p型半導體中什麼多什麼少
① 什麼是P型半導體和N型半導體其多數載流子和少數載流子各是什麼能否說P型半導體帶正電、N型半導體帶負
P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體
N型半導體即自由電子濃度遠大於內空穴濃度的雜質半容導體
如果半導體中電子濃度大時，電子就是多數載流電子，空穴就是少數載流電子。相反，如果該半導體中空穴濃度大時，空穴就是多數載流電子，電子就是少數載流電子。
P型半導體、N型半導體都是電中性
② P型半導體中的多數載流子是空穴,少數載流子是自由電子。這句話是正確的么
正確
③ p型半導體中的自由電子比空穴多很多嗎
P型半導體中空穴多。
P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。
④ PN結中,什麼叫多子和少子
多子和少子的形成:五價元素的原子有五個價電子，當它頂替晶格中的四價硅原子時，每個五價元素原子中的四個價電子與周圍四個硅原子以共價鍵形式相結合，而餘下的一個就不受共價鍵束縛，它在室溫時所獲得的熱能足以便它掙脫原子核的吸引而變成自由電子，如圖所示。出於該電子不是共價鍵中的價電子，因而不會同時產生空穴。而對於每個五價元素原子，盡管它釋放出一個自由電子後變成帶一個電子電荷量的正離子，但它束縛在晶格中，不能象載流子那樣起導電作用。這樣，與本徵激發濃度相比，N型半導體中自由電子濃度大大增加了，而空穴因與自由電子相遇而復合的機會增大，其濃度反而更小了。
多子---在N型半導體中，將自由電子稱為多數載流子，簡稱多子；
少子---在N型半導體中，空穴稱為少數載梳子，簡稱少子。
施主雜質---將五價元素稱為施主雜質，它是受晶格束縛的正離子。
在硅或鍺晶體中摻入少量的五價元素磷（或銻）是施主雜質，晶體點陣中的某些半導體原子被雜質取代，磷原子的最外層有五個價電子，其中四個與相臨的半導體原子形成共價鍵，必定多出一個電子，這個電子幾乎不受束縛，很容易被激發而成為自由電子，這樣磷原子就成了不能移動的帶正電的離子。每個磷原子給出一個電子，稱為施主原子。
⑤ 簡述N型半導體與P型半導體的形成過程並指出多子與少子各是什麼
在半來導體材料硅或鍺晶體中摻入源三價元素雜質可構成缺殼粒的P型半導體，摻入五價元素雜質可構成多餘殼粒的N形半導體。 （ 兩種半導體接觸在一起的點或面構成PN結，在接觸點或面上N型半導體多餘殼粒趨向P型半導體，並形成阻擋層或接觸電位差。當P型接正極，N型接負極，N型半導體多餘殼粒和PN結上殼粒易往正移動，且阻擋層變薄接觸電位差變小，即電阻變小，可形成較大電流；反之當P型接負極，N型接正極，因為P半導體缺殼粒，熱運動也難分離出殼粒往正極運動，且阻擋層變厚接觸電位差變大，電阻變大，形成較小電流，即具有單向通過電流屬性。 ）
多子與少子是相對概念。
如：在N型半導體中自由電子是多數載流子，簡稱為「多子」；空穴為小數載流子，稱為「少子」。而在P型中則相反。
----考試的話，答概念就可以了，具體的作用過程你就不用記了。
⑥ n型半導體和p型半導體中的多數載流子和少數的載流子是怎樣產生的它的數量各由什麼因數控制（那個大
以n型半導體為例，其中的多數載流子電子是由於在半導體中摻雜N型雜質（專例如磷、砷、銻等）產生的。摻屬入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。由於N型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故N型半導體呈電中性。自由電子（多子）主要由雜質原子提供，空穴（少子）由熱激發形成。p型半導體剛好相反。
⑦ p型半導體有哪些
在半導體材料硅或鍺晶體中摻入三價元素雜質可構成缺殼粒的P型半導體，摻入五價元素雜回質可構成多餘殼答粒的N形半導體。 （ 兩種半導體接觸在一起的點或面構成PN結，在接觸點或面上N型半導體多餘殼粒趨向P型半導體，並形成阻擋層或接觸電位差。當P型接正極，N型接負極，N型半導體多餘殼粒和PN結上殼粒易往正移動，且阻擋層變薄接觸電位差變小，即電阻變小，可形成較大電流；反之當P型接負極，N型接正極，因為P半導體缺殼粒，熱運動也難分離出殼粒往正極運動，且阻擋層變厚接觸電位差變大，電阻變大，形成較小電流，即具有單向通過電流屬性。 ） 多子與少子是相對概念。 如：在N型半導體中自由電子是多數載流子，簡稱為「多子」；空穴為小數載流子，稱為「少子」。而在P型中則相反。 ----考試的話，答概念就可以了，具體的作用過程你就不用記了。
⑧ N型半導體和P型半導體中的多子和少子分別是什麼 分別依靠哪種載流子導電
N型半導體的多子是電子,少子是空穴
P型半導體的多子是空穴,少子是電子
⑨ P型半導體中的【 】是多數載流子【 】是少數載流子 多子主要來自【 】少子主要來自【 】
P型半導體中的【空穴 】是多數載流子【電子 】是少數載流子 多子主要來自【受主雜質電離 】少子主要來自【本徵激發 】。
⑩ P型半導體中多數載流子是空穴，少數載流子是自由電子。怎麼解釋
在純凈的硅晶體中摻入三價元素 使其取代晶格中硅原子的位置 由於少一個最外層電子與硅配對 便產生大量空穴少數自由電子由熱激發形成