半導體區別於金屬的一個重要特點是什麼

1. 金屬和半導體具有不同的電阻-溫度特性，它們的主要特徵是什麼

首先咱們抄得弄清楚有電阻襲的原因，一個原因是晶格振動(晶體總有溫度)這樣晶格偏離規則的排列(BRAVIAS點陣排列),造成電子的BLOCH波有散射,形成電阻;另一個原因是金屬晶體不純凈,有雜質,這樣也參與破壞了這個BRAVIAS點陣排列,對BLOCH波有散射. 溫度越高,晶格振動越激烈,對點陣的偏離越大,這樣對BLOCH波的散射越厲害.這樣,電阻率就增大了,隨著溫度的升高.
1、金屬沒有禁帶，未成對電子全部是自由電子，即載流子濃度是恆定的，當溫度升高時，自由電子熱運動速度變大，其被晶格散射概率變大，故電阻變大；
2、半導體可分為本徵半導體和雜質半導體討論，對於本徵半導體，隨著溫度的升高，電子濃度和空穴濃度增加幅度大於晶格散射減小幅度，所以電阻減小；而雜質半導體隨著溫度的升高，剛開始以雜質電離為主，電阻減小；然後等雜質全部電離完，以晶格散射佔主要因素（載流子濃度基本不增加），電阻增加；最後以本徵半導體載流子增加為主，電阻減小（同本徵半導體一樣）。
詳細的原因，你參考劉恩科的《半導體物理學》吧！

2. 半導體與金屬相比較有什麼特點

半導體與金屬相比較有什麼特點
半導體是導電能力介於導體和絕緣體之間的物質.它的重要特性專表現在以屬下幾個方面：
（1）熱敏性 半導體材料的電阻率與溫度有密切的關系.溫度升高,半導體的電阻率會明顯變小.例如純鍺（Ge）,溫度每升高10度,其電阻率就會減少到原來的一半.
（2）光電特性 很多半導體材料對光十分敏感,無光照時,不易導電；受到光照時,就變的容易導電了.例如,常用的硫化鎘半導體光敏電阻,在無光照時電阻高達幾十兆歐,受到光照時電阻會減小到幾十千歐.半導體受光照後電阻明顯變小的現象稱為「光導電」.利用光導電特性製作的光電器件還有光電二極體和光電三極體等.

3. 金屬和半導體具有不同的電阻-溫度特性,它們的主要特徵是什麼

首先咱們得弄清楚有電阻的原因,一個原因是晶格振動(晶體總有溫度)這樣晶格偏離規則的排內列容(BRAVIAS點陣排列),造成電子的BLOCH波有散射,形成電阻;另一個原因是金屬晶體不純凈,有雜質,這樣也參與破壞了這個BRAVIAS點陣排列,對BLOCH波有散射.溫度越高,晶格振動越激烈,對點陣的偏離越大,這樣對BLOCH波的散射越厲害.這樣,電阻率就增大了,隨著溫度的升高.
1、金屬沒有禁帶,未成對電子全部是自由電子,即載流子濃度是恆定的,當溫度升高時,自由電子熱運動速度變大,其被晶格散射概率變大,故電阻變大；
2、半導體可分為本徵半導體和雜質半導體討論,對於本徵半導體,隨著溫度的升高,電子濃度和空穴濃度增加幅度大於晶格散射減小幅度,所以電阻減小；而雜質半導體隨著溫度的升高,剛開始以雜質電離為主,電阻減小；然後等雜質全部電離完,以晶格散射佔主要因素（載流子濃度基本不增加）,電阻增加；最後以本徵半導體載流子增加為主,電阻減小（同本徵半導體一樣）.
詳細的原因,你參考劉恩科的《半導體物理學》吧!

4. 半導體晶體的概念，性質和特點是什麼

半導體、絕緣體和導體由禁帶寬度劃分，即導帶與價帶之間的相對位置決定。

1 導體的導帶和價帶基本重合，禁帶寬度為0，電子由價帶進入導帶基本無需額外能量，因此內部存在大量自由電子，具有低電阻率。

2 半導體導帶和價帶距離適中，即禁帶寬度適中，因此價帶中的電子在常見能量級別的激勵下，例如光、熱和電壓，即可進入導帶，導致半導體電阻率變化。

3 絕緣體與半導體類同，但禁帶寬度很寬，需要大量能量才能導電，例如高於5000V的高壓電，因此電阻率很高。光和熱通常無法導致絕緣體導電，絕緣體一般耐熱性不高，能導致電子躍遷到導帶的溫度下，大部分碳基絕緣體已經碳化，其餘絕緣體已經熔化或氣化。

5. 什麼才算是半導體和一般金屬有啥區別

半導體不是 金屬

從物理上定義 就是 禁帶 遠小於 絕緣體的 材料
或者可以理解為 很容易 讓不導電的材料 變成導電的材料
常用的是硅半導體
當然還有金屬氧化物 等很多

6. 半導體器件中 金屬半導體結構和金屬絕緣體半導體各自的特點和用途

固體能夠來導電是固體中的電子在外場自作用下做定向運動的結果.從能帶理論看,是電子從一個能級躍遷到另一個能級上去. 對於滿帶,其中能級已被電子占滿,在外電場的作用下滿帶中的電子並不形成電流,對導電沒有貢獻.對於被電子部分佔滿的能帶,在外電場的作用下,電子可以從外電場中吸收能量躍遷到未被電子占據的能級去,形成了電流,起導電作用. 金屬中,由於組成金屬的原子中的價電子占據的能級是部分佔滿的,所以金屬是良好的導體. 絕緣體和半導體類似,下面都是已被電子占滿的滿帶,中間是禁帶,上面是空帶.所以在熱力學零度時,在外電場的作用下並不導電.當外界條件變化時,就有少量電子被激發到空帶上去,在外場作用下就會參與導電.而絕緣體只是禁帶寬度太大,激發電子需要很大的能量,在通常溫度下,激發上去的電子很小,導電性差.

7. 金屬導體與半導體有什麼樣的區別

金屬導體與半導體的顯著差別在於金屬的電阻率隨著溫度的升高而升高，而半導體的電阻率隨著溫度的升高而降低。

8. 半導體有什麼特性

半導體具有特性有：可摻雜性、熱敏性、光敏性、負電阻率溫度、可整流性。

半導版體材料除了用於製造大規模權集成電路之外，還可以用於功率器件、光電器件、壓力感測器、熱電製冷等用途；利用微電子的超微細加工技術，還可以製成MEMS（微機械電子系統），應用在電子、醫療領域。

半導體是指導電性能介於導體和絕緣體之間的材料。通過摻入雜質來改變其導電性能，人為控制它導電或者不導電以及導電的容易程度。

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半導體的四種分類方法

1、按化學成分：分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物、氧化物，以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體。除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。

2、按製造技術：分為集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。

3、按應用領域、設計方法分類：按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類的方法。

4、按所處理的信號：可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。

9. 半導體與金屬相比較有什麼特點要有寫到有什麼區別

金屬，溫度越低，導電性越好；
半導體，溫度越高，導電性越好。

10. 半導體的特性是哪三個

熱敏性,光敏來性,導電性
鍺、硅、硒自、砷化鎵及許多金屬氧化物和金屬硫化物等物體，它們的導電能力介於導體和絕緣體之間，叫做半導體。

半導體具有一些特殊性質。如利用半導體的電阻率與溫度的關系可製成自動控制用的熱敏元件（熱敏電阻）；利用它的光敏特性可製成自動控制用的光敏元件，像光電池、光電管和光敏電阻等。

半導體還有一個最重要的性質，如果在純凈的半導體物質中適當地摻入微量雜質測其導電能力將會成百萬倍地增加。利用這一特性可製造各種不同用途的半導體器件，如半導體二極體、三極體等。