半導體干刻蝕怎麼樣

1. 南通同方半導體生產線上刻蝕站工作對人身體有什麼傷害求專業人士回答

阿薩發放

2. 半導體工藝工程師怎麼樣要幾年出師。薪資待遇怎麼樣。

不同工種的工復藝工製程師差不少呢。
我覺得光刻相關的最值錢，畢竟目前人工濕法刻蝕還很難被機器完全取代。
出師呢，至少2-3年才有資本說自己干過。一個有經驗的工藝工程師大約需要5-10年的時間吧。畢竟很多異常狀況少見，需要時間和經驗。

3. 半導體行業干久了對身體真的不好嗎

有這么一說 畢竟行業涉及到了太多的酸鹼溶液及有毒化學品，且生產車間屬於封閉式空間，長時間會造成毒素累積。且很多生產設備有諸多的強磁強輻射，對人體都有影響

4. 光刻 \濕刻＼干法刻蝕有何不同

呵呵，我以前在半導體做了兩年啊！懂一點點吧！
以前我在的是蝕刻區！半導體制蝕刻(Etching)

(三)蝕刻(Etching)
蝕刻的機制，按發生順序可概分為「反應物接近表面」、「表面氧化」、「表面反應」、「生成物離開表面」等過程。所以整個蝕刻，包含反應物接近、生成物離開的擴散效應，以及化學反應兩部份。整個蝕刻的時間，等於是擴散與化學反應兩部份所費時間的總和。二者之中孰者費時較長，整個蝕刻之快慢也卡在該者，故有所謂「reaction limited」與「diffusion limited」兩類蝕刻之分。
1、濕蝕刻
最普遍、也是設備成本最低的蝕刻方法，其設備如圖2-10所示。其影響被蝕刻物之蝕刻速率 (etching rate) 的因素有三：蝕刻液濃度、蝕刻液溫度、及攪拌 (stirring) 之有無。定性而言，增加蝕刻溫度與加入攪拌，均能有效提高蝕刻速率；但濃度之影響則較不明確。舉例來說，以49%的HF蝕刻SiO2，當然比BOE (Buffered-Oxide- Etch；HF：NH4F =1：6) 快的多；但40%的KOH蝕刻Si的速率卻比20%KOH慢！ 濕蝕刻的配方選用是一項化學的專業，對於一般不是這方面的研究人員，必須向該化學專業的同儕請教。一個選用濕蝕刻配方的重要觀念是「選擇性」(selectivity)，意指進行蝕刻時，對被蝕物去除速度與連帶對其他材質 (如蝕刻掩膜；etching mask， 或承載被加工薄膜之基板；substrate ) 的腐蝕速度之比值。一個具有高選擇性的蝕刻系統，應該只對被加工薄膜有腐蝕作用，而不傷及一旁之蝕刻掩膜或其下的基板材料。
(1)等向性蝕刻 (isotropic etching)
大部份的濕蝕刻液均是等向性，換言之，對蝕刻接觸點之任何方向腐蝕速度並無明顯差異。故一旦定義好蝕刻掩膜的圖案，暴露出來的區域，便是往下腐蝕的所在；只要蝕刻配方具高選擇性，便應當止於所該止之深度。
然而有鑒於任何被蝕薄膜皆有其厚度，當其被蝕出某深度時，蝕刻掩膜圖案邊緣的部位漸與蝕刻液接觸，故蝕刻液也開始對蝕刻掩膜圖案邊緣的底部，進行蝕掏，這就是所謂的下切或側向侵蝕現象 (undercut)。該現象造成的圖案側向誤差與被蝕薄膜厚度同數量級，換言之，濕蝕刻技術因之而無法應用在類似「次微米」線寬的精密製程技術！
(2)非等向性蝕刻 (anisotropic etching)
先前題到之濕蝕刻「選擇性」觀念，是以不同材料之受蝕快慢程度來說明。然而自1970年代起，在諸如Journal of Electro-Chemical Society等期刊中，發表了許多有關鹼性或有機溶液腐蝕單晶硅的文章，其特點是不同的硅晶面腐蝕速率相差極大，尤其是<111>方向，足足比<100>或是<110>方向的腐蝕速率小一到兩個數量級！因此，腐蝕速率最慢的晶面，往往便是腐蝕後留下的特定面。
這部份將在體型微細加工時再詳述。
2、干蝕刻
干蝕刻是一類較新型，但迅速為半導體工業所採用的技術。其利用電漿 (plasma) 來進行半導體薄膜材料的蝕刻加工。其中電漿必須在真空度約10至0.001 Torr 的環境下，才有可能被激發出來；而干蝕刻採用的氣體，或轟擊質量頗巨，或化學活性極高，均能達成蝕刻的目的。
干蝕刻基本上包括「離子轟擊」(ion-bombardment)與「化學反應」(chemical reaction) 兩部份蝕刻機制。偏「離子轟擊」效應者使用氬氣(argon)，加工出來之邊緣側向侵蝕現象極微。而偏「化學反應」效應者則采氟系或氯系氣體(如四氟化碳CF4)，經激發出來的電漿，即帶有氟或氯之離子團，可快速與晶元表面材質反應。
干蝕刻法可直接利用光阻作蝕刻之阻絕遮幕，不必另行成長阻絕遮幕之半導體材料。而其最重要的優點，能兼顧邊緣側向侵蝕現象極微與高蝕刻率兩種優點，換言之，本技術中所謂「活性離子蝕刻」(reactive ion etch；RIE) 已足敷「次微米」線寬製程技術的要求，而正被大量使用中。

5. 金屬蝕刻怎麼樣

金屬蝕刻(etching)是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。金屬蝕刻技術可以分為濕蝕刻(wetetching)和干蝕刻(dryetching)兩類。

金屬蝕刻的原理

通常所指金屬蝕刻也稱光化學金屬蝕刻（photochemicaletching），指通過曝光製版、顯影後，將要金屬蝕刻區域的保護膜去除，在金屬蝕刻時接觸化學溶液，達到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。最早可用來製造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用於減輕重量(WeightRection)儀器鑲板，銘牌及傳統加工法難以加工之薄形工件等的加工；經過不斷改良和工藝設備發展，亦可以用於航空、機械、化學工業中電子薄片零件精密金屬蝕刻產品的加工，特別在半導體製程上，金屬蝕刻更是不可或缺的技術。金屬蝕刻(etching)是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。金屬蝕刻技術可以分為濕蝕刻(wetetching)和干蝕刻(dryetching)兩類通常所指金屬蝕刻也稱光化學金屬蝕刻（photochemicaletching），指通過曝光製版、顯影後，將要金屬蝕刻區域的保護膜去除，在金屬蝕刻時接觸化學溶液，達到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。

曝光法：開料→清洗板材(不銹鋼其它金屬材料)→烘乾→塗布→烘乾→曝光→顯影→蝕刻→脫膜→OK

網印法：開料→清洗板材(不銹鋼其它金屬材料)→絲網印→蝕刻→脫膜→OK

6. 有知道半導體晶圓製造的腐蝕工藝工程師的嗎，對身體有害嗎，有前途嗎

我不知道這個行業的事情

不過目前我在實驗室里搞這些玩意。。關於腐蝕工藝，內你會用到很多高強容度的酸鹼，有一定危害~目前腐蝕工藝裡面傷害最大的是HF，氫氟酸。這玩意算是氣體，用的時候一般是做成溶液的，如果沾到手上就很麻煩，一開始沒什麼感覺，疼的時候就太晚了。。最嚴重的時候是要截肢的。不過一般來說是有保護措施的，一般是：裡面一層無塵服，口罩，橡膠手套；外面一層專門的防酸手套，防濺的外套，防酸或者防鹼的頭盔。

一般液體腐蝕工藝會用到HF，NaOH，HNO3等等，有毒氣體除了HF倒沒啥~

如果是乾燥腐蝕工藝（Dry Etch）就更沒事了，都是用機器做的，一般是用離子腐蝕

所以結論是，做好個人防護就沒有事情~沒什麼太大害處~

前途這個，我不好說~抱歉鳥~

7. 半導體制備中 各向異性刻蝕與干法刻蝕的不同 干法刻蝕相比較各向異性刻蝕有什麼優點 小白求解

Anisotropic Etch 主要是在etch的時抄候對材料的各個方向的腐蝕速度不一樣~比如說硅，用KOH對100向和110向的硅蝕刻的時候，速度就完全不一樣~100會快很多~

Dry etch的話，主要是將一些氣體電離成離子態，然後用電磁加速打向目標，與目標材料反應~

其實我覺得你說的這兩個東西其實不是一個橫向可比的東西。。

etch可以根據腐蝕是否有方向性分為 Anisotropic 和 Isotropic兩種。

如果以用作蝕刻的材料來分，可以分為wet（比如上面說的KOH）和dry（典型是RIE，Reactive Ion Etch）兩種。

如果硬要比的話，dry etch要比anisotropic etch好，因為dry etch可以提供一個非常好的side wall~就是說蝕刻後的那個洞的內壁和底部可以做到幾乎垂直~不過具體效果要看dry etch的方法和材料以及目標材料~

8. 刻蝕工程師有前景嗎

不同工種的工藝工程師差不少呢。
我覺得光刻相關的最值錢，畢竟目前人工專濕法刻蝕還很屬難被機器完全取代。
出師呢，至少2-3年才有資本說自己干過。一個有經驗的工藝工程師大約需要5-10年的時間吧。畢竟很多異常狀況少見，需要時間和經驗。