為什麼碳不能做半導體

⑴ 碳 是半導體嗎

首先糾正一下，碳有很多同素異形體，也不是每種異形體都可以導電版，典型的石墨導權電是因為在石墨結構（SP2雜化，不規則六稜柱晶體結構堆積）中存在廣泛的離域電子（派電子），電子可以自由移動所以可以導電。但金剛石則不能導電，因為此時的碳雜化是嚴格的Sp3的，沒有自由移動的電子，且空間利用度較大，也就不能通過改良填充形成導電體因此不具有導電性。

⑵ 為什麼c不能做半導體

其實是可以的，目前最高頻的器件就是用石墨(C)做的。
在240nm工藝下可以達到專石墨器件可以跑屬到100G Hz。同樣工藝下的Si器件只能做到40G Hz.
但是，跑得快並不是IC的唯一考慮。從綜合性能看來，目前還是Si器件比較穩健。

lie2010說的不對。
石墨的載流子遷移率是很高的(比Si要高1倍多)，所以才能做出非常高頻的器件。只是石墨器件比較難做。
器件中，Si，Ge的空穴和自由電子主要不是本徵電離得到的， 而是摻雜電力得來的。

詳細資料可以看 2010-2-5 Science
100-GHz Transistors from Wafer-Scale Epitaxial Graphene

⑶ 為啥碳元素不能做半導體材料呀

單質碳的躍遷能級太大。
硅的比較合適，但是在半導體里也是比較大的。
躍遷能級較大的為絕緣體，較小的為半導體，為零的為導體。
比較詳細的可以閱讀一下固體物理學的書。

⑷ 為什麼半導體一般用硅做材料而不是碳

碳的石墨和無定形形式是良導體、金剛石形式是絕緣體，均不是半導體

⑸ 為啥碳元素不能做半導體材料呀

A、在該反應中，碳與氧結合生成了一氧化碳，發生了氧化反應．故A說法錯誤；
B、由於碳、內硅原子的最外層容的電子數相同，所以，硅的化學性質與碳相似．故B說法正確；
C、在SiO2中，氧的化合價為-2價，則硅的化合價為+4價．故C說法正確；
D、在上述反應中，一種單質與一種化合物反應，生成了另一種單質和另一種化合物，屬於置換反應．故D說法正確．故選A．

⑹ 為什麼二氧化硅不能做半導體

二氧化硅復電阻率決定了它不能作制為半導體
電阻率介於金屬和絕緣體之間並有負的電阻溫度系數的物質叫做半導體
鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等

化合物能做半導體

⑺ 碳為什麼不可以作為雜質摻入半導體

對於半導體而言的雜質是指相對於純半導體（硅等）而言的改變半導體導電特性的一種物質。通常有硼、磷等。而碳並不能起到這個改變半導體導電特性的作用。

⑻ 為什麼加入碳材料可以改變半導體的能帶

分析半導體能帶理論,必須從能級,能帶,禁帶,價帶,導帶開始.因此分析如下：
能級（Enegy Level）：在孤立原子中,原子核外的電子按照一定的殼層排列,每一殼層容納一定數量的電子.每個殼層上的電子具有分立的能量值,也就是電子按能級分布.為簡明起見,在表示能量高低的圖上,用一條條高低不同的水平線表示電子的能級,此圖稱為電子能級圖.能帶（Enegy Band）：晶體中大量的原子集合在一起,而且原子之間距離很近,以硅為例,每立方厘米的體積內有5×1022個原子,原子之間的最短距離為0.235nm.致使離原子核較遠的殼層發生交疊,殼層交疊使電子不再局限於某個原子上

⑼ 碳60幾乎不導電,為什麼卻廣泛應用於半導體方面

據報道，對C60分子進行摻雜，使C60分子在其籠內或籠外俘獲其它原子或集團，形成類C60的衍生物。如，把K、Cs、Tl等金屬原子摻進C60分子的籠內，就能使其具有超導性能。