本徵半導體的載流子濃度由什麼決定
Ⅰ 半導體的摻雜濃度和載流子濃度有什麼關系
溫度.導體在任何溫度下,都將遵從
熱平衡條件:np=ni2.因此多數載流子與少
數載流子是相互制約著專的.多數載流子主要屬
來自於摻雜,而少數載流子都來自於本徵激
發(屬於本徵載流子).當通過摻雜、增大
多數載流子濃度時,則多數載流子與少數載
流子相互復合的機會增加,將使得少數載流
子濃度減小;當升高溫度,少數載流子濃度
將指數式增大,並且它與多數載流子相互復
合的機會也增加,仍然維持著熱平衡關系.
在溫度不是很高時,增加的本徵載流子濃度
將遠小於摻雜所提供的多數載流子濃度,因
此對於多數載流子而言,可以認為其濃度基
本上就等於摻雜濃度,與溫度的關系不大.
當然,在溫度高到使得本徵載流子濃度增大
到等於或大於多數載流子濃度時,就變成以
本徵載流子導電為主的半導體了,即為本徵
半導體,這時摻雜的貢獻即可忽略了.
Ⅱ 分析本徵半導體電阻率與載流子濃度遷移率和溫度有什麼關系
決定 電阻率溫度關系的主要因素是載流子濃度和遷移率隨溫度的變化版關系。
在低溫下:權由於 載流子濃度指數式增大(施主或 受主雜質不斷電離),而遷移率也是增大的(電離雜質散射作用減弱之故),所以這時 電阻率隨著溫度的升高而下降。
在 室溫下:由於施主或 受主雜質已經完全電離,則 載流子濃度不變,但遷移率將隨著溫度的升高而降低( 晶格振動加劇,導致 聲子散射增強所致),所以 電阻率將隨著溫度的升高而增大。
在 高溫下:這時 本徵激發開始起作用,載流子濃度將指數式地很快增大,雖然這時遷移率仍然隨著溫度的升高而降低( 晶格振動散射散射越來越強),但是這種遷移率降低的作用不如載流子濃度增大的強,所以總的效果是 電阻率隨著溫度的升高而下降。
Ⅲ 雜質半導體中的少數載流子濃度取決於什麼 求答案
在雜質半導體中,多數載流子的濃度主要取決於摻入的雜質濃度,而少數載流子的濃度主要取決於溫度。
Ⅳ 摻雜半導體中少數載流子的濃度與什麼有很大關系
溫度。 導體在任復何制溫度下,都將遵從 熱平衡條件:np=ni2。因此多數載流子與少 數載流子是相互制約著的。多數載流子主要 來自於摻雜,而少數載流子都來自於本徵激 發(屬於本徵載流子)。當通過摻雜、增大 多數載流子濃度時,則多數載流子與少數載 流子相互復合的機會增加,將使得少數載流 子濃度減小;當升高溫度,少數載流子濃度 將指數式增大,並且它與多數載流子相互復 合的機會也增加,仍然維持著熱平衡關系。 在溫度不是很高時,增加的本徵載流子濃度 將遠小於摻雜所提供的多數載流子濃度,因 此對於多數載流子而言,可以認為其濃度基 本上就等於摻雜濃度,與溫度的關系不大。 當然,在溫度高到使得本徵載流子濃度增大 到等於或大於多數載流子濃度時,就變成以 本徵載流子導電為主的半導體了,即為本徵 半導體,這時摻雜的貢獻即可忽略了。
Ⅳ 摻雜半導體材料的型號和載流子濃度由什麼決定
n型摻雜是摻雜之後載流子主要是電子,p型主要是空穴。載流子濃度與摻雜的雜質濃度,半導體的結構,摻雜的物質,溫度,與半導體裡面的晶體缺陷也有關系。
Ⅵ 半導體中載流子濃度由什麼決定
半導體中通過電流的復大小是由半制導體的電導率和加在半導體兩端的電壓來決定.
而半導體的電導率由半導體中的載流子濃度和載流子的遷移率來決定(遷移率有點類似速度,不過單位是m^2/V.s);
半導體中的載流子一般包括自由電子和空穴兩種.
所以,半導體中通過電流的大小不是僅僅由載流子的數目來決定,也不是僅僅由載流子的速度來決定.
Ⅶ 為什麼載流子濃度是決定半導體導電性能的首要因素
答:純凈的半導體材料在絕對零度(一273℃)時,其內部沒有載流子可供導專電,此時的半導體屬與絕緣體非常相似。但是,隨著外加條件的改變(如環境溫度、光照增強、摻雜等),半導體中就會出現載流子,從而具有一定的導電能力。其導電特性如下:
(1)熱敏特性:隨著環境溫度的升高,半導體的電阻率下降,導電能力增強.
(2)光敏特性:有些半導體材料(硫化銅)受到光照時,電阻率明顯下降,導電能力變得很強;無光照時,又變得像絕緣體一樣不導電,利用這一特性可製成各種光敏器件.
(3)摻雜特性:在純凈的半導體中摻入某種合適的微量雜質元素,就能增加半導體中載流子的濃度,從而可以增強半導體的導電能力。
(4)其他敏感特性:有些半導體材料具有壓敏、磁敏、濕敏、嗅敏、氣敏等特性,還有些半導體材料,它們的上述某些特性還能逆轉。
Ⅷ 本徵半導體的載流子濃度取決於
雜質電離,PNP,NPN,電子,空穴
Ⅸ 溫度一定時,半導體中的本徵載流子濃度是一定的嗎
是一定,因為本徵激發與溫度和禁帶寬度有指數函數關系,對於一定的半導體材料,在溫度一定時,本徵載流子濃度就將一定.
Ⅹ 雜質半導體中,多數載流子和少數載流子的濃度由什麼決定和溫度有什麼關系
多數載流子是少數載流子的雜質濃度是一個共同決定的本徵載流子濃度和雜質濃度