某半導體的介電常數是多少

1. 鐵（或者鋼）的電導率、磁導率、介電常數各是多少急！！！急！！！

電導率9.93×10的6次方(米歐姆)，就是米歐姆

鐵磁性材料的相對磁導率μr=μ/μ0如鑄鐵為200～400；硅鋼片為7000～10000；鎳鋅鐵氧體為10～1000；鎳鐵合金為2000；錳鋅鐵氧體為300～5000。

電介質經常是絕緣體。其例子包括瓷器(陶器)，雲母，玻璃度，塑料，和各種金屬氧化物。有些液體和氣體可以作為好的電介質材料。干空氣是良好的電介質，並被用在可變電容器以及某些類型的傳輸線。蒸餾水如果保持沒有雜質的話是好的電介質，其相對介電常數約為80。

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一、電導率與溫度具有很大相關性。金屬的電導率隨著溫度的升高而減小。半導體的電導率隨著溫度的升高而增加。在一段溫度值域內，電導率可以被近似為與溫度成正比。為了要比較物質在不同溫度狀況的電導率，必須設定一個共同的參考溫度。電導率與溫度的相關性，時常可以表達為，電導率對上溫度線圖的斜率。

二、磁導率的測量是間接測量，測出磁心上繞組線圈的電感量，再用公式計算出磁芯材料的磁導率。所以，磁導率的測試儀器就是電感測試儀。在此強調指出，有些簡易的電感測試儀器，測試頻率不能調，而且測試電壓也不能調。例如某些電橋，測試頻率為100Hz或1kHz，測試電壓為0.3V，給出的這個0.3V並不是電感線圈兩端的電壓，而是信號發生器產生的電壓。

三、相對介電常數εr可以用靜電場用如下方式測量：首先在兩塊極板之間為真空的時候測試電容器的電容C0。然後，用同樣的電容極板間距離但在極板間加入電介質後測得電容Cx。然後相對介電常數可以用下式計算εr=Cx/C0

在標准大氣壓下，不含二氧化碳的乾燥空氣的相對電容率εr=1.00053。因此，用這種電極構形在空氣中的電容Ca來代替C0來測量相對電容率εr時，也有足夠的准確度。（參考GB/T 1409-2006）

2. 電容c和介電常數ε的區別

一、釋義不同

1、電容同名電容器，（英文名稱：capacitor。）通常簡稱其容納電荷的本領為電容，用字母C表示。定義1：電容器，顧名思義，是『裝電的容器』，是一種容納電荷的器件。

2、介質在外加電場時會產生感應電荷而削弱電場，原外加電場（真空中）與最終介質中電場比值即為介電常數( permittivity）又稱誘電率，與頻率相關。

二、測量方法不同

1、電容計算通用公式C=Q/U平行板電容器專用公式：板間電場強度E=U/d ，電容器電容決定式 C=εS/4πkd；

2、介電常數εr可以用靜電場用如下方式測量：首先在兩塊極板之間為真空的時候測試電容器的電容C0。然後，用同樣的電容極板間距離但在極板間加入電介質後測得電容Cx。然後相對介電常數可以用下式計算

εr=Cx/C0

在標准大氣壓下，不含二氧化碳的乾燥空氣的相對電容率εr=1.00053。因此，用這種電極構形在空氣中的電容Ca來代替C0來測量相對電容率εr時，也有足夠的准確度。對於時變電磁場，物質的介電常數和頻率相關，通常稱為介電系數。

三、作用和應用不同

1、電容器的作用及應用

（1）耦合：用在耦合電路中的電容稱為耦合電容，在阻容耦合放大器和其他電容耦合電路中大量使用這種電容電路，起隔直流通交流作用。

（2）濾波：用在濾波電路中的電容器稱為濾波電容，在電源濾波和各種濾波器電路中使用這種電容電路，濾波電容將一定頻段內的信號從總信號中去除。

（3）退耦：用在退耦電路中的電容器稱為退耦電容，在多級放大器的直流電壓供給電路中使用這種電容電路，退耦電容消除每級放大器之間的有害低頻交連。

（4）高頻消振：用在高頻消振電路中的電容稱為高頻消振電容，在音頻負反饋放大器中，為了消振可能出現的高頻自激，採用這種電容電路，以消除放大器可能出現的高頻嘯叫。

（5）諧振：用在LC諧振電路中的電容器稱為諧振電容，LC並聯和串聯諧振電路中都需這種電容電路。

（6）旁路：用在旁路電路中的電容器稱為旁路電容，電路中如果需要從信號中去掉某一頻段的信號，可以使用旁路電容電路，根據所去掉信號頻率不同，有全頻域（所有交流信號）旁路電容電路和高頻旁路電容電路。

（7）中和：用在中和電路中的電容器稱為中和電容。在收音機高頻和中頻放大器，電視機高頻放大器中，採用這種中和電容電路，以消除自激。

（8）定時：用在定時電路中的電容器稱為定時電容。在需要通過電容充電、放電進行時間控制的電路中使用定時電容電路，電容起控制時間常數大小的作用。

（9）積分：用在積分電路中的電容器稱為積分電容。在電勢場掃描的同步分離電路中，採用這種積分電容電路，可以從場復合同步信號中取出場同步信號。

（10）微分：用在微分電路中的電容器稱為微分電容。在觸發器電路中為了得到尖頂觸發信號，採用這種微分電容電路，以從各類（主要是矩形脈沖）信號中得到尖頂脈沖觸發信號。

（11）補償：用在補償電路中的電容器稱為補償電容，在卡座的低音補償電路中，使用這種低頻補償電容電路，以提升放音信號中的低頻信號，此外，還有高頻補償電容電路。

（12）自舉：用在自舉電路中的電容器稱為自舉電容，常用的OTL功率放大器輸出級電路採用這種自舉電容電路，以通過正反饋的方式少量提升信號的正半周幅度。

（13）分頻：在分頻電路中的電容器稱為分頻電容，在音箱的揚聲器分頻電路中，使用分頻電容電路，以使高頻揚聲器工作在高頻段，中頻揚聲器工作在中頻段，低頻揚聲器工作在低頻段。

（14）負載電容：是指與石英晶體諧振器一起決定負載諧振頻率的有效外界電容。負載電容常用的標准值有16pF、20pF、30pF、50pF和100pF。負載電容可以根據具體情況作適當的調整，通過調整一般可以將諧振器的工作頻率調到標稱值.

2、介電常數材料的應用

近十年來，半導體工業界對低介電常數材料的研究日益增多，材料的種類也五花八門。然而這些低介電常數材料能夠在集成電路生產工藝中應用的速度卻遠沒有人們想像的那麼快。

其主要原因是許多低介電常數材料並不能滿足集成電路工藝應用的要求。圖2是不同時期半導體工業界預計低介電常數材料在集成電路工藝中應用的前景預測。

早在1997年，人們就認為在2003年，集成電路工藝中將使用的絕緣材料的介電常數（k值）將達到1.5。然而隨著時間的推移，這種樂觀的估計被不斷更新。到2003年，國際半導體技術規劃（ITRS 2003）給出低介電常數材料在集成電路未來幾年的應用，其介電常數范圍已經變成2.7~3.1。

在超大規模集成電路製造商中，TSMC、 Motorola、AMD以及NEC等許多公司為了開發90nm及其以下技術的研究，先後選用了應用材料公司（Applied Materials）的Black Diamond 作為低介電常數材料。

該材料採用PE-CVD技術，與現有集成電路生產工藝完全融合，並且引入BLOk薄膜作為低介電常數材料與金屬間的隔離層，很好的解決了上述提及的諸多問題，是已經用於集成電路商業化生產為數不多的低介電常數材料之一。

3. 金屬的介電常數是多少

介電常數
電容器極板間充滿
電介質
時,
電容增大的倍數叫做電介質的介電常回數,用ε表示
並且明確答其單位是F·m-1(定義1).
電容器極板間充滿某種電介質時,
電容增大到的倍數,叫做這種電介常數,
也用ε表示,沒有單位(定義2).
空氣的介電常數為1,金屬介電常數一般都很小
絕緣體
介電常數比較大

4. 靜電場中的導體和電解質，分別什麼時候用ε0，εr，ε

ε0為真空介電常數，電介質為真空時使用；ε為介質（可以為電介質，也可以為回金屬或帶隙較窄的半答導體，只不過對於金屬或窄帶隙半導體，ε為復數，有實部和虛部，虛部代表焦耳熱損耗）的絕對介電常數，其與ε0具有相同的量綱，且ε=εrε0；εr則為介質相對於真空的相對介電常數，它是無量綱量，εr=ε/ε0. 電容公式C=εS/d中的ε就是絕對介電常數。由此可見，真空的絕對介電常數為ε0，相對介電常數為1.

5. FR-4的電路板,厚1.0與0.8有什麼區別，另介電常數4.2與4.6的哪個做高頻好

電路板,厚1.0mm比0.8mm的堅固耐用。介電常數越低，絕緣程度越高，介電常數4.2的做高頻好。

近十年來，半導體工業界對低介電常數材料的研究日益增多，材料的種類也五花八門。然而這些低介電常數材料能夠在集成電路生產工藝中應用的速度卻遠沒有人們想像的那麼快。其主要 低介電常數薄膜機械性質量測結果
原因是許多低介電常數材料並不能滿足集成電路工藝應用的要求。圖2是不同時期半導體工業界預計低介電常數材料在集成電路工藝中應用的前景預測。 早在1997年，人們就認為在2003年，集成電路工藝中將使用的絕緣材料的介電常數（k值）將達到1.5。然而隨著時間的推移，這種樂觀的估計被不斷更新。到2003年，國際半導體技術規劃（ITRS 2003[7]）給出低介電常數材料在集成電路未來幾年的應用，其介電常數范圍已經變成2.7~3.1。 造成人們的預計與現實如此大差異的原因是，在集成電路工藝中，低介電常數材料必須滿足諸多條件,例如：足夠的機械強度（MECHANICAL strength）以支撐多層連線的架構、高楊氏系數（Young's molus）、高擊穿電壓（breakdown voltage>4MV/cm)、低漏電(leakage current<10-9 at 1MV/cm)、高熱穩定性（thermal stability >450oC)、良好的粘合強度(adhesion strength)、低吸水性（low moisture uptake）、低薄膜應力（low film stress）、高平坦化能力（planarization）、低熱漲系數（coefficient of thermal expansion）以及與化學機械拋光工藝的兼容性（compatibility with CMP process）等等。能夠滿足上述特性的完美的低介電常數材料並不容易獲得。例如，薄膜的介電常數與熱傳導系數往往就呈反比關系。因此，低介電常數材料本身的特性就直接影響到工藝集成的難易度。 目前在超大規模集成電路製造商中，TSMC、 Motorola、AMD以及NEC等許多公司為了開發90nm及其以下技術的研究，先後選用了應用材料公司（Applied Materials）的Black Diamond 作為低介電常數材料。該材料採用PE-CVD技術[8] ，與現有集成電路生產工藝完全融合，並且引入BLOk薄膜作為低介電常數材料與金屬間的隔離層，很好的解決了上述提及的諸多問題，是目前已經用於集成電路商業化生產為數不多的低介電常數材料之一。

6. 砷化鎵的電導率、相對介電常數、相對磁導率是多少

電導率σ=2Ω -1 CM -1，相對介電常數=介質的介電常數/真空介電常數，相對磁導率=介質磁導率/真空磁導率。

砷化鎵是一種化合物半導體材料，分子式GaAs。立方晶系閃鋅礦結構，即由As和Ga兩種原子各自組成面心立方晶格套構而成的復式晶格，其晶格常數是5.6419A。室溫下禁帶寬度1.428eV，是直接帶隙半導體，熔點1238℃，質量密度5.307g/cm3，電容率13.18。

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注意事項：

1、與眾多硅電路相同，砷化鎵晶元也是靜電敏感器件，應該接地操作。

2、砷化鎵不應有高溫工藝。因為晶元溫度不能超過320℃，所以焊接放置晶元和封蓋操作時應特別注意。

3、砷化鎵包含砷元素，是作為有毒材料對待的。報廢產品應該放置於合適的容器中（第十五節）。 第十四節包含對在封裝件內部的晶元底部接觸放置的指引。

7. 大哥，請問您知道，XLPE電纜半導電層的介電常數嗎

半導電層的介電常數，與電導率有一定關系，介電常數實際上是它裡面導電顆粒的電內容效應影容響。去看德國人寫的《Broadband measurement of the conctivity and the permittivity of semiconcting materials in high voltage xlpe cables》論文，100kHz下XLPE半導電層的介電常數為8000！你沒看錯

8. 半導體問題

有效質量指電子或者空穴運動中表現出來的靜止質量，反映在遷移率上。遷移內率大就意味著有效容質量小。
實際測試主要利用電子迴旋共振的方法測定有效質量。當然，如果你有具體的能帶結構，可以利用求能帶頂或底的二次微分的倒數來求得有效質量。
雜質主要有幾種，一種是摻雜雜質，包括施主和受主，如P，As(施主），B,Ga（受主）；第二種是復合中心雜質，例如金等，可以通過加入這些材料在禁帶內部形成雜質能級提高復合速度。
缺陷，主要包括點缺陷（原子空位），位錯和層錯。
雜質能級不一定都位於禁帶之中，利用類氫模型可以計算雜質能級的位置。
一般來說有：Ec-Ed=13.6eVxm*/(me2) 其中m*為電子有效質量，m為電子質量，e為半導體介電常數。

9. 半導體與絕緣體的介電常數與折射率的關系

但是，它的折射率為1.33，亦即水的光頻介電常數ε→∞約為1.77，比81與電場強度E不再有線性關系 ，這使電介質表現出種種非線性效應（見非線性