p型半導體容易吸附什麼氣體

『壹』 p型半導體中的雜質原子為什麼會成為不可移動的負離子而不是正離子

如果是單一雜質,那麼它能使半導體變成P型,就證明它是受主,受主就多電子.
比如版B在Si中,Si4個電子,B3個電子,但是摻雜權後,B多了一個電子.
如果是多種雜質,就有了雜質補償效應,看是受主多還是施主多,然後判斷相應的型

『貳』 p型半導體是在本徵半導體中滲透了什麼物質形成的

答案：p型半導體是在本徵半導體中滲透了（三價元素（如硼））物質形成的
P型半導體回，也稱為答空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。是在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。

『叄』 P型半導體中是不是雜質獲取電子的能力強

理解的復有一定的深度，空穴是制不同原子間形成共價鍵。共價鍵使不同原子公用電子，達到最外層八個電子的穩定結構，如果還有原子剩餘電子，則該電子自由。於是材料靠電子導電，即為N型。否則電子不足，照樣共價後，便在共價的位置產生反電子，即為空穴。空穴不自由，但可以傳遞，從而材料導電類型變成P型。

『肆』 問一道化學題

你問的應該的是氣敏元件方面的問題吧。有些氣敏元件的電阻會受到一定濃度氣體的影專響，屬就像熱敏電阻，光敏電阻一樣，是一種特有的性質。我現在也在研究甲烷氣敏元件感測器，我舉個例子：半導體氣敏元件有N型和P型之分。N型在檢測時阻值隨氣體濃度的增大而減小；P型阻值隨氣體濃度的增大而增大。象SnO2金屬氧化物半導體氣敏材料，屬於N型半導體，在200～300℃溫度它吸附空氣中的氧，形成氧的負離子吸附，使半導體中的電子密度減少，從而使其電阻值增加。當遇到有能供給電子的可燃氣體（如CO等）時，原來吸附的氧脫附，而由可燃氣體以正離子狀態吸附在金屬氧化物半導體表面；氧脫附放出電子，可燃行氣體以正離子狀態吸附也要放出電子，從而使氧化物半導體導帶電子密度增加，電阻值下降。可燃性氣體不存在了，金屬氧化物半導體又會自動恢復氧的負離子吸附，使電阻值升高到初始狀態。這就是半導體氣敏元件檢測可燃氣體的基本原理。

『伍』 什麼是N、P型半導體兩種半導體製作在一起會產生什麼現象

半導體抄摻入雜質，產生出電子為多數載流子的，叫N型半導體；如果產生出空穴為多數載流子的，就叫P型半導體。
N、P型半導體通過工藝結合到一起時，由於載流子濃度差相互擴散，在兩塊半導體的結合部便形成由離子相互作用形成的一個內建電場

『陸』 在P型半導體中一般摻哪種類型的雜質主要是什麼元素

也稱為空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。回
在答純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。

『柒』 什麼是P型半導體和N型半導體都有哪些性質呢

P型半導體
多數載流子為空穴的半導體。
型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。由於P型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故P型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。
N型半導體
多數載流子為電子的半導體
也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。
在純凈的硅晶體中摻入Ⅴ族元素（如磷、砷、銻等），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。這類雜質提供了帶負電（Negative）的電子載流子，稱他們為施主雜質或n型雜質。在N型半導體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導電，由於N型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故N型半導體呈電中性。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

『捌』 P型半導體發生強反應的條件

P型半導體的多子是空穴，要發生強反型，也就是多子變成電子，當然要使電子聚集在表面；要達到這個目的，就要在半導體的柵極加上正電壓以吸引電子到表面聚集。這樣就達到強反型了。
你也可以想，NMOS就是坐在P型襯底上的，導通時就發生了強反型，而NMOS導通條件就是柵極施加高電平（當然要大於閾值電壓）。
如有疑問，可繼續交流探討~

『玖』 p型半導體的問題

p型半導體多子時空來穴，正確，是受自主。
p型聚合物，是有機半導體的東西嗎？
如果是有機半導體，則不能說是施主，應該說是施體，有機半導體的概念與無機是不同的，有機中載流子的濃度很低，遷移率也很低，對於p型，就是說分子容易給出，或者丟掉一個電子，成為自由基陽離子，帶正電，沿用了半導體空穴的概念，電荷傳輸時，是臨近位電子過來把她復合掉，兒過來的電子的位置，也就是那個分子丟掉了電子，成為自由基陽離子，這樣相當於正離子的傳輸，也就是所謂空穴的傳輸。