雜質半導體為什麼呈電中性

❶ P型半導體和N型半導體為什麼是呈電中性

晶體管中加入了微量元素，會破壞原晶體內的電位平衡，在晶體內部產生空版穴和電子的對流，但是記住，權這是在半導體內部產生這種對流，進而產生內電場，生成電位差。但對於整個的晶體來說，中和一個電子必佔用一個空穴 ，因此在晶體的內部電子和空穴的數目始終是相等的，不帶電，因此呈電中性。不要把它的導電性和帶電混淆了 呵呵

❷ 耗盡層外的半導體為何是電中性的

pn結中，以耗盡層外的n型半導體側為例，半導體中的自由電子（負電）與電離施主（正電）濃度是一樣的，所以是中性的。

❸ N型半導體和P型半導體為什麼呈電中性

主要空穴說空穴導電呢像看篇資料說電束縛p表示電意思種半導體參與導電回主要帶電空穴些空穴答自於半導體受主雜質所謂受主雜質摻入雜質能夠接受半導體價電產同數量空穴改變半導體導電性能例半導體鍺硅三價元素硼、銦、鎵等原都受主某半導體雜質總量受主雜質數量占數則半導體p型半導體單晶硅摻入三價硼原則硼原與硅原組共價鍵由於硼原數目比硅原要少整晶體結構基本變某些位置硅原硼原所代替硼三價元素外層三價電所與硅原組共價鍵自形空穴摻入硼雜質每原都能提供空穴使硅單晶空穴載流數目增加種半導體內幾乎沒自由電主要靠空穴導電所叫做空穴半導體簡稱p型半導體～～～～～～～否理解P型半導體電束縛N型電比較容易脫離所形PN結

❹ p型半導體本身是帶正電，還是電中性，為什麼

無論是P型半導體，還是N型半導體，其本身是不帶正負電的。都是電中性。回因為，P型半導體是指答空穴大於自由電子濃度材料，N型半導體正相反。而真正帶電極性是由空穴或自由電子誰多誰少決定的。空穴大於自由電子濃度的，就呈現正電性，自由電子大於空穴濃度的，就呈現負電極性。

❺ 在雜質半導體中多子與少子濃度不同為什麼半導體呈中性

雜質半導體中除了可以自由移動的載流子(多子\少子)之外, 還有不能自由移動的電荷內(電離的施主\受主), 總的容正電荷(空穴+電離施主所帶的正電荷)和總的負電荷(自由電子+電離受主所帶的負電荷)相等，因而呈電中性。

❻ n型半導體本身是帶負電,還是電中性的為什麼

半導體內還有不可移動的電荷，比如帶正電的原子核，這樣就能與N型半導體的多數載流子是電子平衡，維持電中性條件了2.在雜質半導體中， 正負電荷數是相等的，它們的作用相互抵消，因此保持電中性。

❼ P型/N型半導體為什麼呈電中性

這是由於半導體和摻入的微量元素都是電中性的，而摻雜過程中既不喪失電荷又不從外界得到電荷，只是在半導體中出現了大量可運動的電子或空穴，並沒有破壞整個半導體內正負電荷的平衡狀態。

❽ n型半導體 在加入五價元素後 為啥仍然是電中性，不是多了自由電子嗎

摻進去的雜質形成共價鍵後是形成一個自由電子，但是摻雜的雜質原子核跟外部的電子是相同的，所以整體是電中性的。所謂電中性是指整體電中性。

❾ N型半導體本身是帶負電還是電中性的

半導體復內還有不可移動的電制荷，比如帶正電的原子核，這樣就能與N型半導體的多數載流子是電子平衡，維持電中性條件了；在雜質半導體中， 正負電荷數是相等的，它們的作用相互抵消，因此保持電中性。

半導體是中性物。在激發態才是P型半導體，也叫空穴半導體，在硅中摻雜了3價的鋁元素，與周圍硅4價形成共價結合，缺一個電子，形成空穴。這樣是相當於帶正電的粒子。

N型半導體，也叫電子半導體，在硅中摻雜5價磷，和硅4價，結合共價後，多一個自由電子。當PN結組合形成二極體結構，就利用PN結的特性。

(9)雜質半導體為什麼呈電中性擴展閱讀：

n型半導體是裡面加了一些帶自由電子的原子參雜，是穩態的，這些電子雖然比空穴多，但是受核子的束縛。

由於N型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故N型半導體呈電中性。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

❿ 請問書上對於P型雜雜質半導體是這樣說的：電中性條件為p0=Na+n0，為什麼裡面沒有硅離子硅離子不存在

這里是這樣抄的
P是空穴，包括兩部分，一部分是熱運動形成的空穴P1,一部分是受主雜質和Si作用產生的P2（這部分可以理解為硅離子，即失去電子的硅離子形成的空穴）。
N是電子，包括兩部分，一部分是熱運動產生的N1（等式里的n0），一部分是受主雜質和Si作用產生的（Na，即受主雜質帶的電子）。

總之，在這樣一塊P型半導體里，只有熱運動產生的空穴和電子，以及受主和硅作用產生的空穴和電子，你把它們對應進等式，就明了了。