雜質半導體的多子因什麼產生

① 什麼是雜質半導體，分為幾種各有什麼特點

本徵半導體是純凈的半導體，最外層是十4價電子，在本徵半導體中摻入十5價元素或版十3價元素分別形成N型半導體和權P型半導體這兩種雜質半導體，N型半導體的特點是自由電子是多子，空穴是少子，P型半導體的特點是空穴是多子，自由電子是少子。由多子形成導通電流。

② 雜質半導體中的多數載流子和少數載流子是如何產生的

本徵半導體中抄的載流子襲都是由本徵激發所產生的，一般數量不多（隨溫度而指數函數式增大）。
但是，摻入施主雜質或者受主雜質以後，則雜質可提供大量的電子或者空穴，這就是多數載流子；這時，還是存在少數載流子，那就是本徵激發出來的一些載流子。

③ 半導體中的少數截流子產生的原因是

第48題 多數載流子的濃度主要取決於摻入的雜質濃度,少數載流子的濃度與溫度密切相關
第49題 這個我認為應該選摻雜
第50題 該管工作在放大區

④ 由於雜質半導體主要靠多子導電,其溫度特性要遠好於本徵半導體,這是為什麼

你說的導電性能好是指電阻率低.電阻率主要決定於材料中載流子的濃度和遷移率版,兩者均與雜質濃度和溫度有關系權.
當不進行摻雜時,為純半導體材料（本徵半導體）,其導電是需要特殊外界條件的（比如溫度）,本徵半導體的電阻率隨溫度增加單調下降.
對於雜質半導體：
摻雜雜質使其導電性能變好主要是由於摻雜特定雜志和雜質電力提供載流子,載流子濃度增加從而電阻率降低,導電性能變好.但其也與溫度有很大關系
溫度很低時,本徵激發忽略,主要由雜質電離提供載流子,它隨溫度升高而增加；散射主要由電離雜質決定,遷移率隨溫度升高增大,所以電阻率下降.
溫度繼續升高,雜質全部電離,本徵激發還不顯著時,載流子基本不變,晶格振動是主要影響因素,遷移率隨溫度升高而降低,所以電阻率隨溫度升高而增大.
繼續升高到本徵激發很快增加時,本徵激發稱為主要影響因素,表現出同本證半導體相同的特徵.

⑤ 簡述N型半導體與P型半導體的形成過程並指出多子與少子各是什麼

在半來導體材料硅或鍺晶體中摻入源三價元素雜質可構成缺殼粒的P型半導體，摻入五價元素雜質可構成多餘殼粒的N形半導體。 （ 兩種半導體接觸在一起的點或面構成PN結，在接觸點或面上N型半導體多餘殼粒趨向P型半導體，並形成阻擋層或接觸電位差。當P型接正極，N型接負極，N型半導體多餘殼粒和PN結上殼粒易往正移動，且阻擋層變薄接觸電位差變小，即電阻變小，可形成較大電流；反之當P型接負極，N型接正極，因為P半導體缺殼粒，熱運動也難分離出殼粒往正極運動，且阻擋層變厚接觸電位差變大，電阻變大，形成較小電流，即具有單向通過電流屬性。 ）

多子與少子是相對概念。
如：在N型半導體中自由電子是多數載流子，簡稱為「多子」；空穴為小數載流子，稱為「少子」。而在P型中則相反。
----考試的話，答概念就可以了，具體的作用過程你就不用記了。

⑥ 在雜質半導體中,多數截流子的濃度主要取決於 而少數截流子的濃度則與（ ）有很大關系

在雜質半導體中,多數截流子的濃度主要取決於摻入的施主濃度或者受主濃度；在全內電離時,多數截流子濃度≈容摻雜濃度,並且基本上與溫度無關.
而少數截流子的濃度則與（溫度）有很大關系（因為是本徵激發的關系）.

⑦ 摻雜雜質半導體中影響多數和少數載流子數量的最主要原因是什麼急！！！！

主要原因是雜質在禁帶里占的位置和雜質濃度。

⑧ n型半導體和p型半導體中的多數載流子和少數的載流子是怎樣產生的它的數量各由什麼因數控制（那個大

以n型半導體為例，其中的多數載流子電子是由於在半導體中摻雜N型雜質（專例如磷、砷、銻等）產生的。摻屬入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。由於N型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故N型半導體呈電中性。自由電子（多子）主要由雜質原子提供，空穴（少子）由熱激發形成。p型半導體剛好相反。

⑨ 雜質半導體的多子濃度取決於

首先明確，摻雜何種雜質、雜質的電離情況、溫度及濃度。比如單一專摻雜，Si中摻雜P，其電離能為0.044，一屬般室溫下就能全部電離，呈現N型，載流子濃度可認為雜質濃度。但是非單一摻雜，比如摻雜P和B，分別為施主雜質和受主雜質，兩者先要進行補償，載流子濃度就等於兩者濃度差值。如果雜質濃度過高，無法全部電離。雜質的能級較深，也無法全部電離。

⑩ 在雜質半導體中，多數截流子的濃度主要取決於

在雜質半導體中，復多數截流子的濃度制主要取決於摻入的施主濃度或者受主濃度；在全電離時，多數截流子濃度≈摻雜濃度，並且基本上與溫度無關。
而少數截流子的濃度則與（溫度）有很大關系（因為是本徵激發的關系）。
詳見「http://blog.163.com/xmx028@126/」中的有關說明。