cv曲線怎麼分析半導體

❶ 微電子器件 比如MOS管的C-V曲線如何計算呢 為什麼測量時還要加上小信號交流電壓

電容的定義是電荷對電壓的微分，因此C-V曲線的計算正是從Q-V曲線求導計算出來的回。實答際上MOS結構的C-V曲線測量可以分三種情況討論，第一種就是只加直流電壓信號，且電壓的改變速率較小，反應在測量中就是步長較小；第二種就是在第一種所加的直流電壓信號上疊加小信號的交流電壓；第三種是在第二種情況下加快直流電壓信號的改變速率，也就是增大電壓改變的步長。這三種情況所得到的的C-V關系各不相同。第二種情況與第一種情況C-V曲線的偏離主要是因為MOS結構的反型電荷來源於熱產生，而熱產生需要一個特徵時間，如果我逐漸延長交流小信號的周期，使得第二種請況能夠變成第一種情況的C-V關系，那麼我就可以得到熱產生的特徵時間。詳細情況你可以參考施敏的《半導體器件物理》，另外還有一本專門講MOS結構的書《MOS Physics and Technology》

❷ 請懂的人講一下二極體PN結電容和C-V曲線怎麼測，有什麼具體的操作方法。謝謝。

P-N結電容包括勢壘電容和擴散電容兩部分：C=CT+CD

當結兩端的外加電時為負（即n區為正，區接負）時，由於P區、n區的少數載流子

很少，負電壓的變化並不引起p區、n區中電荷有多大的變化，所以擴散電容很小，相對勢

壘電容來講，擴算電容可以忽略。即：

C=CT+CD≈CT

所以，在外加負偏壓的條件下測得的P-n結電容認為是P-n結勢壘電容。

勢壘電容CT與勢壘區厚度δ的關系同平行板電容器一樣：

圖中「Ug」為標准高頻信號發生器；⊙為視頻毫伏表；C為可變電容；Cx為待測的P-n結。

測量前首先把可變電容器旋到最大值（此值用C』表示），然後調節訊號頻率，使LC迴路

諧振，即「視頻毫伏表」指示最大。當接上待測P-n結電容Cx時，由於Cx與可變電容C

並聯，因此使諧振迴路失去諧振狀態，減小可變電容C到某一值（此值用C』』表示）會師諧

振迴路重新諧振。顯然，C』-C』』=Cx，其中C』為C調到最大值時的電容值。

這里需要指出：

1、量時需要滿足小訊號條件，由於P-n結電容與外加電壓的關系不是線性的，所以要測量

某一偏壓V下的結電容就應該在這一偏壓下加一足夠的交流電壓。實驗中我們家的交流

電壓為幾mV到十幾mV。

2、扣除分布電容Cs

我們用上述方法測到的Cx實際上包括了兩部分，一部分是P-n結電容，另一部分是分

布電容Cs。在測得Cx後，必須扣除分布電容Cs才是真正的P-n結電容。為扣除Cs，取一

個與待測管同一類型的管殼，測量它的電容就是分布電容Cs，於是P-n結電容CT為：

CT=Cx-Cs

希望可以幫到你呵

❸ 怎樣分析鹼性環境下的 cv 曲線

【】標准曲線法的應用條件主要有：1、配製濃度、取樣量都應該在標准曲線的線性范圍內；2、盡量消除式樣干擾，使其兩者的組成基本一致；3、整個分析過程中，操作條件保持一致。

❹ 怎樣分析循環伏安曲線，帶圖講解下吧

有一些金屬或合金有儲氫的能力，不知道是不是跟這個有關。如果我回答的好請給我分謝謝DDDD 我最近在做CV,也有這樣的像直線的情況，我的原因是電解

❺ 如何分析CV曲線

選中曲線，在origin里有個analysis-mathmatics-integrate就是積分。計算比電容我用的就是這個公式是S/(2mvU)，m是質量，U是電壓窗，2是只計算放電或充電電容

❻ 這個電化學CV圖怎麼分析

好熟悉的圖案啊，當年一天掃幾千圈都有
好久沒見了，太久沒玩了，腦筋全銹了，說錯了請糾正哈
這個問題吧，有一些信息沒有：NaOH的濃度，參比電極是什麼
—為什麼這個CV圖不像以往那些有兩個峰的
——你說的是亞鐵氰化鉀的那個S型的兩個峰吧，很多電化學的CV圖都不長那個樣的，在高的電位下會有氧的溶出（當然這個點位得看pH值），不過這邊應該是銅先溶出
這邊是：高電位，發生氧化反應，銅被氧化，氫氧根會減少，
—掃了十圈，圖像越來越低，這代表了什麼？
——掃了十圈，電極表面發生變化，氧化銅增多，影響電極有效活性面積，電極表面的溶液組成也會發生變化，氫氧根離子被消耗，溶劑擴散速度有限（看你的掃描速率，快的話影響小）所以電流會降低
說錯了請糾正哈

❼ 初入電化學，求教這個CV曲線該如何解釋

這個是出現了一對氧化還原峰，而且極化現象嚴重，可以縮小電壓區間重新測試。
具體的解釋就要根據你做的東西去進行了。
還有一對峰不明顯沒有注意到，可以低掃速下測試看看是不是的確會出現兩對峰

❽ 怎麼分析OBOS曲線

OBOS曲線主要復分析如下：制
1.當OBOS曲線由下向上突破其長期壓力線時，預示著大盤可能由弱勢轉強勢，即將展開一輪中期上升行情
2.當OBOS曲線由上向下跌破其長期支撐線時，預示著大盤可能由強勢轉為弱勢，即將展開一輪中期下跌行情

❾ 完全不懂電化學的我，求助配合物的CV曲線的測試

你的工作抄站是啥牌子的，不同品襲牌的工作站操作上有些差別。

可採用三電極體系：綠色夾子和灰色夾子（感應電極）接工作電極WE；紅色夾子接(對電極/輔助電極)；白色夾子接參比電極RE。

兩電極體系的話沒有參比電極，兩電極體系：綠灰夾子連接工作電極，紅白夾子連接輔助電極。

三電極體系，工作電極連接你的材料，參比電極要靠近工作電極（最好用魯金毛細管），對電極/輔助電極一般用鉑片或石墨板。

首先選擇電壓窗口，從-1V到+1.5V，掃面速度可以從50mV/s開始，圈數先設置個10圈.CV圖形出來後，觀察特徵峰在哪裡，把出峰位置的電壓窗口記下。後面再掃CV可以把電壓窗口縮小，只包含你需要的氧化還原峰即可。

電壓窗口確定後，你可以調整掃描速度，比如40,30,20,10或5mV/s，峰越明顯越好，掃速慢的話，電流會變小，但是小掃速下峰會很明顯，不像高掃速下的大包一樣。

確定掃速和電壓窗口，就可以對比不同材料的CV啦。

CV曲線怎麼分析，根據實際情況再說。

❿ 怎樣分析二極體的伏安特性曲線

二極體的性能可用其伏安特性來描述。在二極體兩端加電壓U，然後測出流過二極體的電流I，電壓與電流之間的關系i=f(u)即是二極體的伏安特性曲線，如圖所示。
二極體伏安特性曲線如圖
二極體的伏安特性表達式可以表示為式
iD=IS*(e^uD/UT-1)
其中iD為流過二極體兩端的電流，uD為二極體兩端的加壓，UT在常溫下取26mv。IS為反向飽和電流。
1、正向特性
特性曲線1的右半部分稱為正向特性，由圖可見，當加二極體上的正向電壓較小時，正向電流小，幾乎等於零。只有當二極體兩端電壓超過某一數值Uon時，正向電流才明顯增大。將Uon稱為死區電壓。死區電壓與二極體的材料有關。一般硅二極體的死區電壓為0.5V左右，鍺二極體的死區電壓為0.1V左右。
當正向電壓超過死區電壓後，隨著電壓的升高，正向電流將迅速增大，電流與電壓的關系基本上是一條指數曲線。由正向特性曲線可見，流過二極體的電流有較大的變化，二極體兩端的電壓卻基本保持不變。通過在近似分析計算中，將這個電壓稱為開啟電壓。開啟電壓與二極體的材料有關。一般硅二極體的死區電壓為0.7V左右，鍺二極體的死區電壓為0.2V左右。
2、反向特性
特性曲線1的左半部分稱為反向特性，由圖可見，當二極體加反向電壓，反向電流很小，而且反向電流不再隨著反向電壓而增大，即達到了飽和，這個電流稱為反向飽和電流，用符號IS表示。
如果反向電壓繼續升高，當超過UBR以後，反向電流急劇增大，這種現象稱為擊穿，UBR稱為反向擊穿電壓。