n型半導體怎麼產生

㈠ p型半導體和n型半導體的區別 怎樣形成的

如果雜質是周期表中第Ⅲ族中的一種元素，例如硼或銦，它們的價電子帶都只有三專個電子屬，並且它們傳導帶的最小能級低於第Ⅳ族元素的傳導電子能級。因此電子能夠更容易地由鍺或硅的價電子帶躍遷到硼或銦的傳導帶。在這個過程中，由於失去了電子而產生了一個正離子，因為這對於其它電子而言是個「空位」，所以通常把它叫做「空穴」，而這種材料被稱為「P」型半導體。在這樣的材料中傳導主要是由帶正電的空穴引起的，因而在這種情況下電子是「少數載流子」。

如果摻入的雜質是周期表第V族中的某種元素，例如砷或銻，這些元素的價電子帶都有五個電子，然而，雜質元素價電子的最大能級大於鍺（或硅）的最大能級，因此電子很容易從這個能級進入第Ⅳ族元素的傳導帶。這些材料就變成了半導體。因為傳導性是由於有多餘的負離子引起的，所以稱為「N」型半導體。也有些材料的傳導性是由於材料中有多餘的正離子，但主要還是由於有大量的電子引起的，因而（在N型材料中）電子被稱為「多數載流子」。

㈡ 如何制備N型半導體

在本徵半導體中摻入化合價比本徵半導體要高的雜質。
比如硅是四價，摻內入五價的磷，這樣每個磷就貢獻出容了一個價帶電子，成為n型。
反之如果要制備p型，就摻入化合價較低的雜質，比如硅裡面摻硼。

另外，摻雜只是一種方法。還有一些特殊的半導體利用缺陷形成n型或p型的，或者自然而然就是n型，想造p型都困難的半導體，這里就不再贅述了。

㈢ 什麼是n型半導體什麼是p型半導體它們是怎樣形成的

P型半導體是在本徵半導體（純凈半導體）中摻入+3價元素，N型半導體是在本徵半導體（純凈半導體）中摻入+5價元素。

㈣ n型半導體和p型半導體中的多數載流子和少數的載流子是怎樣產生的它的數量各由什麼因數控制（那個大

以n型半導體為例，其中的多數載流子電子是由於在半導體中摻雜N型雜質（專例如磷、砷、銻等）產生的。摻屬入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。由於N型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故N型半導體呈電中性。自由電子（多子）主要由雜質原子提供，空穴（少子）由熱激發形成。p型半導體剛好相反。

㈤ 簡述N型半導體與P型半導體的形成過程並指出多子與少子各是什麼

在半來導體材料硅或鍺晶體中摻入源三價元素雜質可構成缺殼粒的P型半導體，摻入五價元素雜質可構成多餘殼粒的N形半導體。 （ 兩種半導體接觸在一起的點或面構成PN結，在接觸點或面上N型半導體多餘殼粒趨向P型半導體，並形成阻擋層或接觸電位差。當P型接正極，N型接負極，N型半導體多餘殼粒和PN結上殼粒易往正移動，且阻擋層變薄接觸電位差變小，即電阻變小，可形成較大電流；反之當P型接負極，N型接正極，因為P半導體缺殼粒，熱運動也難分離出殼粒往正極運動，且阻擋層變厚接觸電位差變大，電阻變大，形成較小電流，即具有單向通過電流屬性。 ）

多子與少子是相對概念。
如：在N型半導體中自由電子是多數載流子，簡稱為「多子」；空穴為小數載流子，稱為「少子」。而在P型中則相反。
----考試的話，答概念就可以了，具體的作用過程你就不用記了。

㈥ 什麼是N型半導體

在半導體硅、鍺中摻入銻、磷、砷等元素，會增加大量自由電子，使半導體主要靠電子導電，幫稱為電子型半導體，或稱為N型半導體、N型材料。答案來自於《電子技術基礎》，請採納，謝謝加分

㈦ n型半導體中的空穴是怎麼形成的還有為什麼自由電子比空穴多

因為N型半導體，主要是在硅原子中摻雜了V族元素，V族元素外層的四個電子會專和硅原子外層的四個電子形成屬共價鍵，這樣多出的一個電子就會掙脫原子核的束縛變為自由電子。而共價鍵中的電子由於熱運動也會脫離共價鍵的束縛從而成為自由電子，同時在共價鍵上形成一個空穴。 所以N型半導體中自由電子比空穴多。

空穴是由於共價鍵中的電子由於熱運動而脫離共價鍵的束縛從而成為自由電子，同時在共價鍵上形成一個空穴。

㈧ N型半導體的形成原理

摻雜抄和缺陷均可造成導帶中電子濃度的增高. 對於鍺、硅類半導體材料，摻雜Ⅴ族元素(磷、砷、銻等)，當雜質原子以替位方式取代晶格中的鍺、硅原子時，可提供除滿足共價鍵配位以外的一個多餘電子，這就形成了半導體中導帶電子濃度的增加，該類雜質原子稱為施主. Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的施主往往採用Ⅳ或Ⅵ族元素. 某些氧化物半導體，如ZnO、Ta2O5等，其化學配比往往呈現缺氧，這些氧空位能表現出施主的作用，因而該類氧化物通常呈電子導電性，即是N型半導體，真空加熱，能進一步加強缺氧的程度，這表現為更強的電子導電性。

㈨ P型半導體和N型半導體是怎麼得來的

先介紹本真半導體

本真半導體就是純凈的硅或者鍺形成的半導體，但是這類半導體沒多大用，因為其載流子濃度低，導電能力很差（其導電能力其實是由電子-空穴對表現出來的，電子離開原來的位置後，原來的位置就成為了空穴），於是人們就想出了參雜。

如果往硅裡面參雜3價元素硼，那麼可以得到P型半導體，這是為什麼呢？

記住參雜的是原子，整塊材料是電中性的。當參雜磷原子進去時，磷是元素周期表中15號元素，外圍5個電子，而硅外圍4個電子，但是磷只能和硅形成4個共價鍵。這就導致了還剩一個磷的電子落單，它很不穩定，動不動就離家出走，留下空穴。每參雜一個磷原子，便會有一個單身磷電子（對，就是這么可憐），所以整塊材料中電子成為多數，空穴成為少數（空穴只在電子離家出走的時候形成），電子為多數載流子就叫N（negetive)型半導體.

反之，你可以類比P（positive )型半導體.

㈩ 半導體的類型-N型、P型是怎樣定義和區別的

下面，我們將採用對比分析的方法來認識P型半導體和N型半導體。

P型半導體也稱為空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。

N型半導體也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。在N型半導體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導電。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

(10)n型半導體怎麼產生擴展閱讀

半導體（ semiconctor），指常溫下導電性能介於導體（conctor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。

以GaN（氮化鎵）為代表的第三代半導體材料及器件的開發是新興半導體產業的核心和基礎，其研究開發呈現出日新月異的發展勢態。GaN基光電器件中，藍色發光二極體LED率先實現商品化生產 成功開發藍光LED和LD之後，科研方向轉移到GaN紫外光探測器上 GaN材料在微波功率方面也有相當大的應用市場。氮化鎵半導體開關被譽為半導體晶元設計上一個新的里程碑。美國佛羅里達大學的科學家已經開發出一種可用於製造新型電子開關的重要器件，這種電子開關可以提供平穩、無間斷電源。

參考資料

半導體-網路