區各有一個）。

J. 半導體二極體有哪幾個工作區其特點是什麼

半導體二極體有三個工作區分別是源極 閘極 渠極
源極是信號電源入口
閘極是開關
渠極是信號或電源出口