半導體p區是什麼極性

① 什麼是極性半導體，半極性半導體和無極性半導體

Si Ge 非極性
其它非金屬化合物 極性
只有電偶極的 單極性
存在電四極及其以上正負電荷對 多極性

② PN結怎麼理解

採用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體製作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區稱為PN結。PN結具有單向導電性，是電子技術中許多器件所利用的特性，例如半導體二極體、雙極性晶體管的物質基礎。

在一塊完整的矽片上，用不同的摻雜工藝使其一邊形成N型半導體，另一邊形成P型半導體，此時兩邊電荷分布相當不均勻，擴散運動使P區空穴往N區運動，N區電子往P區運動，在P區和N區的交界處附近被相互中和掉.

使P區一側因失去空穴而留下不能移動的負離子，N區一側因失去電子而留下不能移動的正離子。這樣在兩種半導體交界處逐漸形成由正、負離子組成的空間電荷區（耗盡層）。由於P區一側帶負電，N區一側帶正電，所以出現了方向由N區指向P區的內電場。

(2)半導體p區是什麼極性擴展閱讀：

在空間電荷區形成後，由於正負電荷之間的相互作用，在空間電荷區形成了內電場，其方向是從帶正電的N區指向帶負電的P區。顯然，這個電場的方向與載流子擴散運動的方向相反，阻止擴散。

另一方面，這個電場將使N區的少數載流子空穴向P區漂移，使P區的少數載流子電子向N區漂移，漂移運動的方向正好與擴散運動的方向相反。

從N區漂移到P區的空穴補充了原來交界面上P區所失去的空穴，從P區漂移到N區的電子補充了原來交界面上N區所失去的電子，這就使空間電荷減少，內電場減弱。因此，漂移運動的結果是使空間電荷區變窄，擴散運動加強。

最後，多子的擴散和少子的漂移達到動態平衡。在P型半導體和N型半導體的結合面兩側，留下離子薄層，這個離子薄層形成的空間電荷區稱為PN結。PN結的內電場方向由N區指向P區。在空間電荷區，由於缺少多子，所以也稱耗盡層。

③ ①pn結的形成過程特點 ②二極體極性及好壞判斷 1.在第一問中，P區呈現

萬用表檢測普通二極體的極性與好壞。
檢測原理：根據二極體的單向導電性這一特點性能良好的二極體，其正向電阻小，反向電阻大；這兩個數值相差越大越好。若相差不多說明二極體的性能不好或已經損壞。
測量時，選用萬用表的「歐姆」擋。一般用R x或R xlk擋，而不用Rx1或R x10k擋。因為Rxl擋的電流太大，容易燒壞二極體，R xlok擋的內電源電壓太大，易擊穿二極體.
測量方法：將兩表棒分別接在二極體的兩個電極上，讀出測量的阻值；然後將表棒對換再測量一次，記下第二次阻值。若兩次阻值相差很大，說明該二極體性能良好；並根據測量電阻小的那次的表棒接法(稱之為正向連接)，判斷出與黑表棒連接的是二極體的正極，與紅表棒連接的是二極體的負極。因為萬用表的內電源的正極與萬用表的「—」插孔連通，內電源的負極與萬用表的「＋」插孔連通。
如果兩次測量的阻值都很小，說明二極體已經擊穿；如果兩次測量的阻值都很大，說明二極體內部已經斷路：兩次測量的阻值相差不大，說明二極體性能欠佳。在這些情況下，二極體就不能使用了。
必須指出：由於二極體的伏安特性是非線性的，用萬用表的不同電阻擋測量二極體的電阻時，會得出不同的電阻值；實際使用時，流過二極體的電流會較大，因而二極體呈現的電阻值會更小些。
二.特殊類型二極體的檢測。
①穩壓二極體。穩壓二極體是一種工作在反向擊穿區、具有穩定電壓作用的二極體。其極性與性能好壞的測量與普通二極體的測量方法相似，不同之處在於：當使用萬用表的Rxlk擋測量二極體時，測得其反向電阻是很大的，此時，將萬用表轉換到Rx10k檔，如果出現萬用表指針向右偏轉較大角度，即反向電阻值減小很多的情況，則該二極體為穩壓二極體；如果反向電阻基本不變，說明該二極體是普通二極體，而不是穩壓二極體。 穩壓二極體的測量原理是：萬用表Rxlk擋的內電池電壓較小，通常不會使普通二極體和穩壓二極體擊穿，所以測出的反向電阻都很大。當萬用表轉換到Rx10k擋時，萬用表內電池電壓變得很大，使穩壓二極體出現反向擊穿現象，所以其反向電阻下降很多，由於普通二極體的反向擊穿電壓比穩壓二極體高得多，因而普通二極體不擊穿，其反向電阻仍然很大。
②發光二極體LED(Light EMitting Diode)。發光二極體是一種將電能轉換成光能的特殊二極體，是一種新型的冷光源，常用於電子設備的電平指示、模擬顯示等場合。它常採用砷化嫁、磷化嫁等化合物半導體製成。發光二極體的發光顏色主要取決於所用半導體的材料，可以發出紅、橙、黃、綠等四種可見光。發光二極體的外殼是透明的，外殼的顏色表示了它的發光顏色。 發光二極體工作在正向區域，其正向導通(開啟)工作電壓高於普通二極體。外加正向電壓越大，LED發光越亮，但使用中應注意，外加正向電壓不能使發光二極體超過其最大工作電流，以免燒壞管子。 對發光二極體的檢測方法主要採用萬用表的Rx10k擋，其測量方法及對其性能的好壞判斷與普通二極體相同。但發光二極體的正向、反向電阻均比普通二極體大得多。在測量發光二極體的正向電阻時，可以看到該二極體有微微的發光現象。
③光電二極體。光電二極體又稱為光敏二極體，它是一種將光能轉換為電能的特殊二極體，其管殼上有一個嵌著玻璃的窗口，以便於接受光線。光電二極體工作在反向工作區。無光照時，光電二極體與普通二極體一樣，反向電流很小(一般小於o．1uA)，光電管的反向電阻很大(幾十兆歐以上)；有光照時，反向電流明顯增加，反向電阻明顯下降(幾千歐到幾十千歐)，即反向電流(稱為光電流)與光照成正比。 光電二極體可用於光的測量，可當做一種能源(光電池)。它作為感測器件廣泛應用於光電控制系統中。 光電二極體的檢測方法與普通二極體基本相同。不同之處是：有光照和無光照兩種情況下，反向電阻相差很大：若測量結果相差不大，說明該光電二極體已損壞或該二極體不是發光二極體。
這個估計需要詳細的說明才弄的了去硬之城看看吧或許有人會。

④ 二極體的P型N型，什麼意思

一樓的不懂不要瞎說。不要誤導別人。

所謂的PNP或NPN是指三極體而不是二極體。

二極體的功能就是具備單向導電性，單向導電是由一個PN結來完成的
三極體是靠兩個PN結完成的

建議樓主讀一下高中的物理，上面的介紹非常詳細。
我下面給你貼出一些資料
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半導體是一種具有特殊性質的物質，它不像導體一樣能夠完全導電，又不像絕緣體那樣不能導電，它介於兩者之間，所以稱為半導體。半導體最重要的兩種元素是硅（讀「gui」）和鍺（讀「zhe」）。我們常聽說的美國矽谷，就是因為起先那裡有好多家半導體廠商。
二極體應該算是半導體器件家族中的元老了。很久以前，人們熱衷於裝配一種礦石收音機來收聽無線電廣播，這種礦石後來就被做成了晶體二極體。
二極體最明顯的性質就是它的單向導電特性，就是說電流只能從一邊過去，卻不能從另一邊過來（從正極流向負極）。我們用萬用表來對常見的1N4001型硅整流二極體進行測量，紅表筆接二極體的負極，黑表筆接二極體的正極時，表針會動，說明它能夠導電；然後將黑表筆接二極體負極，紅表筆接二極體正極，這時萬用表的表針根本不動或者只偏轉一點點，說明導電不良。（萬用表裡面，黑表筆接的是內部電池的正極）

常見的幾種二極體如圖所示。其中有玻璃封裝的、塑料封裝的和金屬封裝的等幾種。圖2是二極體的電路符號，像它的名字，二極體有兩個電極，並且分為正負極，一般把極性標示在二極體的外殼上。大多數用一個不同顏色的環來表示負極，有的直接標上「-」號。大功率二極體多採用金屬封裝，並且有個螺帽以便固定在散熱器上。
利用二極體單向導電的特性，常用二極體作整流器，把交流電變為直流電，即只讓交流電的正半周（或負半周）通過，再用電容器濾波形成平滑的直流。事實上好多電器的電源部分都是這樣的。二極體也用來做檢波器，把高頻信號中的有用信號「檢出來」，老式收音機中會有一個「檢波二極體」，一般用2AP9型鍺管。
二極體的類型也有好幾種，對於電子製作來說，常常用到以下的二極體： 用於穩壓的穩壓二極體，用於數字電路的開關二極體，用於調諧的變容二極體，以及光電二極體等，最常看見的是發光二極體。
發光二極體在日常生活電器中無處不在，它能夠發光，有紅色、綠色和黃色等，有直徑3mm、5mm和2×5mm長方型的的。與普通二極體一樣，發光二極體也是由半導體材料製成的，也具有單向導電的性質，即只有接對極性才能發光。發光二極體符號比一般二極體多了兩個箭頭，示意能夠發光。通常發光二極體用來作電路工作狀態的指示，它比小燈泡的耗電低得多，而且壽命也長得多。用發光二極體，還可以構成電子顯示屏，證券交易所里的顯示屏就是由發光二極體點陣構成的，只是因為各種色彩都是由紅綠藍構成，而藍色發光二極體在以前還未大量生產出來，所以一般的電子顯示屏都不能顯示出真彩色。
發光二極體的發光顏色一般和它本身的顏色相同，但是近年來出現了透明色的發光管，它也能發出紅黃綠等顏色的光，只有通電了才能知道。 辨別發光二極體正負極的方法，有實驗法和目測法。實驗法就是通電看看能不能發光，若不能就是極性接錯或是發光管損壞。
注意發光二極體是一種電流型器件，雖然在它的兩端直接接上3V的電壓後能夠發光，但容易損壞，在實際使用中一定要串接限流電阻，工作電流根據型號不同一般為1mA到3OmA。另外，由於發光二極體的導通電壓一般為1．7V以上，所以一節1．5V的電池不能點亮發光二極體。同樣，一般萬用表的R×1檔到R×1K檔均不能測試發光二極體，而R×10K檔由於使用15V的電池，能把有的發光管點亮。
用眼睛來觀察發光二極體，可以發現內部的兩個電極一大一小。一般來說，電極較小、個頭較矮的一個是發光二極體的正極，電極較大的一個是它的負極。若是新買來的發光管，管腳較長的一個是正極。

⑤ PN結是什麼

PN結（ junction）。採用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體製作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區稱PN結。PN結具有單向導電性。P是positive的縮寫，N是negative的縮寫，表明正荷子與負荷子起作用的特點。一塊單晶半導體中 ，一部分摻有受主雜質是P型半導體，另一部分摻有施主雜質是N型半導體時 ，P 型半導體和N型半導體的交界面附近的過渡區稱為PN結。PN結有同質結和異質結兩種。用同一種半導體材料製成的 PN 結叫同質結 ，由禁帶寬度不同的兩種半導體材料製成的PN結叫異質結。
製造PN結的方法有合金法、擴散法、離子注入法和外延生長法等。製造異質結通常採用外延生長法。 P型半導體（P指positive，帶正電的）：由單晶硅通過特殊工藝摻入少量的三價元素組成，會在半導體內部形成帶正電的空穴； N型半導體（N指negative，帶負電的）：由單晶硅通過特殊工藝摻入少量的五價元素組成，會在半導體內部形成帶負電的自由電子。 在 P 型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。在電場的作用下，空穴是可以移動的，而電離雜質（離子）是固定不動的 。N 型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。當P型和N型半導體接觸時，在界面附近空穴從P型半導體向N型半導體擴散，電子從N型半導體向P型半導體擴散。空穴和電子相遇而復合，載流子消失。因此在界面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有分布在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區 。P 型半導體一邊的空間電荷是負離子 ，N 型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在界面附近產生電場，這電場阻止載流子進一步擴散 ，達到平衡。 在PN結上外加一電壓 ，如果P型一邊接正極 ，N型一邊接負極，電流便從P型一邊流向N型一邊，空穴和電子都向界面運動，使空間電荷區變窄，電流可以順利通過。如果N型一邊接外加電壓的正極，P型一邊接負極，則空穴和電子都向遠離界面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過。這就是PN結的單向導電性。 PN結加反向電壓時 ，空間電荷區變寬 ， 區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將PN結燒毀。反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧道擊穿（也叫齊納擊穿）和雪崩擊穿，前者擊穿電壓小於6V，有負的溫度系數，後者擊穿電壓大於6V，有正的溫度系數。 PN結加反向電壓時，空間電荷區中的正負電荷構成一個電容性的器件。它的電容量隨外加電壓改變。 根據PN結的材料、摻雜分布、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利用PN結單向導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體，利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體；利用高摻雜PN結隧道效應製作隧道二極體；利用結電容隨外電壓變化效應製作變容二極體。使半導體的光電效應與PN結相結合還可以製作多種光電器件。如利用前向偏置異質結的載流子注入與復合可以製造半導體激光二極體與半導體發光二極體；利用光輻射對PN結反向電流的調製作用可以製成光電探測器；利用光生伏特效應可製成太陽電池。此外，利用兩個 PN結之間的相互作用可以產生放大，振盪等多種電子功能 。PN結是構成雙極型晶體管和場效應晶體管的核心，是現代電子技術的基礎。在二級管中廣泛應用。 PN結的平衡態,是指PN結內的溫度均勻、穩定,沒有外加電場、外加磁場、光照和輻射等外界因素的作用,宏觀上達到穩定的平衡狀態.
PN結的形成
在一塊本徵半導體的兩側通過擴散不同的雜質,分別形成N型半導體和P型半導體。此時將在N型半導體和P型半導體的結合面上形成如下物理過程: 因濃度差 ↓ 多子的擴散運動®由雜質離子形成空間電荷區 ↓ 空間電荷區形成形成內電場 ↓ ↓ 內電場促使少子漂移 內電場阻止多子擴散 最後，多子的擴散和少子的漂移達到動態平衡。在P型半導體和N型半導體的結合面兩側，留下離子薄層，這個離子薄層形成的空間電荷區稱為PN結。PN結的內電場方向由N區指向P區。在空間電荷區，由於缺少多子，所以也稱耗盡層。PN結形成的過程可參閱圖01.06。 圖01.06 PN結的形成過程（動畫1-3）如打不開點這兒（壓縮後的）
PN結的單向導電性
PN結具有單向導電性，若外加電壓使電流從P區流到N區，PN結呈低阻性，所以電流大；反之是高阻性，電流小。 如果外加電壓使： PN結P區的電位高於N區的電位稱為加正向電壓，簡稱正偏； PN結P區的電位低於N區的電位稱為加反向電壓，簡稱反偏。 (1) PN結加正向電壓時的導電情況 外加的正向電壓有一部分降落在PN結區，方向與PN結內電場方向相反，削弱了內電場。於是，內電場對多子擴散運動的阻礙減弱，擴散電流加大。擴散電流遠大於漂移電流，可忽略漂移電流的影響，PN結呈現低阻性。 (2) PN結加反向電壓時的導電情況 外加的反向電壓有一部分降落在PN結區，方向與PN結內電場方向相同，加強了內電場。內電場對多子擴散運動的阻礙增強，擴散電流大大減小。此時PN結區的少子在內電場作用下形成的漂移電流大於擴散電流，可忽略擴散電流，PN結呈現高阻性。 在一定的溫度條件下，由本徵激發決定的少子濃度是一定的，故少子形成的漂移電流是恆定的，基本上與所加反向電壓的大小無關，這個電流也稱為反向飽和電流。 PN結加正向電壓時，呈現低電阻，具有較大的正向擴散電流；PN結加反向電壓時，呈現高電阻，具有很小的反向漂移電流。由此可以得出結論：PN結具有單向導電性。
PN結的電容效應
PN結具有一定的電容效應，它由兩方面的因素決定。一是勢壘電容CB ，二是擴散電容CD 。 (1) 勢壘電容CB 勢壘電容是由空間電荷區的離子薄層形成的。當外加電壓使PN結上壓降發生變化時，離子薄層的厚度也相應地隨之改變，這相當PN結中存儲的電荷量也隨之變化，猶如電容的充放電。勢壘電容的示意圖見圖01.09。 圖01.09 勢壘電容示意圖 (2) 擴散電容CD 擴散電容是由多子擴散後，在PN結的另一側面積累而形成的。因PN結正偏時，由N區擴散到P區的電子，與外電源提供的空穴相復合，形成正向電流。剛擴散過來的電子就堆積在 P 區內緊靠PN結的附近，形成一定的多子濃度梯度分布曲線。反之，由P區擴散到N區的空穴，在N區內也形成類似的濃度梯度分布曲線。擴散電容的示意圖如圖01.10所示。 當外加正向電壓不同時，擴散電流即外電路電流的大小也就不同。所以PN結兩側堆積的多子的濃度梯度分布也不同，這就相當電容的充放電過程。勢壘電容和擴散電容均是非線性電容。
編輯本段擊穿特性
當反向電壓增大到一定值時，PN結的反向電流將隨反向電壓的增加而急劇增 加，這種現象稱為PN結的擊穿，反向電流急劇增加時所對應的電壓稱為反向擊穿電壓，如上圖所示， PN結的反向擊穿有雪崩擊穿和齊納擊穿兩種。
1、雪崩擊穿
阻擋層中的載流子漂移速度隨內部電場的增強而相應加快到一定程度時，其動能足以把束縛在共價鍵中的價電子碰撞出來，產生自由電子—空穴對，新產生的載流子在強電場作用下，再去碰撞其它中性原子，又產生新的自由電子—空穴對，如此連鎖反應，使阻擋層中的載流子數量急 劇增加，象雪崩一樣。雪崩擊穿發生在摻雜濃度較低的PN結中，阻擋層寬，碰撞電離的機會較多，雪崩擊穿的擊穿電壓高。
2、齊納擊穿
當PN結兩邊摻雜濃度很高時，阻擋層很薄，不易產生碰撞電離，但當加不大的反向電壓時，阻擋層中的電場很強，足以把中性原子中的價電子直接從共價鍵中拉出來，產生新的自由電子—空穴對，這個過程 稱為場致激發。 一般擊穿電壓在6V以下是齊納擊穿，在6V以上是雪崩擊穿。
3、擊穿電壓的溫度特性
溫度升高後，晶格振動加劇，致使載流子運動的平 均自由路程縮短，碰撞前動能減小，必須加大反向電壓才能發生雪崩擊穿具有正的溫度系數，但溫度升高，共價鍵中的價電子能量狀態高，從而齊納擊穿電壓隨溫度升高而降低，具有負的溫度系數。6V左右兩種擊穿將會同時發生，擊穿電壓的溫度系數趨於零。
4、穩壓二極體
PN結一旦擊穿後，盡管反向電流急劇變化，但其端電壓幾 乎不變（近似為V(BR)，只要限制它的反向電流，PN結 就不會燒壞，利用這一特性可製成穩壓二極體，其電路符號及伏 安特性如上圖所示：其主要參數有： VZ 、 Izmin 、 Iz 、 Izmax

編輯本段電容特性
PN結除具有非線性電阻特性外，還具有非線性電容特性，主要有勢壘電容和擴散電容。
1、勢壘電容
勢壘區類似平板電容器，其交界兩側存儲著數值相等極性相反的離子電荷，電荷量隨外加電壓而變化，稱為勢壘電容，用CT表示。 CT = - dQ/dV PN結有突變結和緩變結，現考慮突變結情況（緩變結參見《晶體管原 理》），PN結相當於平板電容器，雖然外加電場會使勢壘區變寬或變窄 但這個變化比較小可以忽略， 則CT=εS/L，已知動態平衡下阻擋層的寬度L0，代入上式可得：
CT不是恆值，而是隨V而變化，利用該特性可製作變容二極體。
2、 擴散電容
多子在擴散過程中越過PN結成為另一方的少子， 當PN結處於 平衡狀態（無外加電壓）時的少子稱為平衡少子 可以認為阻擋層以外的區域內平衡少子濃度各處是一樣的，當PN結處於正向偏置時，N區的多子自由電子擴散到P區成為 P區的非平衡少子，由於濃度差異還會向P 區深處擴散，距交界面越遠，非平衡少子濃度越低，其分布曲線見[PN 結的伏 安特性]。當外加正向電壓增大時，濃度分布曲線上移，兩邊 非平 衡少子濃度增加即電荷量增加，為了維持電中性，中性區內的非平衡多子濃度也相應增加，這就是說，當外加電壓增加時，P區和N區各自存儲的空穴和自由電子電荷量也增加，這種效應相當於在PN結上並聯一個電容，由於它是載流子擴散引起的，故稱之為擴散電容CD，由半導體物理推導得 CD=（ I + Is）τp/VT 推導過程參見《晶體管原理》。 當外加反向電壓時 I = Is ， CD趨於零。
3、 PN結電容
PN結的總電容Cj為CT和CD兩者之和Cj = CT+CD ，外加正向電 壓CD很大， Cj以擴散電容為主（幾十pF到幾千pF） ，外加反向電壓CD趨於零，Cj以勢壘電容為主（幾pF到幾十pF到）。
4、變容二極體
PN結反偏時，反向電流很小，近似開路，因此是一個主要由勢壘電容構成的較理想的電容器件，且其增量電容值隨外加電壓而變化 利用該特性可製作變容二極體，變容二極體在非線性電路中應用較廣泛， 如壓控振盪器、頻率調制等。

⑥ p型半導體本身是帶正電，還是電中性，為什麼

無論是P型半導體，還是N型半導體，其本身是不帶正負電的。都是電中性。回因為，P型半導體是指答空穴大於自由電子濃度材料，N型半導體正相反。而真正帶電極性是由空穴或自由電子誰多誰少決定的。空穴大於自由電子濃度的，就呈現正電性，自由電子大於空穴濃度的，就呈現負電極性。

⑦ 什麼是pn結以及它的基本特徵

1、採用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體製作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區稱為PN結。

2、PN結具有單向導電性，是電子技術中許多器件所利用的特性，例如半導體二極體、雙極性晶體管的物質基礎。

PN結是由一個N型摻雜區和一個P型摻雜區緊密接觸所構成的，其接觸界面稱為冶金結界面。在一塊完整的矽片上，用不同的摻雜工藝使其一邊形成N型半導體，另一邊形成P型半導體，我們稱兩種半導體的交界面附近的區域為PN結。

(7)半導體p區是什麼極性擴展閱讀：

N型半導體（N為Negative的字頭，由於電子帶負電荷而得此名）：

摻入少量雜質磷元素（或銻元素）的硅晶體（或鍺晶體）中，由於半導體原子（如硅原子）被雜質原子取代，磷原子外層的五個外層電子的其中四個與周圍的半導體原子形成共價鍵，多出的一個電子幾乎不受束縛，較為容易地成為自由電子。

於是，N型半導體就成為了含電子濃度較高的半導體，其導電性主要是因為自由電子導電。

P型半導體（P為Positive的字頭，由於空穴帶正電而得此名）：

摻入少量雜質硼元素（或銦元素）的硅晶體（或鍺晶體）中，由於半導體原子（如硅原子）被雜質原子取代，硼原子外層的三個外層電子與周圍的半導體原子形成共價鍵的時候，會產生一個「空穴」，這個空穴可能吸引束縛電子來「填充」，使得硼原子成為帶負電的離子。

這樣，這類半導體由於含有較高濃度的「空穴」（「相當於」正電荷），成為能夠導電的物質。

⑧ 三極體的極性用字母怎麼表示

三極體的極性用字母表示，B級為基極，C表示集電極，E表示發射極。

三極體，全稱應為半導體三極體，也稱雙極型晶體管、晶體三極體，是一種電流控制電流的半導體器件·其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號， 也用作無觸點開關。晶體三極體，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極體是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。

晶體三極體（以下簡稱三極體）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極體，（其中，N表示在高純度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而p是加入硼取代硅，產生大量空穴利於導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。

對於NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN結稱為發射結,而集電區與基區形成的PN結稱為集電結,三條引線分別稱為發射極e （Emitter）、基極b (Base)和集電極c (Collector)。如圖所示：