氧化鐵為什麼是n型半導體
㈠ 為什麼要叫N/P型半導體
半導體之所以被稱之為「半導體」,其原因很簡單,說通俗一點兒就是這種由回P型材料與N型材料 組成答的東東,其導電性能是介於 絕緣體和導體之間的一個值,因此得名為「半導體」。超導體自然其導電性能高於半導體。
其實不管一個什麼東東,其名字和人名一樣 都是代名詞。都是由發明創造它的人 為之命名。在這里,P型半導體 的P 是取英文單詞Positive(正極)的首字母;同理,N型半導體是取Negative(負極)的首字母。所以,有P型半導體、N型半導體這樣的叫法,就不奇怪了。
在模擬電子技術中,二極體就是由P型半導體和N型半導體構成,其內部(P與N的接觸面)有一個PN結, 估計你又要問為什麼 不是NP結呢? 其實PN和NP都差不多,只是遵循我們的習慣罷了。 人們常常都說正負極,而很少有人說 負正極。一樣的道理!
希望我的回答 能夠解除你的疑惑!! 樓上說得也很有道理!!
㈡ 為什麼霍爾元件一般採用N型半導體材料
原因一:霍爾效應中,電子空穴載流子是在電場作用下運動,即專是漂移電流,所以運動方屬向是相反的。在垂直磁場作用下,電子空穴偏轉方向是相同的,所以霍爾電場是互相抵消的,故採用一種載流子的。
原因二:由於電子的有效質量小,遷移率高,在同樣強度電場作用下,漂移速度大,所受洛倫茲力大,霍爾角大,霍爾效應明顯,在很小磁場下,就可以觀察到霍爾效應!
自己的理解,希望你能滿意!
㈢ 為什麼n 型半導體又稱電子型半導體
P型半導體:如果雜質是周期表中第Ⅲ族中的一種元素──受主雜質,回例如硼或銦,它們的價答電子帶都只有三個電子,並且它們傳導帶的最小能級低於第Ⅳ族元素的傳導電子能級。因此電子能夠更容易地由鍺或硅的價電子帶躍遷到硼或銦的傳導帶。在這個過程中,由於失去了電子而產生了一個正離子,因為這對於其它電子而言是個「空位」,所以通常把它叫做「空穴」,而這種材料被稱為「P」型半導體。在這樣的材料中傳導主要是由帶正電的空穴引起的,因而在這種情況下電子是「少數載流子」。
N型半導體:如果摻入的雜質是周期表第V族中的某種元素──施主雜質,例如砷或銻,這些元素的價電子帶都有五個電子,然而,雜質元素價電子的最大能級大於鍺(或硅)的最大能級,因此電子很容易從這個能級進入第Ⅳ族元素的傳導帶。這些材料就變成了半導體。因為傳導性是由於有多餘的負離子引起的,所以稱為「N」型。也有些材料的傳導性是由於材料中有多餘的正離子,但主要還是由於有大量的電子引起的,因而(在N型材料中)電子被稱為「多數載流子」。
㈣ 為什麼霍爾元件一般採用N型半導體材料
霍爾效應是一種磁敏效應,一般在半導體薄片的長度x方向上施加磁感回應強度為b的磁場,則在答寬度y方向上會產生電動勢uh,這種現象即稱為霍爾效應。uh稱為霍爾電勢,其大小可表示為:
uh=rh/d*ic*b
(1)
式中,rh稱為霍爾系數,由導體材料的性質決定;d為導體材料的厚度,ic為電流強度,b為磁感應強度。
設rh/d=k,則式(1)可寫為:
uh=k*ic*b
(2)
可見,霍爾電壓與控制電流及磁感應強度的乘積成正比,k稱霍爾系數。k值越大,靈敏度就越高;元件厚度越小,輸出電壓也越大。
霍爾系數:k=1/(n*q)式中,n為載流子密度,一般金屬中載流子密度很大,所以金屬材料的霍爾系數系數很小,霍爾效應不明顯;而半導體中的載流子的密度比金屬要小得多,所以半導體的霍爾系數系數比金屬大得多,能產生較大的霍爾效應,故霍爾元件不用金屬材料而是用半導體。而在半導體材料中,n型半導體材料的載流子遷移率比p型半導體材料大,所以霍爾元件多採用n型半導體材料製作。
希望對你有所幫助。
㈤ 為什麼霍爾元件多採用N型半導體材料製作
霍爾效應是一種磁敏效應,一般在半導體薄片的長度X方向上施加磁感應強度為專B的磁場,則在寬屬度Y方向上會產生電動勢UH,這種現象即稱為霍爾效應。UH稱為霍爾電勢,其大小可表示為:
UH=RH/d*IC*B (1)
式中,RH稱為霍爾系數,由導體材料的性質決定;d為導體材料的厚度,IC為電流強度,B為磁感應強度。
設RH/d=K,則式(1)可寫為:
UH=K*IC*B (2)
可見,霍爾電壓與控制電流及磁感應強度的乘積成正比,K稱霍爾系數
㈥ 為什麼要叫N/P型半導體
半導體之所抄以被稱之為「半導體」,其原因很簡單,說通俗一點兒就是這種由P型材料與N型材料 組成的東東,其導電性能是介於 絕緣體和導體之間的一個值,因此得名為「半導體」。超導體自然其導電性能高於半導體。
其實不管一個什麼東東,其名字和人名一樣 都是代名詞。都是由發明創造它的人 為之命名。在這里,P型半導體 的P 是取英文單詞Positive(正極)的首字母;同理,N型半導體是取Negative(負極)的首字母。所以,有P型半導體、N型半導體這樣的叫法,就不奇怪了。
在模擬電子技術中,二極體就是由P型半導體和N型半導體構成,其內部(P與N的接觸面)有一個PN結, 估計你又要問為什麼 不是NP結呢? 其實PN和NP都差不多,只是遵循我們的習慣罷了。 人們常常都說正負極,而很少有人說 負正極。一樣的道理!
希望我的回答 能夠解除你的疑惑!! 樓上說得也很有道理!!
㈦ 為什麼要叫N型半導體
科技名來詞定義
中文自名稱:N型半導體 英文名稱:N-type semiconctor
定義:導電的電子密度超過流動的空穴密度的非本徵半導體。
N型半導體 也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。 在純凈的硅晶體中摻入五價元素(如磷、砷、銻等),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半導體。這類雜質提供了帶負電(Negative)的電子載流子,稱他們為是主雜質或n型雜質。在N型半導體中,自由電子為多子,空穴為少子,主要靠自由電子導電。自由電子主要由雜質原子提供,空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多,多子(自由電子)的濃度就越高,導電性能就越強。
參考:http://ke..com/view/49365.htm
㈧ 為什麼霍爾元件多採用N型半導體材料製作
霍爾效應是一種磁敏效應,一般在半導體薄片的長度X方向上施加磁感專應強度為B的磁場,則在屬寬度Y方向上會產生電動勢UH,這種現象即稱為霍爾效應。UH稱為霍爾電勢,其大小可表示為:
UH=RH/d*IC*B
(1)
式中,RH稱為霍爾系數,由導體材料的性質決定;d為導體材料的厚度,IC為電流強度,B為磁感應強度。
設RH/d=K,則式(1)可寫為:
UH=K*IC*B
(2)
可見,霍爾電壓與控制電流及磁感應強度的乘積成正比,K稱霍爾系數。K值越大,靈敏度就越高;元件厚度越小,輸出電壓也越大。
霍爾系數:K=1/(n*q)式中,n為載流子密度,一般金屬中載流子密度很大,所以金屬材料的霍爾系數系數很小,霍爾效應不明顯;而半導體中的載流子的密度比金屬要小得多,所以半導體的霍爾系數系數比金屬大得多,能產生較大的霍爾效應,故霍爾元件不用金屬材料而是用半導體。而在半導體材料中,N型半導體材料的載流子遷移率比P型半導體材料大,所以霍爾元件多採用N型半導體材料製作。
希望對你有所幫助。
㈨ 為什麼氧化錫是N型半導體
正常的SnO2中,錫(Sn)的外層(5s25p2)總共4個電子給出來和2個氧(O)最外層(2s2p4)形成化學鍵。通內過摻雜,在SnO2中形成氧空位,這樣一部分容錫的電子就多出來,具有一定的導電能力。而電子是多子的半導體材料稱為N型半導體材料。