半導體本徵轉變溫度怎麼求
純金屬的導電性一般是隨著溫度的降低而增大（因為晶格散射減小，遷移率增大的緣故）。
本徵半導體隨著溫度的降低,本徵載流子濃度隨著溫度的降低而指數式減小，所以導電性降低。
具體情況較復雜，詳見「http://blog.163.com/xmx028@126/」中的有關說明。
Ⅱ 分析本徵半導體電阻率與載流子濃度遷移率和溫度有什麼關系
決定 電阻率溫度關系的主要因素是載流子濃度和遷移率隨溫度的變化版關系。
在低溫下：權由於 載流子濃度指數式增大（施主或 受主雜質不斷電離），而遷移率也是增大的（電離雜質散射作用減弱之故），所以這時 電阻率隨著溫度的升高而下降。
在 室溫下：由於施主或 受主雜質已經完全電離，則 載流子濃度不變，但遷移率將隨著溫度的升高而降低（ 晶格振動加劇，導致 聲子散射增強所致），所以 電阻率將隨著溫度的升高而增大。
在 高溫下：這時 本徵激發開始起作用，載流子濃度將指數式地很快增大，雖然這時遷移率仍然隨著溫度的升高而降低（ 晶格振動散射散射越來越強），但是這種遷移率降低的作用不如載流子濃度增大的強，所以總的效果是 電阻率隨著溫度的升高而下降。
Ⅲ 溫度一定時,半導體中的本徵載流子濃度是一定的嗎
是一定,因為本徵激發與溫度和禁帶寬度有指數函數關系,對於一定的半導體材料,在溫度一定時,本徵載流子濃度就將一定.
Ⅳ 關於本徵半導體
問題一
樓主的問題在於對半導體載流子濃度的數量級沒有認識，打個比方：以版硅材料為列，硅常溫下本證載流權子濃度在10個零左右，如果製作BJT基區，參雜一般在17到19個零之間，就已參雜18個零為列，這時候電子濃度為18個零，當溫度升高後，加入本證激發提高到了一萬倍，這時候空穴濃度就是14個零，比原來增加了一萬倍，而電子的濃度變成了18個零加上14個零，變成了原來的1.0001倍。
可見，常溫完全電離情況下，多子濃度幾乎與溫度無關，而少子濃度則對溫度很敏感。
問題二
對於第二個問題是因為樓主對NP=ni*ni沒有理解，建議樓主親自推到一下這個公式的來歷加深一下理解。
首先這個公式只有對平衡狀態下的半導體才會成立，也就是電子和空穴有同一的費米能級，處於電場中的半導體處於非平衡態，沒有統一的費米能級，而是引入了准費米能級的概念。
希望對樓主有用，望採納！
Ⅳ 溫度升高，本徵半導體的電子濃度怎麼變化
溫度升高時，電子共有化運動加劇，能級分裂加劇，因些允帶變寬，禁帶變窄。電子更容易從價帶躍到導帶，所以溫度升高，電子空穴對增多，即電子空穴濃度增加，即本徵載流子濃度增加。
Ⅵ 當環境溫度為0k且無外部激發時，本徵半導體內只有束縛電子，沒有
沒有雜質和缺陷的半導體，叫做本徵半導體。
實際上，摻雜半導體在高溫下也可以轉變為本徵半導體。因此，本徵半導體就是兩種載流子（電子和空穴）同樣都對導電起作用的半導體。
Ⅶ 半導體本徵濃度怎麼計算
一定的電來荷轉移我們可自以用以下公式對本徵半導體中的自由電子的濃度進行計算：
ni（T）＝AT3/2e－EG/2kT式中，
EG——電子掙脫共價鍵束縛所需要的能量，單位是eV（電子伏），又被稱為禁帶寬度；
T——溫度；
A——系數；
k——波耳茲曼常數（1．38×10－23J/K）；
e——自然對數的底。
Ⅷ 解釋一下金屬和本徵半導體作為溫度功能元件時的熱導率的差異.
金屬的來熱導率大於半導體的熱導源率。
假如：這個溫度功能元件是熱電偶。
當用金屬做熱電偶時，由於金屬的熱導率較好，所以它的溫差不太大，導致載流子的濃度差不大，所以熱電偶的熱電動勢較小；
當用半導體做熱電偶時，由於半導體的熱導率較小，所以它的溫差較大，導致載流子的濃度差較大，所以熱電偶的熱電動勢較大。
所以，半導體材料（一般都用非本徵半導體的P、N型配對）做的熱電偶較一般金屬做的熱電偶，效果更為明顯。
（供參考）