半導體零部件名稱有哪些

㈠ 半導體公司名稱

IR?
http://www.irf.com.cn/irfsite/index.asp

㈡ 什麼叫半導體請舉幾個電子元件的名稱。

半導體的導電能力比較差，比絕緣體強，看似沒什麼用處，其實半導體有專其特殊的性質，比如在光照，溫屬度，壓力等變化的時候，它的電阻率會發生很大的變化，從半導體變成導體的都有，常見的半導體材料有硅，鍺，砷化鎵等等，常見的元件有二極體（分整流二極體，穩壓二極體，光敏二極體，發光二極體，熱敏二極體等，用於不同的用途）但都有一個性質，就是單向導電性。還有三極體，等等。就連現代最先進的集成電路，都是由半導體材料做成的，只是製作工藝和設計不同，所以用途和功能不同。

㈢ 什麼叫半導體請舉幾個電子元件的名稱。

導電能力介於導體和絕緣體之間的材料。常見的有硅和鍺。常見的半導體材料製成的原件回有：二極體、答三極體、集成電路的忒片、光敏電阻等。
半導體的導電能力比較差，比絕緣體強，看似沒什麼用處，其實半導體有其特殊的性質，比如在光照，溫度，壓力等變化的時候，它的電阻率會發生很大的變化，從半導體變成導體的都有，常見的半導體材料有硅，鍺，砷化鎵等等，常見的元件有二極體（分整流二極體，穩壓二極體，光敏二極體，發光二極體，熱敏二極體等，用於不同的用途）但都有一個性質，就是單向導電性。還有三極體，等等。就連現代最先進的集成電路，都是由半導體材料做成的，只是製作工藝和設計不同，所以用途和功能不同。

㈣ 電子元器件包括哪些零件

電子元件有電阻、電容、電感、二極體、三極體、場效應管、可控硅、回變壓器、繼電器、感測答器……;電子器件有模擬電路(運放、比較器、信號調理器)、邏輯電路(觸發器、計數器、解碼器、寄存器、收發器、非門、與門、或門、與非門、或非門、異或門)、單片機、存儲器(RAM、ROM、EPROM、EEPROM)、數字電位器、信號轉換電路(A/D轉換器、D/A轉換器、壓/頻轉換器)、通信電路(各種介面電路)、監控復位電路(電源監控、程序監控)……，數不勝數。

㈤ 半導體光敏元件的基本名稱

光道題光敏元件的基本名稱是光敏元件。
半導體光敏元件是基於半導體光電效應的光電轉換感測器，又稱光電敏感器。採用光、電技術能實現無接觸、遠距離、快速和精確測量，常用來間接測量能轉換成光量的其他物理或化學量。半導體光敏元件有靈敏度、探測率、光照率、光照特性、伏安特性、光譜特性、時間和頻率響應特性以及溫度特性等，它們主要由材料、結構和工藝決定。
半導體光敏元件廣泛應用於精密測量、光通信、計算技術、攝像、夜視、遙感、制導、機器人、質量檢查、安全報警以及其他測量和控制裝置中， 例如：光敏電阻、光敏二極體。

㈥ 什麼是半導體,什麼是電容,電感,二極體,三極體,他們都有什麼用

半島體-----是介於導體和絕緣體之間的，導電性能沒有 諸如銀 銅 鋁 鐵 等 那強專
電容-------是通交流電 阻支屬流電的 還可以蓄電
電感-------是通直流電 阻交流電 可以濾波
二極體------有單向導電性 正接 導通 反接截止 限制電壓作用 常見的電器上 紅 綠 色小燈 就是發光二極體
三極體----有放大電流 電壓 信號 功率 作用 還可以用做自動開關`！

㈦ 第三代半導體材料有哪些

碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）。

1、碳化硅（SiC）

碳化硅，化學式SiC，俗稱金剛砂，寶石名稱鑽髓，為硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然以莫桑石這種稀罕的礦物的形式存在。自1893年起碳化硅粉末被大量用作磨料。

氮化鋁是鋁的氮化物。纖鋅礦狀態的氮化鋁是一種寬頻隙的半導體材料。故也是可應用於深紫外線光電子學的半導體物料。

㈧ 半導體中名詞「wafer」「chip」「die」的聯系和區別是什麼

一、半導體中名詞「」「chip」「die」中文名字和用途

①wafer——晶圓

wafer 即為圖片所示的晶圓，由純硅（Si）構成。一般分為6英寸、8英寸、12英寸規格不等，晶片就是基於這個wafer上生產出來的。晶圓是指硅半導體集成電路製作所用的硅晶片，由於其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工製作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能的集成電路產品。

②chip——晶元

一片載有Nand Flash晶圓的wafer，wafer首先經過切割，然後測試，將完好的、穩定的、足容量的die取下，封裝形成日常所見的Nand Flash晶元（chip）。晶元一般主要含義是作為一種載體使用，並且集成電路經過很多道復雜的設計工序之後所產生的一種結果。

③die——晶粒

Wafer上的一個小塊，就是一個晶片晶圓體，學名die，封裝後就成為一個顆粒。晶粒是組成多晶體的外形不規則的小晶體，而每個晶粒有時又有若干個位向稍有差異的亞晶粒所組成。晶粒的平均直徑通常在0.015~0.25mm范圍內，而亞晶粒的平均直徑通常為0.001mm數量級。

二、半導體中名詞「wafer」「chip」「die」的聯系和區別

①材料來源方面的區別

以硅工藝為例，一般把整片的矽片叫做wafer，通過工藝流程後每一個單元會被劃片，封裝。在封裝前的單個單元的裸片叫做die。chip是對晶元的泛稱，有時特指封裝好的晶元。

②品質方面的區別

品質合格的die切割下去後，原來的晶圓就成了下圖的樣子，就是挑剩下的Downgrade Flash Wafer。這些殘余的die，其實是品質不合格的晶圓。被摳走的部分，也就是黑色的部分，是合格的die，會被原廠封裝製作為成品NAND顆粒，而不合格的部分，也就是圖中留下的部分則當做廢品處理掉。

③大小方面的區別

封裝前的單個單元的裸片叫做die。chip是對晶元的泛稱，有時特指封裝好的晶元。cell也是單元，但是比die更加小 cell <die< chip。

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一、半導體基本介紹

半導體指常溫下導電性能介於導體與絕緣體之間的材料。半導體在消費電子、通信系統、醫療儀器等領域有廣泛應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。

今日大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。

半導體晶元的製造過程可以分為沙子原料（石英）、硅錠、晶圓、光刻，蝕刻、離子注入、金屬沉積、金屬層、互連、晶圓測試與切割、核心封裝、等級測試、包裝等諸多步驟，而且每一步里邊又包含更多細致的過程。

㈨ 有關半導體元件的幾個問題(1)

其實你學習很努力,但我的告訴你:實際半導體公司在生產時,產品印字是完全不按照你回所看答到的書上講的,而是採用各自公司的標志印的,只有典型參數是按規定印的.比如:電感:XXXXABCD--101K,XXXX表示公司名稱縮寫,ABCD表示產品機械尺寸,101表示L值,K表示精度.類似的還有很多.我說了這么多,希望對你有用處,我本人就是做半導體的.

㈩ 電子元件名稱符號及單位都有什麼

電子元器件基礎知識（）——電阻

導電體對電流的阻礙作用稱為電阻，用符號R表示，單位為歐姆、千歐、兆歐，分別用Ω、KΩ、MΩ表示。一、電阻的型號命名方法：

國產電阻器的型號由四部分組成（不適用敏感電阻）第一部分：主稱 ，用字母表示，表示產品的名字。如R表示電阻，W表示電位器。第二部分：材料 ，用字母表示，表示電阻體用什麼材料組成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有機實心、N-無機實心、J-金屬膜、Y-氮化膜、C-沉積膜、I-玻璃釉膜、X-線繞。第三部分：分類，一般用數字表示，個別類型用字母表示，表示產品屬於什麼類型。1-普通、2-普通、3-超高頻 、4-高阻、5-高溫、6-精密、7-精密、8-高壓、9-特殊、G-高功率、T-可調。第四部分:序號，用數字表示，表示同類產品中不同品種，以區分產品的外型尺寸和性能指標等 例如：R T 1 1 型普通碳膜電阻

電子元器件基礎知識（2）——電容

電容是電子設備中大量使用的電子元件之一，廣泛應用於隔直，耦合， 旁路，濾波，調諧迴路， 能量轉換，控制電路等方面。用C表示電容，電容單位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF

電容器的型號命名方法 國產電容器的型號一般由四部分組成（不適用於壓敏、可變、真空電容器）。依次分別代表名稱、材料、分類和序號。 第一部分：名稱，用字母表示，電容器用C。 第二部分：材料，用字母表示。 第三部分：分類，一般用數字表示，個別用字母表示。 第四部分：序號，用數字表示。 用字母表示產品的材料：A-鉭電解、B-聚苯乙烯等非極性薄膜、C-高頻陶瓷、D-鋁電解、E-其它材料電解、G-合金電解、H-復合介質、I-玻璃釉、J-金屬化紙、L-滌綸等極性有機薄膜、N-鈮電解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低頻陶瓷、V-雲母紙、Y-雲母、Z-紙介

電子元器件基礎知識（3）——電感線圈

電感線圈是由導線一圈*一圈地繞在絕緣管上，導線彼此互相絕緣，而絕緣管可以是空心的，也可以包含鐵芯或磁粉芯，簡稱電感。用L表示，單位有亨利(H)、毫亨利 (mH)、微亨利(uH)，1H=10^3mH=10^6uH。

電感的分類 按 電感形式 分類：固定電感、可變電感。 按導磁體性質分類：空芯線圈、鐵氧體線圈、鐵芯線圈、銅芯線圈。 按 工作性質 分類：天線線圈、振盪線圈、扼流線圈、陷波線圈、偏轉線圈。 按 繞線結構 分類：單層線圈、多層線圈、蜂房式線圈。

電感線圈的主要特性參數 1、電感量L 電感量L表示線圈本身固有特性，與電流大小無關。除專門的電感線圈（色碼電感）外，電感量一般不專門標注在線圈上，而以特定的名稱標注。 2、感抗XL 電感線圈對交流電流阻礙作用的大小稱感抗XL，單位是歐姆。它與電感量L和交流電頻率f的關系為XL=2πfL 3、品質因素Q 品質因素Q是表示線圈質量的一個物理量，Q為感抗XL與其等效的電阻的比值，即：Q=XL/R 線圈的Q值愈高，迴路的損耗愈小。線圈的Q值與導線的直流電阻，骨架的介質損耗，屏蔽罩或鐵芯引起的損耗，高頻趨膚效應的影響等因素有關。線圈的Q值通常為幾十到幾百。 4、分布電容 線圈的匝與匝間、線圈與屏蔽罩間、線圈與底版間存在的電容被稱為分布電容。分布電容的存在使線圈的Q值減小，穩定性變差，因而線圈的分布電容越小越好。

電子元器件基礎知識（4）——半導體器件

中國半導體器件型號命名方法半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：第一部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極體、3-三極體第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極體時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極體時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的內型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高頻小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D-低頻大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半導體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分：用數字表示序號第五部分：用漢語拼音字母表示規格號例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極體

電流表 PA
電壓表 PV
有功電度表 PJ
無功電度表 PJR
頻率表 PF
相位表 PPA
最大需量表(負荷監控儀) PM
功率因數表 PPF
有功功率表 PW
無功功率表 PR
無功電流表 PAR

聲信號 HA
光信號 HS
指示燈 HL
紅色燈 HR
綠色燈 HG
黃色燈 HY
藍色燈 HB
白色燈 HW

連接片 XB
插頭 XP
插座 XS
端子板 XT
電線,電纜,母線 W
直流母線 WB
插接式(饋電)母線 WIB
電力分支線 WP
照明分支線 WL
應急照明分支線 WE
電力干線 WPM
照明干線 WLM
應急照明干線 WEM
滑觸線 WT
合閘小母線 WCL
控制小母線 WC
信號小母線 WS
閃光小母線 WF
事故音響小母線 WFS
預告音響小母線 WPS
電壓小母線 WV
事故照明小母線 WELM
避雷器 F
熔斷器 FU
快速熔斷器 FTF
跌落式熔斷器 FF
限壓保護器件 FV
電容器 C
電力電容器 CE
正轉按鈕 SBF
反轉按鈕 SBR
停止按鈕 SBS
緊急按鈕 SBE
試驗按鈕 SBT
復位按鈕 SR
限位開關 SQ
接近開關 SQP
手動控制開關 SH
時間控制開關 SK
液位控制開關 SL
濕度控制開關 SM
壓力控制開關 SP
速度控制開關 SS
溫度控制開關,輔助開關 ST
電壓表切換開關 SV
電流表切換開關 SA

整流器 U
可控硅整流器 UR
控制電路有電源的整流器 VC
變頻器 UF
變流器 UC
逆變器 UI

電動機 M
非同步電動機 MA
同步電動機 MS
直流電動機 MD
繞線轉子感應電動機 MW
鼠籠型電動機 MC

電動閥 YM
電磁閥 YV
防火閥 YF
排煙閥 YS
電磁鎖 YL
跳閘線圈 YT
合閘線圈 YC
氣動執行器 YPA,YA
電動執行器 YE

發熱器件(電加熱) FH
照明燈(發光器件) EL
空氣調節器 EV
電加熱器加熱元件 EE
感應線圈,電抗器 L
勵磁線圈 LF
消弧線圈 LA
濾波電容器 LL
電阻器,變阻器 R
電位器 RP
熱敏電阻 RT
光敏電阻 RL
壓敏電阻 RPS
接地電阻 RG
放電電阻 RD
啟動變阻器 RS
頻敏變阻器 RF
限流電阻器 RC

光電池,熱電感測器 B
壓力變換器 BP
溫度變換器 BT
速度變換器 BV
時間測量感測器 BT1,BK
液位測量感測器 BL
溫度測量感測器 BH,BM