本證半導體受哪些因素影響

1. 影響半導體性能的三個因素

半導體五大特性∶摻雜性，熱敏性，光敏性，負電阻率溫度特性，整流特性。
三個因素——雜質、溫度、光照

2. 對半導體性能都有很大影響的外界因素有哪些

對半導體性質影響最大的是溫度：禁帶寬度與溫度有關；載流子濃度更是與溫內度有關；載流子容遷移率也與溫度有關；半導體的體積等也與溫度有關（熱膨脹）。
光照影響：可產生非平衡載流子，導致光電導。
壓力影響：壓阻效應。
接觸影響：形成pn結、金屬-半導體接觸等。
電場影響：可產生場致發射等。
磁場影響：半導體的Hall效應遠大於金屬。
氣氛影響：表面狀態與氣氛有很大關系。

3. 影響半導體能帶結構的因素有哪些

半導體( semiconctor)，指常溫下導電性能介於導體(conctor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導體在收音機、電視機以內及測溫容上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。

4. 本徵載流子濃度與哪些因素有關

1、與溫度有關，同樣材質的半導體，溫度越高，熱激發越強烈，本徵載流子濃度越高
2、與禁帶寬度有關，同樣的溫度下，禁帶寬度越窄，電子或空穴更容易從價帶躍遷到導帶，本徵載流子深度越高。

5. 影響半導體器件響應特性的因素有哪些

如果是響應特性的話題主可能是想問半導體的響應速度，也就是對高頻信號的響應。
首先在半回導體本身上面分析答，就是看禁帶的形狀，因為這影響到電子在半導體內部的有效質量，禁帶變化得越激烈，有效質量越小，受電場加速越快，響應速度就越快。
同理還跟摻雜有關系，摻雜越多電子運動阻礙變多，弛豫時間變短，響應也會變慢。
在期間層面上金屬半導體結或者pn結之間的勢壘相差太大，電子穿越的時候需要能量就高，響應也會變慢；
還有就是半導體作材料時的厚度，接觸面積都會影響傳播的時間影響響應速度：材料越薄，接觸面積越大，響應越快。
如果沒有回答對方向可以隨時回復~

6. 簡述影響半導體導電性能的因素有哪些 簡答題 答案

主要是摻入的雜質種類和數量、以及工作溫度，從而影響到載流子濃度和遷移率，結果使得半導體的電導率發生變化。

7. 什麼因素對半導體有影響

溫度，對半導體里的電子空穴對的多少有影響。
溫度越高產生的電子空穴對越多，半導體的電導越大。

8. 半導體受什麼外界因素較大

網上抄找到一下內容，個人感覺襲溫度是需要考慮的最大問題，其他的影響較小。
對半導體性質影響最大的是溫度：禁帶寬度與溫度有關；載流子濃度更是與溫度有關；載流子遷移率也與溫度有關；半導體的體積等也與溫度有關（熱膨脹）。
光照影響：可產生非平衡載流子，導致光電導。
壓力影響：壓阻效應。
接觸影響：形成pn結、金屬-半導體接觸等。
電場影響：可產生場致發射等。
磁場影響：半導體的Hall效應遠大於金屬。
氣氛影響：表面狀態與氣氛有很大關系。

9. 半導體受哪些因素影響

半導體的光電導是指光照射半導體使電導增大的現象。本徵半導體的電導能力（電導率）很小，經光照射後半導體內部產生光生載流子（電子或空穴），使其導電能力加大。光照射前後半導體電導的改變與光的波長、強度以及半導體中雜質缺陷態的能級位置密切相關。光電導應用於研究半導體中的雜質缺陷態，如施主、受主、缺陷、深能級雜質等在禁帶中的能級位置（見半導體物理學），它的靈敏度比通常的光吸收實驗高許多，電導率正比於載流子濃度及其遷移率的乘積。因此凡是能激發出載流子的入射光都能產生光電導。入射光可以使電子從價帶激發到導帶，因而同時增加電子和空穴的濃度；也可以使電子躍遷發生在雜質能級與某一能帶之間，因而只增加電子濃度或只增加空穴濃度。前一過程引起的光電導稱為本徵光電導，後一過程引起的光電導稱為雜質光電導。不管哪一種光電導，入射光的光子能量都必須等於或大於與該激發過程相應的能隙 ΔE（禁帶寬度或雜質能級到某一能帶限的距離），也就是光電導有一個最大的響應波長，稱為光電導的長波限λ。http://ic.big-bit.com/