為什麼P型半導體不摻其他價

⑴ 關於P型半導體的問題

是你的假設問題，在同一個P型矽片中，3個空穴與5個空穴相比，空穴的濃度是不一樣的，所以導電性也不一樣。或者說，5個空穴允許電子流過的能力，要比3個空穴強一些。

⑵ p型半導體中摻入的三價元素是什麼

p型半導體中摻入的三價元素是硼、銦、鎵等。

要產生較多的空穴濃度就需版依賴摻雜或缺陷。在純凈的硅權晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半導體。

對於Ⅳ族元素，半導體(鍺、硅等)需進行Ⅲ族元素的摻雜;對於Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體(如砷化鎵)，常用摻雜Ⅱ族元素來提供所需的空穴濃度。

在純硅中摻入微量3價元素銦或鋁，由於銦或鋁原子周圍有3個價電子，與周圍4價硅原子組成共價結合時缺少一個電子，形成一個空穴。空穴相當於帶正電的粒子，在這類半導體的導電中起主要作用。

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在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。

由於P型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故P型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。

⑶ P型半導體摻入價元素,多子是

選D
P型半導體的復P是 Postive的意思，意思是載流子制的帶電性，空穴帶正電。
因為多子為空穴，所以需要摻雜，使得雜質獲得電子，與Si形成4電子穩定型。（雜質與Si共用電子）。從而多於的空穴作為載流子存在於半導體中。

⑷ 可以將2價元素摻入半導體從而形成p型半導體嗎

從理論上來說沒有不抄可以的，但是實際操作不見得可行，你可以從晶體成鍵的方面來考慮，而且就算理論成立，在單晶生長過程中可能會因為多空穴而產生晶格錯位形成層錯等，估計最後拉制出來的應該是高密度位錯的晶棒，可以說是多晶棒了吧~
這是我個人的觀點，僅供參考~！

⑸ P型半導體是摻雜三價元素而來，產生空穴屬於多子，電子屬於少子，這里的電子是從哪裡來的

電子是半導體的原子核中本身就存在的。少子指的是當半導體處於本徵激發狀態時的電子濃度。摻雜以後電子濃度比本徵時的電子濃度還小。

⑹ 本徵半導體摻入三價元素硼為什麼會形成P型半導體+3價為什麼還是負離子

你看圖，在圈裡的黑點都是電子，形成了固定的化學鍵，不能亂動，所以無法作為載流專子。
白點空穴，就屬是那個白點沒電子，所以白點沒有形成固定的化學鍵，可以移動，作為載流子形成電流。
空穴是載流子的時候就是p型半導體，positive，因為空穴是帶正電的。
+3價是最外層電荷數，和陰離子沒關系，因為中性的硼最外層3個電子，現在有4個，比原來多1個，所以是陰離子。
比如食鹽NaCl，Cl-也是陰離子，最外層電荷+7，現在形成食鹽後，最外層有8個電子，比原來多一個，所以是陰離子。

⑺ 在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素，可將其改型為P型半導體。為什麼不對

N型半導體中，多出未形成的共價鍵的電子為自由電子，此時磷原子已取代硅原子的位置，各有四個共價鍵，然後摻雜硼 ，但晶格中硅原子的位置已被磷取代，故不能再被硼取代。所以不對。

⑻ 本徵半導體為何只摻雜3價或者5價的元素而不用其它價

半導體材料一般是鍺或者硅，他們最外層電子是4，一次是四價元素，這些硅原回子或者鍺原子答之間形成共價鍵，而加入三價元素後，形成共價鍵時由於要形成四個共價鍵，而三價元素外只有三個電子，故形成一個空位，其他自由電子來補充，形成空穴，形成p型半導體，其中導電的是那些帶正電的空穴。
同理，加入五價元素後，由於只需要四個原子形成共價鍵，多出一個電子，形成N型半導體，因此N型半導體中導電的為電子。
而其他價的元素與四價元素結構相差很多，其它價元素性質活潑，不能與四價元素形成共價鍵。

⑼ 自由電子才能導電。那為什麼P型半導體，空穴都在價帶中也能導電呢

自由電子可以導電是因為自由電子可以在物體中自由移動。同樣，空穴也是可以移動的。所以在半導體中，空穴也可以導電 。
空穴又稱電洞（Electron hole），在固體物理學中指共價鍵上流失一個電子，最後在共價鍵上留下空位的現像。即共價鍵中的一些價電子由於熱運動獲得一些能量，從而擺脫共價鍵的約束成為自由電子，同時在共價鍵上留下空位，我們稱這些空位為空穴。
空穴-原理
一個呈電中性的原子，其正電質子和負電電子的數量是相等的。現在由於少了一個負電的電子，所以那裡就會呈現出一個正電性的空位——電洞。當有外面一個電子進來掉進了電洞，就會發出電磁波——光子。 電洞不是正電子，電子與正電子相遇湮滅時，所發出來的光子是非常高能的。那是兩粒子的質量所完全轉化出來的電磁波能（通常會轉出一對光子）。而電子掉入電洞所發出來的光子，其能量通常只有幾個電子伏特。 半導體由於禁帶較窄，電子只需不多的能量就能從價帶激發到導帶，從而在價帶中留下空穴。周圍電子可以填補這個空穴，同時在原位置產生一個新的空穴，因此實際上的電子運動看起來就如同是空穴在移動。 在半導體的制備中，要在4價的本徵半導體（純硅、鍺等的晶體）的基礎上摻雜。若摻入3價元素雜質（如硼、鎵、銦、鋁等），則可產生大量空穴，獲得P型半導體，又稱空穴型半導體。空穴是P型半導體中的載流子，為多子。 在半導體里，出現了電洞這樣一個名詞。 當參雜B進入Si內此時B會以B+e-=B-和Si形成穩定共價鍵，即每個B會接受一個電子(電子來自其他Si之間的共價鍵中的價電子) 使自己周圍價電子變成4個才能和周圍的4個Si形成穩定共價鍵故每加入1個B原子將產生一個電洞 空穴並不是真實存在的,只是對大量電子運動的一種等效,空穴的流動其實就是大量電子運動的等效的反運動,這從空穴的定義和特性就可以知道;

⑽ 本徵半導體摻入三價元素硼為什麼會形成P型半導體+3價為什麼還是負離子

你看圖，在圈裡的黑點都是電子，形成了固定的化學鍵，不能亂動，所以無法回作為載流子。
白點空穴，答就是那個白點沒電子，所以白點沒有形成固定的化學鍵，可以移動，作為載流子形成電流。
空穴是載流子的時候就是p型半導體，positive，因為空穴是帶正電的。
+3價是最外層電荷數，和陰離子沒關系，因為中性的硼最外層3個電子，現在有4個，比原來多1個，所以是陰離子。
比如食鹽NaCl，Cl-也是陰離子，最外層電荷+7，現在形成食鹽後，最外層有8個電子，比原來多一個，所以是陰離子。