半導體的界面能帶為什麼會彎曲

『壹』 金半接觸時，半導體的真空能級會彎曲嗎

因為N型半導體抄的功函數小於金屬襲的功函數，所以當N型半導體與金屬接觸時，N型半導體中的電子將向金屬一邊轉移，結果就造成半導體表面空間電荷區中有正電荷，在金屬表面（界面）上有負電荷，從而產生一個由半導體指向金屬表面的電場。.....可參見「」網頁中的有關說明以及網路中的「pn結勢壘」詞條。

『貳』 能帶彎曲是由極化效應還是內建電場引起的

如果你說的是半導體與電解液接觸的話，那麼：能帶彎曲與半導體/電解液結有關回對於一個n型半導體當答其費米能級等於平帶電勢時，半導體與電解液之間沒有電荷流轉，在半導體與電解液接觸界面兩側沒有多餘電荷，因此在固液界面的半導體一側不會出現能帶彎曲。如果電子從電解液流向半導體（即半導體的費米能級低於電解液中氧化還原電對電勢），此時在固液界面的半導體一側得到的是累積層，半導體靠近界面處的能帶彎曲方向朝下。如果電子從半導體流入電解液（即半導體的費米能級高於電解液中氧化還原電對電勢），此時在固液界面的半導體一側得到的是耗盡層（由不能移動的帶正電的電子施主形成），半導體靠近界面處的能帶彎曲方向朝上。如果電子過多的從半導體流入電解液以至於固液界面處的電子濃度低於半導體的本徵電子濃度，此時在固液界面的半導體一側得到的是反型層，半導體靠近界面處的能帶彎曲朝上加劇，同時半導體表面呈現p型特徵（半導體體相依舊為n型）。p型半導體與電解液接觸形成半導體/電解液結的原理與n型半導體相同，只是在p型半導體中可移動的載流子為空穴。（來自馮建勇博士論文：(氧)氮化物的制備及其光電化學水分解性能的研究）

『叄』 半導體物理中的金屬半導體接觸，怎麼看看能帶向上彎曲還是向下

如果你抄說的是半導體襲與電解液接觸的話，那麼：能帶彎曲與 半導體/電解液結 有關
對於一個n型半導體當其費米能級等於平帶電勢時，半導體與電解液之間沒有電荷流轉，在半導體與電解液接觸界面兩側沒有多餘電荷，因此在固液界面的半導體一側不會出現能帶彎曲。如果電子從電解液流向半導體（即半導體的費米能級低於電解液中氧化還原電對電勢），此時在固液界面的半導體一側得到的是累積層，半導體靠近界面處的能帶彎曲方向朝下。如果電子從半導體流入電解液（即半導體的費米能級高於電解液中氧化還原電對電勢），此時在固液界面的半導體一側得到的是耗盡層（由不能移動的帶正電的電子施主形成），半導體靠近界面處的能帶彎曲方向朝上。如果電子過多的從半導體流入電解液以至於固液界面處的電子濃度低於半導體的本徵電子濃度，此時在固液界面的半導體一側得到的是反型層，半導體靠近界面處的能帶彎曲朝上加劇，同時半導體表面呈現p型特徵（半導體體相依舊為n型）。p型半導體與電解液接觸形成半導體/電解液結的原理與n型半導體相同，只是在p型半導體中可移動的載流子為空穴。（來自馮建勇博士論文：(氧)氮化物的制備及其光電化學水分解性能的研究）

『肆』 半導體中的能帶圖是怎麼回事兒，最好是普通語言解釋，謝謝！

我們看到的能帶抄圖，有導帶底、價帶襲頂，雜質半導體中還有施主能級和受主能級。
所謂能帶圖就是用水平橫線表示各個能帶的能量極值及定義值，可以直觀的看到不同能級的能量的大小的一種表示方法。
如果你希望了解更深入的理論或者對一些定義不太了解，建議你看劉恩科版《半導體物理》。

『伍』 影響半導體能帶結構的因素有哪些

半導體( semiconctor)，指常溫下導電性能介於導體(conctor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導體在收音機、電視機以內及測溫容上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。

『陸』 半導體表面區的能帶圖，並說明會出現何種現象，回答正偏強反型的條件是什麼

半導體表面能帶彎曲，出現反型層時，就認為是強反型，這時半導體的表面勢專=Fermi勢。參見「http://blog.163.com/xmx028@126/」中的有關說明屬。

『柒』 半導體摻雜有什麼作用

半導體的摻雜是為了提高半導體器件的電學性能，半導體的很多電學特性都與摻雜的雜質濃度有關。

純正的半導體是靠本徵激發來產生載流子導電的，但是僅僅依靠本證激發的話產生的載流子數量很少，而且容易受到外間因素如溫度等的影響。摻入相應的三價或是五價元素則可以在本徵激發外產生其他的載流子。

半導體的常用摻雜技術主要有兩種，即高溫（熱）擴散和離子注入。摻入的雜質主要有兩類：第一類是提供載流子的受主雜質或施主雜質（如Si中的B、P、As）；第二類是產生復合中心的重金屬雜質（如Si中的Au）。

(7)半導體的界面能帶為什麼會彎曲擴展閱讀：

摻雜之後的半導體能帶會有所改變。依照摻雜物的不同，本徵半導體的能隙之間會出現不同的能階。施體原子會在靠近導帶的地方產生一個新的能階，而受體原子則是在靠近價帶的地方產生新的能階。假設摻雜硼原子進入硅，則因為硼的能階到硅的價帶之間僅有0.045電子伏特，遠小於硅本身的能隙1.12電子伏特，所以在室溫下就可以使摻雜到硅里的硼原子完全解離化。

摻雜物對於能帶結構的另一個重大影響是改變了費米能階的位置。在熱平衡的狀態下費米能階依然會保持定值，這個特性會引出很多其他有用的電特性。舉例來說，一個p-n結的能帶會彎折，起因是原本p型半導體和n型半導體的費米能階位置各不相同，但是形成p-n結後其費米能階必須保持在同樣的高度，造成無論是p型或是n型半導體的導帶或價帶都會被彎曲以配合界面處的能帶差異。

『捌』 【固體物理學】為什麼金屬與半導體接觸，內建場會造成能帶彎曲

您好，小復子不才，願嘗試制為您解答。
（1）半導體禁帶寬度不變，導帶向上彎曲，價帶自然向上彎曲；既然是N型半導體，空穴就是少子，它的變化可以忽略。糾結它的能量變化沒什麼意義。
（2）穩定之後的系統，費米能級是水平的，不是彎曲的。空間電荷區外應該具體一點。如果是半導體內部，費米能級是水平的，Efs沒有彎曲，保持電中性。如果是金屬一側，Efm也是與Efs在一條水平線上，也沒有彎曲。費米能級對x的變化率與nu的積等於電流密度。