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三代半導體後市怎麼

發布時間: 2021-03-07 14:34:45

1. 國內第三代化合物半導體發展如何

這樣的高科技項目,國家很重視,公司人士應該講愛國報國情懷,把這些項目產業化,為國家服務,而不是圈錢套取國家資金為目的。如果能產業化,未來就有前途,否則,就會曇花一現。

2. 在第三代氮化鎵晶元時代,中國可能會來者居上嗎

最近隨著5G的普及,第三代半導體的應用也越來越被行業和大眾所關注,在5G晶元上也被大量應用,那究竟什麼是第三代半導體氮化鎵呢?它有什麼過人之處?在新一代半導體的應用研發上我們能否做到後來居上,打破關鍵技術被外國「卡脖子」的命運呢?

什麼是第三代半導體氮化鎵?

說到第三代半導體,我們就應該回顧一下半導體的發展歷史。第一代半導體最早是鍺,後來應用最廣泛的是硅,它們的特點是原料易得,所以被大規模使用,包括我們現在許多晶元都是近乎純凈的硅制備成硅單晶後在經過各種加工做成的。

而現在全世界最強大的5G領域國家是以中國,美國和歐洲為核心的,在這次全世界的5G標準的立項並且通過的企業也是中國佔了大頭,一共就有21項,其中包括中國移動10項,華為8項,中興2項,聯通1項,而以前一直處於霸主地位的美國只有9項。這些也足以可以說明5G標準的主導者當然是中國了。同時中國在5G上應用第三代半導體的技術也位居世界前列。

5G它是個龐大的體系,他的強大得由多方力量支撐,在這個體系中,我們中國除了晶元方面要稍微弱勢一點,其他都是排在世界前列,而第三代氮化鎵晶元時代也打破了以前一無所有的境遇。中國5G的發展,絕不僅僅是通信技術本身的開闊,更是對社會發展的影響,也會在很大程度上改變中國的實力。讓我們的國家在國際上有著更大的話語權。

3. 第三代半導體是中國「芯」崛起的希望嗎

全球半導體業己處於成熟階段,如增長緩慢,兼並加劇,以及」大者恆大」。除了三星,回台積電,英特爾,東答芝,海力士等少數超級大廠仍繼續投資之外,更多的IDM晶元製造廠是執行「輕晶園廠策略」,」Fablite」,它們的作法是紛紛售出晶元生產線

4. 第一代、第二代、第三代半導體材料分別是

1.第一代半導體材料主要是指硅(Si)、鍺元素(Ge)半導體材料。作為第一代半導體材料的鍺和硅,在國際信息產業技術中的各類分立器件和應用極為普遍的集成電路、電子信息網路工程、電腦、手機、電視、航空航天、各類軍事工程和迅速發展的新能源、硅光伏產業中都得到了極為廣泛的應用,硅晶元在人類社會的每一個角落無不閃爍著它的光輝。

2.第二代半導體材料主要是指化合物半導體材料,如砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb);三元化合物半導體,如GaAsAl、GaAsP;還有一些固溶體半導體,如Ge-Si、GaAs-GaP;玻璃半導體(又稱非晶態半導體),如非晶硅、玻璃態氧化物半導體;有機半導體,如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。

3.第三代半導體材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶半導體材料。在應用方面,根據第三代半導體的發展情況,其主要應用為半導體照明、電力電子器件、激光器和探測器、以及其他4個領域,每個領域產業成熟度各不相同。在前沿研究領域,寬禁帶半導體還處於實驗室研發階段。

(4)三代半導體後市怎麼擴展閱讀

Si和化合物半導體是兩種互補的材料,化合物的某些性能優點彌補了Si晶體的缺點,而Si晶體的生產工藝又明顯的有不可取代的優勢,且兩者在應用領域都有一定的局限性,因此在半導體的應用上常常採用兼容手段將這二者兼容,取各自的優點,從而生產出符合更高要求的產品,如高可靠、高速度的國防軍事產品。因此第一、二代是一種長期共同的狀態。

但是第三代寬禁帶半導體材料,可以被廣泛應用在各個領域,消費電子、照明、新能源汽車、導彈、衛星等,且具備眾多的優良性能可突破第一、二代半導體材料的發展瓶頸,故被市場看好的同時,隨著技術的發展有望全面取代第一、二代半導體材料。

參考資料網路——半導體材料

5. 中國優先布局第三代半導體,其暫不能用做晶元,如此投入是為何呢

國務院發布的《“十三五”國家科技創新規劃》中,第三代半導體被列為國家面向2030年重大項目之一。廈門市也把第三代半導體產業列入著力培育的具有發展潛力的十大未來產業。近年來在中央和各地政府出台政策的大力支持下,以及伴隨新能源、智能製造、人工智慧、5G通信等現代產業興起所帶來的龐大市場需求的推動下,一大批行業龍頭企業近年來紛紛展開大規模投資,以期贏得發展先機。目前國內廠商在第三代半導體有全產業鏈的布局,產業已呈現快速發展勢頭。



產業的發展有其自然規律,我們可以通過政策、資金等推動加快發展,而不應是光想著跳過、繞過或其他取巧的方式。要改變我們在半導體晶元方面的被動局面,光靠第三代半導體是不夠的,更不是一朝一夕就能實現的,需要上游的材料和設備,中游的晶元設計、製造和封測,下游的應用等全產業鏈較長時期的共同努力,補上我們在半導體基礎技術、工藝、設備等方面的短板,夯實基礎,才有可能實現在第三代半導體突破性發展。
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