為什麼雜質半導體中少數

『壹』 在雜質半導體中多子與少子濃度不同為什麼半導體呈中性

雜質半導體中除了可以自由移動的載流子(多子\少子)之外, 還有不能自由移動的電荷內(電離的施主\受主), 總的容正電荷(空穴+電離施主所帶的正電荷)和總的負電荷(自由電子+電離受主所帶的負電荷)相等，因而呈電中性。

『貳』 為什麼雜質半導體中少數載流子的濃度比本徵半導體中少數載流子的濃度小

因為半導體中的少數載流子濃度×多數載流子濃度＝本徵載流子濃度的平方。
而多數載流子濃度大於本徵載流子濃度，所以少數載流子的濃度比本徵載流子濃度要小

『叄』 為什麼，在室溫附近，溫度升高，雜質半導體中少數載流子濃度升高

^我以N型半導體給你舉一個例子：單位體積的硅原子數為10^22cm^-3,若雜質含量為內10^-4（萬分之一），則容雜質原子濃度為10^18cm^-3。在常溫下，雜質能級上的電子即使只有十分之一被激發到導帶中，其濃度也為10^17cm^-3。而常溫下硅的本徵載流子濃度只有10^10cm^-3的量級。可見N型半導體中多數載流子是電子，而少數載流子是本徵載流子（電子空穴對）。可見，在室溫附近，許多元素半導體本徵載流子為數極少，所以本徵半導體電阻仍很高。而在同一溫度下，摻雜半導體的導電能力為本徵半導體的數百倍及其以上。

『肆』 半導體中的少數截流子產生的原因是

第48題 多數載流子的濃度主要取決於摻入的雜質濃度,少數載流子的濃度與溫度密切相關
第49題 這個我認為應該選摻雜
第50題 該管工作在放大區

『伍』 為什麼，在室溫附近，溫度升高，雜質半導體中少數載流子濃度升高。求高手。謝謝了

從0T開始，隨著溫度升高，所摻雜質的電離逐漸增強，載流子濃度增加。但當溫度足夠高，雜質幾乎全部電離之後，起主要作用的就不再是這個，而是本徵激發。

『陸』 雜質半導體中,多數載流子和少數載流子的濃度由什麼決定和溫度有什麼關系

多數載流子是少數載流子的雜質濃度是一個共同決定的本徵載流子濃度和雜質濃度

『柒』 雜質半導體中的多數載流子和少數載流子是如何產生的

本徵半導體中抄的載流子襲都是由本徵激發所產生的，一般數量不多（隨溫度而指數函數式增大）。
但是，摻入施主雜質或者受主雜質以後，則雜質可提供大量的電子或者空穴，這就是多數載流子；這時，還是存在少數載流子，那就是本徵激發出來的一些載流子。

『捌』 雜質半導體中的少數載流子濃度取決於什麼 求答案

在雜質半導體中，多數載流子的濃度主要取決於摻入的雜質濃度，而少數載流子的濃度主要取決於溫度。

『玖』 摻雜雜質半導體中影響多數和少數載流子數量的最主要原因是什麼急！！！！

主要原因是雜質在禁帶里占的位置和雜質濃度。

『拾』 為什麼在純凈的半導體中滲入微量的雜質

半導體中摻入微量抄雜質時,雜質原子附近的周期勢場受到干擾並形成附加的束縛狀態,在禁帶中產加的雜質能級.
雜質能級位於禁帶上方靠近導帶底附近.雜質能級上的電子很易激發到導帶成為電子載流子.這種能提供電子載流子的雜質稱為施主,相應能級稱為施主能級.施主能級上的電子躍遷到導帶所需能量比從價帶激發到導帶所需能量小得多.在鍺或硅晶體中摻入微量三價元素硼、鋁、鎵等雜質原子時,雜質原子與周圍四個鍺（或硅）原子形成共價結合時尚缺少一個電子,因而存在一個空位,與此空位相應的能量狀態就是雜質能級,通常位於禁帶下方靠近價帶處.價帶中的電子很易激發到雜質能級上填補這個空位,使雜質原子成為負離子.