雜質半導體分為兩種分別是什麼
⑴ 雜質半導體可以分為哪兩種
N型半導復體、P型半導體。制
1、N型半導體在本徵半導體硅（或鍺）中摻入微量的5價元素，例如磷，則磷原子就取代了硅晶體中少量的硅原子，占據晶格上的某些位置。
2、在本徵半導體硅（或鍺）中，若摻入微量的3價元素，如硼，這時硼原子就取代了晶體中的少量硅原子，占據晶格上的某些位置。
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屬性：
1、電荷中立的條件：如果導帶中的電子濃度為n，價帶中的空穴濃度為p，電離的施主濃度為ND，電離的受主濃度為NA，則滿足以下電荷中性條件。
2、載流子密度：
考慮所有摻雜雜質被離子化的情況。導帶中的電子濃度n，價帶中的空穴濃度p和非退化半導體的本徵載流子密度ni之間具有以下關系。
參考資料來源：網路-雜質半導體
⑵ 什麼是雜質半導體，分為幾種各有什麼特點
本徵半導體是純凈的半導體，最外層是十4價電子，在本徵半導體中摻入十5價元素或版十3價元素分別形成N型半導體和權P型半導體這兩種雜質半導體，N型半導體的特點是自由電子是多子，空穴是少子，P型半導體的特點是空穴是多子，自由電子是少子。由多子形成導通電流。
⑶ 按所摻雜質的不同，半導體可分為兩類，即（）（）
按所摻雜質的不同，半導體可分為兩類，即（電子類）（空穴類）
⑷ 參雜半導體分類為什麼分別參雜幾價元素兩種參雜半導體的多和少分別為
畫的顏色的話，當然是看到他導體能夠啊，導體的質量的多少，還有最終的一個韻律的方法
⑸ 雜質半導體有類型之分
1 N P
2 反偏 正偏
3 與基極電源一起，確定基極電流的大小
⑹ 什麼叫雜質半導體雜質半導體有哪幾種為什麼要往純凈的半導體中摻入雜質
本徵半導抄體經過摻雜就襲形成雜質半導體，一般可分為n型半導體和p型半導體,半導體中的雜質對電導率的影響，本徵半導體摻雜後形成的P型或N型半導體，是製造集成電路，二極體晶體管的必須材料 http://ke..com/view/1003023.html?wtp=tt
⑺ 雜質半導體有幾種類型
沒有摻雜的半導體稱為本徵半導體，摻有雜質的半導體稱為雜質半導體。
雜質半導內體：一種是摻有施主容雜質的n型半導體，一種是摻有受主雜質的p型半導體，還有一種是既摻有施主雜質、又摻有受主雜質的補償型半導體——這種半導體雖然摻入了大量雜質，但是它的電導率很低，類似於本徵半導體。
至於摻有非施主和非受主雜質的半導體，一般不稱為雜質半導體，因為這種半導體的電導率很低，很難實現半導體器件的功能，除非特殊需要，這種半導體一般不用。
⑻ . 簡答題 什麼 是純凈半導體,什麼是雜質性半導體雜質性半導體又分為哪兩種
單純只有一個元素組成的半導體原材料叫純凈半導體，例如：鍺，硅，高溫專精煉成形後可以是屬柱狀或棒狀，因為純凈所以沒有任何半導體功能。
雜質性半導體是在鍺，硅等純凈化的原材料上加上少量微量五價或三價元素，叫做雜質性半導體，就是具有「電子價能量」的半導體。一般來說分為正價P和負價N兩種。
⑼ 雜質半導體的特徵是什麼
在本徵半導體中摻入微量雜質形成雜質半導體後,其導電性能將發生顯著變化。按摻入雜質的不同,雜質半導體可分為N型半導體和P型半導體。N型半導體如果在本徵半導體硅(或鍺)中摻入微量5價雜質元素,如磷、銻、砷等,由於雜質原子的最外層有5個價電子,當其中的4個與硅原子形成共價鍵時,就會有多餘的1個價電子。這個電子只受自身原子核的吸引,不受共價鍵的束縛,室溫下就能變成自由電子,如圖2.2(a)所示。磷(或銻、砷)原子失去一個電子後,成為不能移動的正離子。摻入的雜質元素越多,自由電子的濃度就越高,數量就越多。並且在這種雜質半導體中,電子濃度遠遠大於空穴濃度。因此,電子稱為多數載流子(簡稱多子),空穴稱為少數載流子(簡稱少子)。在外電場的作用下,這種雜質半導體的電流主要是電子電流。由於電子帶負電荷,因此這種以電子導電為主的半導體稱為N型半導體。
P型半導體
如果在本徵半導體硅(或鍺)中摻入微量3價元素,如硼、鎵、銦等,由於雜質原子的最外層有3個價電子,當它和周圍的硅原子形成共價鍵時,將缺少1個價電子而出現1個空穴,附近的共價鍵中的電子很容易來填補。如圖2.2(b)所示。硼(或鎵、銦)原子獲得1個價電子後,成為不能移動的負離子,同時產生1個空穴。所以,摻入了3價元素的雜質半導體,空穴是多數載流子,電子是少數載流子。在外電場的作用下,其電流主要是空穴電流。這種以空穴導電為主的半導體稱為P型半導體。
綜上所述,在本徵半導體中摻入5價元素可以得到N型半導體,摻入3價元素可以得到P型半導體。在N型半導體中,由於自由電子數目大大增加,增加了與空穴復合的機會,因此空穴數目便減少了;同樣,在P型半導體中,空穴數目大大增加,自由電子數目較摻雜前減少了。由此可知,多數載流子的濃度取決於摻雜濃度;而少數載流子的濃度受溫度影響很大。
本徵半導體中電子和空穴的濃度相等,而摻雜半導體中電子和空穴的濃度差異相當大。在動態平衡條件下,N型半導體和P型半導體中少數載流子的濃度滿足下列關系:
pi·ni=pp·np=pn·nn
式中,pi,ni,pp,np,pn,nn分別為本徵半導體,P型半導體和N型半導體中的空穴濃度和電子濃度。
應當注意的是,摻雜後對於P型半導體和N型半導體而言,盡管都有一種載流子是多數載流子,一種載流子是少數載流子,但整個半導體中由於正負電荷數是相等的,它們的作用相互抵消,因此保持電中性。
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