為什麼將半導體器件

1. 為什麼將為什麼半導體器件的溫度穩定性差

因為半導體器件都是雜質半導體，通常溫度區間（包括常溫值）下器內件工作在雜質的強電容離區，載流子濃度是恆定的，基本不受外界影響；如果溫度太高，半導體載流子以本徵電離為主，則載流子濃度隨外界影響太大，半導體的特性就沒了，像pn結的整流特性和單向導通性，同樣場效應管也不可以正常工作，甚至如果溫度太高，pn結會發生擊穿！
就知道這么多，希望你能滿意！

2. 什麼是離散半導體元器件 為什麼叫離散半導體元器件

單個的二極體，三極體，MOS管等。離散是相對於集成電路來說的，通常一片集成電路晶元里有很多半導體元件。

3. 為什麼將為什麼半導體器件的溫度穩定性差

半導體的特性就是這樣，，
據我所知，不是極端溫度影響不大
半導體材料在溫度太低的情況下電子不容易漂移，而溫度太高的話又會無規則漂移，

4. 我想知道為什麼要將半導體變成導電性很差的本徵半導體

這是半導體技術中的基本概念問題，提得好。
因為製造半導體器件和集成電內路時，最容重要的是要很好地控制摻入的雜質的種類和數量（濃度）；而且有些雜質對半導體載流子的影響也很不好（例如減短壽命、降低遷移率）。為了達到能夠可控的摻雜和去掉有害雜質，就必須事先把作為原始材料的Si片提純——使之成為本徵半導體。否則就難以實現有目的地摻雜和做好器件和電路。

5. 在製造半導體器件時，為什麼先將導電性能介於導體和絕緣體之間的硅或鍺製成本徵半導體

摻入雜質後，在本徵半導體與雜質半導體中間就形成了PN結，
在P型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。在電場的作用下，空穴是可以移動的，而電離雜質（離子）是固定不動的。N 型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。當P型和N型半導體接觸時，在界面附近空穴從P型半導體向N型半導體擴散，電子從N型半導體向P型半導體擴散。空穴和電子相遇而復合，載流子消失。因此在界面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有分布在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區。P 型半導體一邊的空間電荷是負離子，N 型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在界面附近產生電場，這電場阻止載流子進一步擴散，達到平衡。

在PN結上外加一電壓，如果P型一邊接正極，N型一邊接負極，電流便從P型一邊流向N型一邊，空穴和電子都向界面運動，使空間電荷區變窄，電流可以順利通過。如果N型一邊接外加電壓的正極，P型一邊接負極，則空穴和電子都向遠離界面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過。這就是PN結的單向導電性。

PN結加反向電壓時，空間電荷區變寬，區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將PN結燒毀。反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧道擊穿（也叫齊納擊穿）和雪崩擊穿，前者擊穿電壓小於6V，有負的溫度系數，後者擊穿電壓大於6V，有正的溫度系數。PN結加反向電壓時，空間電荷區中的正負電荷構成一個電容性的器件。它的電容量隨外加電壓改變。

根據PN結的材料、摻雜分布、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利用PN結單向導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體，利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體；利用高摻雜PN結隧道效應製作隧道二極體；利用結電容隨外電壓變化效應製作變容二極體。使半導體的光電效應與PN結相結合還可以製作多種光電器件。如利用前向偏置異質結的載流子注入與復合可以製造半導體激光二極體與半導體發光二極體；利用光輻射對PN結反向電流的調製作用可以製成光電探測器；利用光生伏特效應可製成太陽電池。此外，利用兩個PN結之間的相互作用可以產生放大，振盪等多種電子功能。PN結是構成雙極型晶體管和場效應晶體管的核心，是現代電子技術的基礎。在二級管中廣泛應用

6. 為什麼半導體器件有最高工作電壓

因為器件工作時有一個PN結處於反偏，如果外加電壓過高，會造成PN結擊穿，從而使器件失效，所以器件有最高工作電壓的限定，一般為擊穿電壓的一半。

7. 整流二極體是用於將什麼轉變為什麼的半導體器件

當然是用於將交流電轉變為直流電的半導體器件。

8. 為什麼半導體器件都有一定的極限工作溫度

這個是很好解釋的，有些材料有半導體這個特性，是在一定溫度，濕度等一些列條件下才具有的特性。當溫度升高時，材料內部的分子機構有可能改變，也導致半導體特性減小或者消失。所以一般有其極限工作溫度。

9. 為什麼現在的半導體元件用的都是硅

早年或最初的半導體材料都是用鍺。如我國鍺類晶體管就是3A系列和3B系列。二極體是回答2A系列。上世紀6，7十年代有半導體收音機基本上都是鍺材料。
鍺材料的致命弱點就是溫度穩定性很差。三極體漏電流很大，門限電壓很低0.1V左右。當大規模集成電路時。這些都是致命的缺點。
至於題主用金屬與非金屬的概念套散熱性能並不合適。鍺雖屬金屬元素，但其導電性屬於半導體。

10. 模擬電子技術問題之為什麼半導體器件有最高工作頻率求答案

這是因為半導體器件的主要組成單元是PN結，PN結的顯著特徵是單向導電性，因為PN結的反向專截止屬區是由耗盡層變寬導致截止，而這個過程是需要一定的時間的，如果頻率太高導致時間周期小於截止時間就可能造成PN結失去單向導電性，導致半導體器件不能正常工作，所以半導體器件有最高工作頻率的限制。