p型半導體p什麼意思

A. 半導體的類型-N型、P型是怎樣定義和區別的

下面，我們將採用對比分析的方法來認識P型半導體和N型半導體。

P型半導體也稱為空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。

N型半導體也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。在N型半導體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導電。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

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半導體（ semiconctor），指常溫下導電性能介於導體（conctor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。

以GaN（氮化鎵）為代表的第三代半導體材料及器件的開發是新興半導體產業的核心和基礎，其研究開發呈現出日新月異的發展勢態。GaN基光電器件中，藍色發光二極體LED率先實現商品化生產 成功開發藍光LED和LD之後，科研方向轉移到GaN紫外光探測器上 GaN材料在微波功率方面也有相當大的應用市場。氮化鎵半導體開關被譽為半導體晶元設計上一個新的里程碑。美國佛羅里達大學的科學家已經開發出一種可用於製造新型電子開關的重要器件，這種電子開關可以提供平穩、無間斷電源。

參考資料

半導體-網路

B. 什麼是P型半導體和N型半導體都有哪些性質呢

P型半導體
多數載流子為空穴的半導體。
型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。由於P型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故P型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。
N型半導體
多數載流子為電子的半導體
也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。
在純凈的硅晶體中摻入Ⅴ族元素（如磷、砷、銻等），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。這類雜質提供了帶負電（Negative）的電子載流子，稱他們為施主雜質或n型雜質。在N型半導體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導電，由於N型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故N型半導體呈電中性。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

C. P型半導體的P及N型半導體的N是什麼意思

P型半導體中空穴導電，空穴帶正（Positive）電荷；
N型半導體中電子導電，電子帶負（Negative）電荷；

僅就我所知的常識做答，不正確的地方見諒。

D. 半導體製冷，什麼n型p型半導體是什麼意思

半導體理論比較深奧，枯燥和抽象，你看了可能乏味，所以只能簡單告訴專你。
自然界中能導電的物屬質稱為導體，如金屬、石墨等；不能導電的物質稱為絕緣體，如玻璃、陶瓷等；處於兩者之間的物質，稱為半導體，如鍺、硅、砷化鎵等。
在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，形成主要靠自由電子導電的是N型半導體。
在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代硅晶格中硅原子的位置，就形成了主要靠空穴導電的是P型半導體。

E. 什麼是N型半導體 什麼是P型半導體

在半導體材料硅或鍺晶體中摻入三價元素雜質可構成缺殼粒的P型半導體，內摻入五容價元素雜質可構成多餘殼粒的N形半導體。 （ 兩種半導體接觸在一起的點或面構成PN結，在接觸點或面上N型半導體多餘殼粒趨向P型半導體，並形成阻擋層或接觸電位差。當P型接正極，N型接負極，N型半導體多餘殼粒和PN結上殼粒易往正移動，且阻擋層變薄接觸電位差變小，即電阻變小，可形成較大電流；反之當P型接負極，N型接正極，因為P半導體缺殼粒，熱運動也難分離出殼粒往正極運動，且阻擋層變厚接觸電位差變大，電阻變大，形成較小電流，即具有單向通過電流屬性。 ） 多子與少子是相對概念。 如：在N型半導體中自由電子是多數載流子，簡稱為「多子」；空穴為小數載流子，稱為「少子」。而在P型中則相反。 ----考試的話，答概念就可以了，具體的作用過程你就不用記了。

F. 什麼是P型半導體和N型半導體其多數載流子和少數載流子各是什麼能否說P型半導體帶正電、N型半導體帶負

P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體
N型半導體即自由電子濃度遠大於內空穴濃度的雜質半容導體
如果半導體中電子濃度大時，電子就是多數載流電子，空穴就是少數載流電子。相反，如果該半導體中空穴濃度大時，空穴就是多數載流電子，電子就是少數載流電子。
P型半導體、N型半導體都是電中性

G. P型半導體是什麼N 型半導體是什麼

近幾年來「負離子」這個詞大家都很熟悉，在廣告中、商品中、報紙上，電視上都經常可聽可見，那麼什麼是負離子呢？用一句話很難解答。按通俗講，我們只能先做個比喻；人是什麼？是人一種高級動物，因生理結構特性，而將人劃分為「男人」和「女人」，如果沒有這種劃分法，「男人」和「女人」也都得叫人了。

按上述劃分法，有了「負離子」，也就會有「正離子」，它們都是由離子中分叫出來的，那麼離子是什麼？只能按科學家講法去解釋。在物理學中的，我們都知道，物質是由分子組成的，分子是由原子組成的，原子是由原子核及圍繞其旋轉的電子組成，當物體得到電子時顯負電性，失去電子時顯正電性，我們把正負電子運動現象稱為離子現象，即帶有正電荷的物體叫正離子，把帶有負電荷的物體叫負離子。 當人類確認負離子對人有功效作用時，為了改善環境促進健康，各種負離子發生器大量被發明出來，主要採用兩個途徑，一種是利用高壓電產生電離使空氣產生負離子，另一種利用天然礦物質，經科原加工而成，能釋放負離子材料地球上很多，通常指能量石，有各種礦石，海藻類海底石和含有蛋白的輕質頁岩，利用此種材料採用高科技技術加工成細粉體，與高分子材料相配全，可研究出很多產品，應用在紡織工業，塑料產品、紙製品等，形成各種負離子功能產品，這些產品負離子釋放數量每立方厘米可達 1200 —— 5000 個，不亞於人類在郊外，田野的自然環境中。

等離子狀態使指物質原子內的電子在高溫下脫離原子核的吸引，使物質呈為正負帶電粒子狀態存在。
等離子（簡稱PDP）是採用近幾年來高速發展的等離子平面屏幕技術的新—代顯示設備，目前市場上銷售的產品有兩種類型，一種是等離子顯示屏，另一種是等離子電視，兩者在本質上沒有太大的區別，唯一的區別是有沒有內置電視接收調諧器。

由於PDP發展初期主要是針對商業展示用途，所以當前仍有很多PDP都沒有內置電視接收調諧器，也就是說，不能直接接收電視信號。因此如果選擇的是這種產品，那麼只能通過衛星解碼器或錄像機等其它設備來兼作電視訊號調諧接收器，也可另購—個電視接收器。現在等離子已經開始面對家庭用戶設計生產，目前生產的部分等離子開始內置電視接收器，這些機型預先就設有RF射頻連接端子，可以直接播放電視節目。

大部分國產的PDP都是內置電視接收器，如海信、上廣電SVA和TCL的多款產品。而國外的廠家，有些產品採用外置電視接收器，也有部分產品採用內置電視接收器。一般把外置電視接收器的PDP稱為等離子顯示屏，把內置電視接收器的PDP稱為等離子電視，選購時應問清楚是否帶電視接收功

H. P型半導體的P是什麼的縮寫 N型呢。

分別是positive和negative的縮寫，表示了半導體內多空穴還是多電子

I. 什麼是p型半導體，n型半導體，p

【n型半導體】「n」表示負電的意思，在這類半導體中，參與導電的主要是帶負電的電子，這些電子來自半導體中的「施主」雜質。所謂施主雜質就是摻入雜質能夠提供導電電子而改變半導體的導電性能。例如，半導體鍺和硅中的五價元素砷、銻、磷等原子都是施主雜質。如果在某一半導體的雜質總量中，施主雜質的數量佔多數，則這種半導體就是n型半導體。如果在硅單晶中摻入五價元素砷、磷。則在硅原子和砷、磷原子組成共價鍵之後，磷外層的五個電子中，四個電子組成共價鍵，多出的一個電子受原子核束縛很小，因此很容易成為自由電子。所以這種半導體中，電子載流子的數目很多，主要kao電子導電，叫做電子半導體，簡稱n型半導體。 【p型半導體】「p」表示正電的意思。在這種半導體中，參與導電的主要是帶正電的空穴，這些空穴來自於半導體中的「受主」雜質。所謂受主雜質就是摻入雜質能夠接受半導體中的價電子，產生同數量的空穴，從而改變了半導體的導電性能。例如，半導體鍺和硅中的三價元素硼、銦、鎵等原子都是受主。如果某一半導體的雜質總量中，受主雜質的數量佔多數，則這半導體是p型半導體。如果在單晶硅上摻入三價硼原子，則硼原子與硅原子組成共價鍵。由於硼原子數目比硅原子要少很多，因此整個晶體結構基本不變，只是某些位置上的硅原子被硼原子所代替。硼是三價元素，外層只有三個價電子，所以當它與硅原子組成共價鍵時，就自然形成了一個空穴。這樣，摻入的硼雜質的每一個原子都可能提供一個空穴，從而使硅單晶中空穴載流子的數目大大增加。這種半導體內幾乎沒有自由電子，主要kao空穴導電，所以叫做空穴半導體，簡稱p型半導體。 【p－n結】在一塊半導體中，摻入施主雜質，使其中一部分成為n型半導體。其餘部分摻入受主雜質而成為p型半導體，當p型半導體和n型半導體這兩個區域共處一體時，這兩個區域之間的交界層就是p-n結。p-n結很薄，結中電子和和空穴都很少，但在kao近n型一邊有帶正電荷的離子，kao近p型一邊有帶負電荷的離子。這是因為，在p型區中空穴的濃度大，在n型區中電子的濃度大，所以把它們結合在一起時，在它們交界的地方便要發生電子和空穴的擴散運動。由於p區有大量可以移動的空穴，n區幾乎沒有空穴，空穴就要由p區向n區擴散。同樣n區有大量的自由電子，p區幾乎沒有電子，所以電子就要由n區向p區擴散。隨著擴散的進行，p區空穴減少，出現了一層帶負電的粒子區；n區電子減少，出現了一層帶正電的粒子區。結果在p－n結的邊界附近形成了一個空間電荷區，p型區一邊帶負電荷的離子，n型區一邊帶正電荷的離子，因而在結中形成了很強的局部電場，方向由n區指向p區。當結上加正向電壓（即p區加電源正極，n區加電源負極）時，這電場減弱，n區中的電子和p區中的空穴都容易通過，因而電流較大；當外加電壓相反時，則這電場增強，只有原n區中的少數空穴和p區中的少數電子能夠通過，因而電流很小。因此p－n結具有整流作用。當具有p－n結的半導體受到光照時，其中電子和空穴的數目增多，在結的局部電場作用下，p區的電子移到n區，n區的空穴移到p區，這樣在結的兩端就有電荷積累，形成電勢差。這現象稱為p－n結的光生伏特效應。由於這些特性，用p－n結可製成半導體二極體和光電池等器件。如果在p－n結上加以反向電壓（n區加在電源正極，p區加在電源負極），電壓在一定范圍內，p－n結幾乎不通過電流，但當加在p－n結上的反向電壓越過某一數值時，發生電流突然增大的現象。這時p-n結被擊穿。p－n結被擊穿後便失去其單向導電的性能，但結並不一定損壞，此時將反向電壓降低，它的性能還可以恢復。根據其內在的物理過程，p－n結擊穿可分為雪崩擊穿和隧道擊穿兩種。